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    Halo Optimization for 0.13um SOI CMOS Technology : Microelectronics technology and devices; SBMicro 2008
    Agopian, P.G. ; Arrabaca, J.M. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 14 (2008), Heft 1, S. 111-118
    Konferenz
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    High-k Gate-Dielectrics Based on Titanium-Aluminum for Sub-32 Nm CMOS Technology : Microelectronics technology and devices; SBMicro 2008
    Miyoshi, J. ; Wada, R. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 14 (2008), Heft 1, S. 295-302
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Photoresponse Analysis of Sensors Fabricated with Standard 2.0 μm CMOS Technology : Microelectronics technology and devices; SBMICRO 2007
    Huanca, D.R. ; Rodriquez, E. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 9 (2007), Heft 1, S. 553-560
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Study of the Drain Leakage Current Behavior in Circular Gate SOI nMOSFET Using 0.13μm SOI CMOS Technology at High Temperatures : Microelectronics technology and devices; SBMICRO 2007
    Almeida, L.M. ; Bellodi, M.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 9 (2007), Heft 1, S. 397-404
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Advanced ESD Protection Solutions in CMOS/BiCMOS Technologies : Microelectronics technology and devices; SBMICRO 2007
    Liou, J.J. ; Salcedo, J.A. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 9 (2007), Heft 1, S. 97-102
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Probing Nanoscale Local Lattice Strains in Advanced Si CMOS Devices by CBED: A Tutorial with Recent Results : Silicon materials science and technology
    Kim, M. ; Huang, J. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 2 (2006), Heft 2, S. 541-548
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Mobility Enhancement and Strain Integration in Advanced CMOS : Silicon materials science and technology
    Diaz, C. H.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 2 (2006), Heft 2, S. 341-348
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Scaled CMOS with SiON and High-k : Silicon materials science and technology
    Ishimaru, K. ; Takayanagi, M. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 2 (2006), Heft 2, S. 317-328
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Front-End Process Technology for hp65/45 CMOS Devices : Silicon materials science and technology
    Nara, Y. ; Ootsuka, F. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 2 (2006), Heft 2, S. 27-32
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Early Voltage Behavior in Circular Gate SOI nMOSFET Using 0.13 μm Partially-Depleted SOI CMOS Technology : Microelectronics technology and devices; SBMICRO2006
    Gimenez, S. P. ; Mazzutti, R. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 4 (2006), Heft 1, S. 309-318
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    RF CMOS Device Modeling For on Chip EMC Evaluation : Microelectronics technology and devices; SBMICRO2006
    Rangel, R. ; Costa, J.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 4 (2006), Heft 1, S. 265-274
    Konferenz
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    CMOS Active-Pixel Structure for Eye-Aberration Detection : Microelectronics technology and devices; SBMICRO2006
    de Oliveira Furtado, A. S. ; de Lima Monteiro, D. W.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 4 (2006), Heft 1, S. 43-50
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Coupling of a CMOS Optical Sensor to a Micromachined Deformable Mirror with an Adaline Neural Network : Microelectronics technology and devices; SBMICRO2006
    de Lima Monteiro, D. W. ; Ferreira, A. I. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 4 (2006), Heft 1, S. 51-62
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    CMOS Technology Development for a Totally Digital A/D Converter : Microelectronics technology and devices; SBMICRO2006
    Pesenti, G. ; Silva, R. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 4 (2006), Heft 1, S. 19-28
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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