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    The Influence of Defects on Compatibility and Yield of the HfO~2-PolySilicon Gate Stack for CMOS Integration : Novel materials and processes for advanced CMOS
    Kaushik, V. S. ; De Gendt, S. ; et al.
    In: MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIUM PROCEEDINGS, Jg. 745 (2003), S. 335-342
    Konferenz
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    Interface Quality and Electrical Performance of Low-Temperature Metal Organic Chemical Vapor Deposition Aluminum Oxide Thin Films for Advanced CMOS Gate Dielectric Applications : Novel materials and processes for advanced CMOS
    Skordas, S. ; Papadatos, F. ; et al.
    In: MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIUM PROCEEDINGS, Jg. 745 (2003), S. 209-214
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Characterization of Ruthenium and Ruthenium Oxide Thin Films Deposited by Chemical Vapor Deposition for CMOS Gate Electrode Applications : Novel materials and processes for advanced CMOS
    Papadatos, F. ; Skordas, S. ; et al.
    In: MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIUM PROCEEDINGS, Jg. 745 (2003), S. 61-66
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Physical and Electrical Properties of Al~2O~3, HfO~2, and Their Alloy Films Prepared by Atomic Layer Deposition for 65nm CMOS Gate Dielectric : Novel materials and processes for advanced CMOS
    Kawahara, T. ; Torii, K. ; et al.
    In: MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIUM PROCEEDINGS, Jg. 745 (2003), S. 155-160
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Nickel, Platinum and Zirconium Germanosilicide Contacts to Heavily Phosphorous Doped Silicon-Germanium Alloys for Advanced CMOS Source/Drain Junctions : Novel materials and processes for advanced CMOS
    Mo, H. ; Liu, J. ; et al.
    In: MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIUM PROCEEDINGS, Jg. 745 (2003), S. 129-134
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Measuring The Work Functions of PVD TaN, TaSiN and TiSiN Films With a Schottky Diode CV Technique for Metal Gate CMOS Applications : Novel materials and processes for advanced CMOS
    Pan, J. ; Woo, C. ; et al.
    In: MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIUM PROCEEDINGS, Jg. 745 (2003), S. 55-60
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Ru/Ta Alloying Behavior and Its Implications for Laminate Based CMOS Integration : Gate stack scaling: materials, role of interfaces and reliability implications
    De Gendt, S. ; Lisoni, J. ; et al.
    In: MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIUM PROCEEDINGS, Jg. 917 (2006), S. 106-111
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Electrical and Material Evaluation of the MOCVD TiN as Metal Gate Electrode for Advanced CMOS Technology : Gate stack scaling: materials, role of interfaces and reliability implications
    Carbonell, L. ; De Gendt, S. ; et al.
    In: MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIUM PROCEEDINGS, Jg. 917 (2006), S. 174-179
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Study of Pt Addition to Solve NiSi Integration Issues on CMOS Devices : Advanced metallization conference; (AMC 2005)
    Chiang, Y. Y. ; Chang, Y. L. ; et al.
    In: ADVANCED METALLIZATION CONFERENCE, 2005, S. 193-198
    Konferenz
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    A SiCOH BEOL Interconnect Technology for High Density and High Performance 65 nm CMOS Applications : Advanced metallization conference; (AMC 2005)
    Angyal, M. ; Gill, J. ; et al.
    In: ADVANCED METALLIZATION CONFERENCE, 2005, S. 39-46
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Optimization of Cu Interconnect Layers for CMOS Image Sensor Technology : Advanced metallization conference; (AMC 2005)
    Gambino, J. ; Adkisson, J. ; et al.
    In: ADVANCED METALLIZATION CONFERENCE, 2005, S. 151-158
    Konferenz
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    PECVD Low-k (∼2.7) Dielectric SiCOH Film Development and Integration for 65 nm CMOS Devices : Advanced metallization conference; (AMC 2005)
    Ida, K. ; Nguyen, S. ; et al.
    In: ADVANCED METALLIZATION CONFERENCE, 2005, S. 89-96
    Konferenz
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Advanced BEOL R&D Activity at Crolles Alliance-Evaluation and Implementation of Emerging Processes and Alternative Architectures for 45 nm and 32 nm CMOS Generations : Advanced metallization conference; (AMC 2005)
    Torres, J. ; Arnal, V. ; et al.
    In: ADVANCED METALLIZATION CONFERENCE, 2005, S. 3-16
    Konferenz
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Silicon CMOS BEOL Compatible Optical Waveguide Micro-Mirrors : Progress in semiconductors II: electronic and optoelectronic applications
    Ponoth, S. ; Agarwal, N. ; et al.
    In: MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIUM PROCEEDINGS, Jg. 744 (2003), S. 475-480
    Konferenz
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Chip-Level Performance Improvement Using Triple Damascene Wiring Design Concept for the Future CMOS Devices : Advanced metallization conference (AMC)
    Oda, N.
    In: ADVANCED METALLIZATION CONFERENCE IN, 2000, S. 59-70
    Konferenz
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    Konferenz
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    Optimization of AlCu Wiring Delay in Advanced CMOS Technology : Low-dielectric constant materials
    Stamper, A. K. ; McGahay, V. ; et al.
    In: MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIUM PROCEEDINGS, Jg. 443, S. 183-188
    Konferenz
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Mechanisms of Thin Film Ti and Co Silicide Phase Formation on Deep-Sub-Micron Geometries and Their Implications and Applications to 0.18 m̆ CMOS and Beyond : Advanced metallization for future ULSI
    Kittl, J. A. ; Hong, Q. Z. ; et al.
    In: MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIUM PROCEEDINGS, Jg. 427, S. 505-510
    Konferenz
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    Dependence of Crystallographic Texture of C54 TiSi~2 on Thickness and Linewidth in Submicron CMOS Structures : Advanced metallization for future ULSI
    Svilan, V. ; Rodbell, K. P. ; et al.
    In: MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIUM PROCEEDINGS, Jg. 427, S. 53-58
    Konferenz
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