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    Control of Interfacial Reaction of HfO2/Ge Structure by Insertion of Ta Oxide Layer : Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices
    HASHIMOTO, Kuniaki ; OHTA, Akio ; et al.
    In: IEICE transactions on electronics, Jg. 96 (2013), Heft 5, S. 674-679
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    X-Ray Photoemission Study of SiO2/Si/Si0.55Ge0.45/Si Heterostructures : Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices
    OHTA, Akio ; MAKIHARA, Katsunori ; et al.
    In: IEICE transactions on electronics, Jg. 96 (2013), Heft 5, S. 680-685
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Growth Position and Chirality Control of Single-Walled Carbon Nanotubes
    SAKAI, Keijiro ; DOI, Satoshi ; et al.
    In: IEICE transactions on electronics, Jg. 94 (2011), Heft 12, S. 1861-1866
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Impact of Annealing Ambience on Resistive Switching in Pt/TiO2/Pt Structure : Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices
    WEI, Guobin ; GOTO, Yuta ; et al.
    In: IEICE transactions on electronics, Jg. 94 (2011), Heft 5, S. 699-704
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Fabrication of InP/InGaAs DHBTs with Buried SiO2 Wires : Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices
    TAKEBE, Naoaki ; KOBAYASHI, Takashi ; et al.
    In: IEICE transactions on electronics, Jg. 94 (2011), Heft 5, S. 830-834
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Deoxyribonucleic Acid Sensitive Graphene Field-Effect Transistors : Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices
    HWANG, Jongseung ; KIM, Heetae ; et al.
    In: IEICE transactions on electronics, Jg. 94 (2011), Heft 5, S. 826-829
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Characterization of Mg Diffusion into HfO2/SiO2/Si(100) Stacked Structures and Its Impact on Detect State Densities : Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices
    OHTA, Akio ; KANME, Daisuke ; et al.
    In: IEICE transactions on electronics, Jg. 94 (2011), Heft 5, S. 717-723
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Characterization of germanium nanocrystallites grown on SiO2by a conductive AFM probe technique : Fundamental and application of advanced semiconductor devices
    MAKIHARA, Katsunori ; OKAMOTO, Yoshihiro ; et al.
    In: IEICE transactions on electronics, Jg. 88 (2005), Heft 4, S. 705-708
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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