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    Integration of III-V and Si CMOS Devices by Molecular Beam Epitaxy : Emerging materials for post-CMOS applications; Graphene and emerging materials for post-CMOS applications
    Lubyshev, D. ; Fastenau, J. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 19 (2009), Heft 5, S. 295-308
    Konferenz
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    III-V/Ge Channel Engineering for Future CMOS : Emerging materials for post-CMOS applications; Graphene and emerging materials for post-CMOS applications
    Wistey, M. ; Singisetti, U. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 19 (2009), Heft 5, S. 361-374
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    CMOS Scaling Beyond 22 nm Node : Emerging materials for post-CMOS applications; Graphene and emerging materials for post-CMOS applications
    Sadana, D. ; Bedell, S.W. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 19 (2009), Heft 5, S. 267-274
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Ge/III-V Channel Engineering for Future CMOS : Emerging materials for post-CMOS applications; Graphene and emerging materials for post-CMOS applications
    Takagi, S. ; Sugiyama, M. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 19 (2009), Heft 5, S. 9-20
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    (Invited) Low Frequency Noise Performance of State-of-the-Art and Emerging CMOS Devices : Dielectrics for nanosystems: materials science, processing, reliability and manufacturing; -and- Tutorials in nanotechnology : more than Moore - beyond CMOS emerging materials and devices
    Claeys, C. ; Aoulaiche, M. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 45 (2012), Heft 3, S. 567-580
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    A Compact CMOS 3-D Magnetic Field Sensor : Dielectrics for nanosystems: materials science, processing, reliability and manufacturing; -and- Tutorials in nanotechnology : more than Moore - beyond CMOS emerging materials and devices
    Wang, G. ; Misra, D.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 45 (2012), Heft 3, S. 543-558
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Nickel Silicide and Nickel Germanosilicide Processing in a Near-Isothermal Cavity: Sheet Resistance Curves for Blanket Ni/Si and Ni/SiGe Substrates and Electrical Data for CMOS Devices : Advanced gate stack, source/drain and channel engineering for si-based CMOS 3: new materials, processes and equipment
    Malik, I. J. ; Ouaknine, M. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 6 (2007), Heft 1, S. 451-458
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Gate Quality Al2O3 by Molecular-Atomic-Deposition (MAD) and its Potential Applications in III-V Semiconductor CMOS Technology : Advanced gate stack, source/drain and channel engineering for si-based CMOS 3: new materials, processes and equipment
    Cui, S. ; Li, N. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 6 (2007), Heft 1, S. 321-330
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Recent Advances in Search for Suitable High-k/Metal Gate Solutions to Replace SiON/Poly-Silicon Gate Stacks in CMOS Devices for 45nm and Beyond Technologies : Advanced gate stack, source/drain and channel engineering for si-based CMOS 3: new materials, processes and equipment
    Linder, B. ; Paruchuri, V. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 6 (2007), Heft 1, S. 287-294
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Integration Challenges for Advanced Process-Strained CMOS on Biaxial-Strained-SOI (SSOI) Substrates : Advanced gate stack, source/drain and channel engineering for si-based CMOS 3: new materials, processes and equipment
    Wei, A. ; Duenkel, S. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 6 (2007), Heft 1, S. 15-22
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Correlation of Local Strain in a TEM Sample and in the Bulk for a Recessed SiGe CMOS Structure : Advanced gate stack, source/drain and channel engineering for si-based CMOS 3: new materials, processes and equipment
    Zhao, W. ; Duscher, G. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 6 (2007), Heft 1, S. 23-30
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    The Future of CMOS -- Limits and Opportunities : Advanced gate stack, source/drain and channel engineering for si-based CMOS 3: new materials, processes and equipment
    Ning, T. H.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 6 (2007), Heft 1, S. 3-14
    Konferenz
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    InGaAs Heterostructure FETs (HFETs) for Beyond-Roadmap CMOS : Graphene, Ge/III-V, and emerging materials for post-CMOS applications
    Kim, D. ; del Alamo, J.A.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 28 (2010), Heft 5, S. 203-206
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Exploring the ALD Al~2O~3/In~0~.~5~3Ga~0~.~4~7As and Al~2O~3/Ge Interface Properties: A Common Gate Stack Approach for Advanced III-V/Ge CMOS : Graphene, Ge/III-V, and emerging materials for post-CMOS applications
    Lin, D. ; Waldron, N. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 28 (2010), Heft 5, S. 173-184
    Konferenz
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Impact of Work Function Optimized S/D Silicide Contact for High Current Drivability CMOS : Advanced gate stack, source/drain, and channel engineering for si-based CMOS: new materials, processes, and equipment
    Nakao, Y. ; Kuroda, R. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 28 (2010), Heft 1, S. 315-324
    Konferenz
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    High Mobility Channels for Ultimate CMOS : Advanced gate stack, source/drain, and channel engineering for Si-based CMOS: new materials, processes, and equipment
    Sadana, D. ; Koester, S. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 3 (2006), Heft 2, S. 343-354
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Geometry Dependence of Poly-Si Oxidation and its Application to Self-Align, Maskless Process for Nano-scale Vertical CMOS Structures : Advanced gate stack, source/drain, and channel engineering for Si-based CMOS: new materials, processes, and equipment
    Cho, H. ; Kapur, P. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 3 (2006), Heft 2, S. 403-414
    Konferenz
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    State-of-the-Art Characterization for 65 nm CMOS Processes and Beyond : Advanced gate stack, source/drain, and channel engineering for Si-based CMOS: new materials, processes, and equipment
    Hopstaken, M. ; Juhel, M. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 3 (2006), Heft 2, S. 319-332
    Konferenz
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Ni, Pt and Yb Based Fully Silicided (FUSI) Gates for Scaled CMOS Technologies : Advanced gate stack, source/drain, and channel engineering for Si-based CMOS: new materials, processes, and equipment
    Kittl, J. A. ; Lauwers, A. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 3 (2006), Heft 2, S. 233-246
    Konferenz
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Challenges in Dual Workfunction Metal Gate CMOS Integration : Advanced gate stack, source/drain, and channel engineering for Si-based CMOS: new materials, processes, and equipment
    Lee, B. ; Song, S. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 3 (2006), Heft 2, S. 263-274
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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