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    The Challenges in Introducing PMOS Dual Channel in CMOS Processing : Advanced Gate Stack, Source/Drain, and Channel Engineering for Si-based CMOS
    Harris, H.R. ; Majhi, P. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 19 (2009), Heft 1, S. 223-232
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Revolutionary Nanoelectronic Devices and Processes for Post 32nm CMOS Era : Advanced Gate Stack, Source/Drain, and Channel Engineering for Si-based CMOS
    Nishi, Y.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 19 (2009), Heft 1, S. 3-16
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Millisecond Annealing Junctions for Near-Scaling-Limit Bulk CMOS Using Raised Source/Drain Extensions : Advanced Gate Stack, Source/Drain, and Channel Engineering for Si-based CMOS
    Hane, M.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 19 (2009), Heft 1, S. 63-70
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Hafnium Oxide Etching Using Hydrogen Chloride Gas : Advanced Gate Stack, Source/Drain, and Channel Engineering for Si-based CMOS
    Habuka, H. ; Kobori, Y. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 19 (2009), Heft 1, S. 289-302
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Enhancement of Carrier Ballistic Transport in Schottky S/D MOSFETs : Advanced Gate Stack, Source/Drain, and Channel Engineering for Si-based CMOS
    Wang, W. ; Tsuchiya, H. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 19 (2009), Heft 1, S. 345-350
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Integration of Al Segregated NiSiGe/SiGe Source/Drain Contact Technology in p-FinFETs for Drive Current Enhancement : Advanced Gate Stack, Source/Drain, and Channel Engineering for Si-based CMOS
    Sinha, M. ; Lee, R. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 19 (2009), Heft 1, S. 323-330
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    The Effect of NH3 on the Interface of HfO2 and Al2O3 Films on GaAs (100) Surfaces : Advanced Gate Stack, Source/Drain, and Channel Engineering for Si-based CMOS
    Suh, D. ; Cho, Y. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 19 (2009), Heft 1, S. 233-242
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Properties of ErSi(2-x) Contacts Formed on Si(1-x)C(x) Epitaxial Layers : Advanced Gate Stack, Source/Drain, and Channel Engineering for Si-based CMOS
    Alptekin, E. ; Ozturk, M. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 19 (2009), Heft 1, S. 331-338
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Modeling the Influence of Defects on the Electrical Response of Multi-Dielectric Gate-Stack Structures : Advanced Gate Stack, Source/Drain, and Channel Engineering for Si-based CMOS
    Hjalmarson, H.P. ; Devine, R.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 19 (2009), Heft 1, S. 277-282
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    UHV Fabrication of the Ytterbium Silicide as Potential Low Schottky Barrier S/D Contact Material for N-Type MOSFET : Advanced Gate Stack, Source/Drain, and Channel Engineering for Si-based CMOS
    Yarekha, D.A. ; Larrieu, G. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 19 (2009), Heft 1, S. 339-344
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Engineering Band-Edge High- kappa /Metal Gate n-MOSFETs with Cap Layers Containing Group IIA and IIIB Elements by Atomic Layer Deposition : Advanced Gate Stack, Source/Drain, and Channel Engineering for Si-based CMOS
    Jagannathan, H. ; Edge, L.F. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 19 (2009), Heft 1, S. 253-262
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    The Influence of the Epitaxial Growth Process Parameters on Layer Characteristics and Device Performance in Si-passivated Ge pMOSFETs : Advanced Gate Stack, Source/Drain, and Channel Engineering for Si-based CMOS
    Caymax, M.R. ; Leys, F. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 19 (2009), Heft 1, S. 183-194
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Flash Lamp Activation of n- and p-type Dopants in Strained and Unstrained SOI and HOI : Advanced Gate Stack, Source/Drain, and Channel Engineering for Si-based CMOS
    Minamisava, R.A. ; Buca, D. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 19 (2009), Heft 1, S. 79-86
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Ge/GeO2 Interface Control with High Pressure Oxidation for Improving Electrical Characteristics : Advanced Gate Stack, Source/Drain, and Channel Engineering for Si-based CMOS
    Lee, C. ; Tabata, T. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 19 (2009), Heft 1, S. 165-174
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Opportunities and Challenges for Germanium and Silicon-Germanium Channel p-FETs : Advanced Gate Stack, Source/Drain, and Channel Engineering for Si-based CMOS
    Bedell, S.W. ; Daval, N. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 19 (2009), Heft 1, S. 155-164
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Electrical and Wafer Surface Profile Characterization of NiSi Formation Process using a Four Point Probe and Optical Surface Profilometer : Advanced Gate Stack, Source/Drain, and Channel Engineering for Si-based CMOS
    Yoo, W. ; Ueda, T. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 19 (2009), Heft 1, S. 315-322
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Fabrication of Suspended Ge-rich Nanowires by Ge Enrichment Technique for Multi-channel Devices : Advanced Gate Stack, Source/Drain, and Channel Engineering for Si-based CMOS
    Saracco, E.D. ; Damlencourt, J. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 19 (2009), Heft 1, S. 207-212
    Konferenz
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Low Voltage SILC Analysis for High-k/metal Gate Dielectrics : Advanced Gate Stack, Source/Drain, and Channel Engineering for Si-based CMOS
    Rahim, N. ; Misra, D.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 19 (2009), Heft 1, S. 283-288
    Konferenz
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Dipole Model Explaining High-k/Metal Gate Threshold Voltage Tuning : Advanced Gate Stack, Source/Drain, and Channel Engineering for Si-based CMOS
    Kirsch, P.D. ; Sivasubramani, P. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 19 (2009), Heft 1, S. 269-276
    Konferenz
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Influence of Interfacial Oxygen and Carbon on Misfit Dislocation Generation in SiGe Epitaxial Layers : Advanced Gate Stack, Source/Drain, and Channel Engineering for Si-based CMOS
    Fukuda, M. ; Shimamune, Y. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 19 (2009), Heft 1, S. 213-222
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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