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    MBE-grown AlGaN/GaN HEMTs with 186 ms/mm Transconductance
    Wang, X. ; Hu, G. ; et al.
    In: RESEARCH AND PROGRESS OF SSE, Jg. 23 (2003), Heft 4, S. 484-488
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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    InGaAs/AlGaAs Quantum-wire FET Structure in Self-organized Way by MBE
    Zhang, W. ; Yan, F. ; et al.
    In: RESEARCH AND PROGRESS OF SSE, Jg. 22 (2002), Heft 2, S. 223-226
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    MBE Growth of GaAs-based Heterojunction Materials and Their Application
    Qiu, K. ; Yin, Z. ; et al.
    In: RESEARCH AND PROGRESS OF SSE, Jg. 22 (2002), Heft 2, S. 227-230
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    The Market and Industrialization Forecost of GaAs-based MBE Materials
    Kong, M. ; Zeng, Y.
    In: RESEARCH AND PROGRESS OF SSE, Jg. 22 (2002), Heft 2, S. 244-248
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Dislocation Density of MBE Grown HgCdTe on ZnCdTe Substrates
    Yu, M. ; Wu, Y. ; et al.
    In: RESEARCH AND PROGRESS OF SSE, Jg. 22 (2002), Heft 2, S. 215-218
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Indium Doping in MBE Grown HgCdTe
    Wu, Y. ; Chen, L. ; et al.
    In: RESEARCH AND PROGRESS OF SSE, Jg. 22 (2002), Heft 2, S. 210-214
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    High Power Array Semiconductor Laser Grown by MBE
    Li, Z. ; Wang, L. ; et al.
    In: RESEARCH AND PROGRESS OF SSE, Jg. 22 (2002), Heft 3, S. 255-256
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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sm 576 - 768
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