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    III-V MOSFETs for future CMOS transistor applications
    Passlack, Matthias ; Droopad, Ravi ; et al.
    In: Solid State Technology, Jg. 51 (2008-12-01), Heft 12, S. 26-29
    Online serialPeriodical
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    Fully gate-all-around silicon nanowire: CMOS devices
    Singh, N. ; Buddharaju, Kavitha D. ; et al.
    In: Solid State Technology, Jg. 51 (2008-05-01), Heft 5, S. 34-37
    Online serialPeriodical
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    Full Text Finder (Volltext)
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    New materials and device structures needed for CMOS scaling
    Class, Walter
    In: Solid State Technology, Jg. 47 (2004), Heft 1, S. 34-39
    Online serialPeriodical
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    Volltext (PDF)
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    Integrating dual workfunction metal gates in CMOS
    Song, S.C. ; Hussain, M.M ; et al.
    In: Solid State Technology, Jg. 49 (2006-08-01), Heft 8, S. 47-50
    Online serialPeriodical
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    Volltext (PDF)
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    A new generation of IC processing: Low-power, high-performance SOI CMOS. (Materials (SOI))
    Pelloie, Jean-Luc ; Auberton-Herve, Andre
    In: Solid State Technology, Jg. 44 (2001-11-01), Heft 11, S. 63-67
    Online serialPeriodical
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    Volltext (PDF)
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    Ultrathin silicon-on-insulator for high speed submicrometer CMOS technology
    Vasudev, P.K.
    In: Solid State Technology, Jg. 33 (1990-11-01), Heft 11, S. 61-65
    serialPeriodical
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    CMP for metal-gate integration in advanced CMOS transistors
    Feeney, Paul
    In: Solid State Technology, Jg. 53 (2010-11-01), Heft 10, S. 14-16
    Online serialPeriodical
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    Volltext (PDF)
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    Back-side illumination, wafer-scale optics drive 2x-5x jump in CMOS image sensor performance
    Baron, Jerome
    In: Solid State Technology, Jg. 53 (2010-07-01), Heft 7, S. 10-12
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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    Lateral isolation in SOI CMOS technology
    Haond, Michel ; Le Neel, Olivier
    In: Solid State Technology, Jg. 34 (1991-07-01), Heft 7, S. 47-52
    serialPeriodical
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    Blanket channel-stop implant process for submicron CMOS applications
    Lee, Roger R. ; Ahmad, Aftab ; et al.
    In: Solid State Technology, Jg. 33 (1990-04-01), Heft 4, S. 73-76
    serialPeriodical
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    CMOS future involves new materials and devices
    Hutchby, James A. ; Garner, C. Michael
    In: Solid State Technology, Jg. 49 (2006), Heft 1, S. 31-33
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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    IMEC's 'noble' efforts to integrate nanophotonics with hi-speed CMOS
    In: Solid State Technology, Jg. 52 (2009-07-01), Heft 7, S. 16-18
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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    Frontend processes required for continued CMOS scaling
    Butterbaugh, Jeff ; Osburn, Carl M.
    In: Solid State Technology, Jg. 49 (2006-02-01), Heft 2, S. 46-48
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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    MOS and CMOS as drivers of CV technology
    Skardon, John
    In: Solid State Technology, Jg. 33 (1990-03-01), Heft 3, S. 93-95
    serialPeriodical
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    SOI: ready to meet CMOS challenge?
    Dunn, Peter N.
    In: Solid State Technology, Jg. 36 (1993-10-01), Heft 10, S. 32-34
    serialPeriodical
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    What is the future of sub-l00nm CMOS: Ultrashallow junctions or ultrathin SOI?
    Current, M.I. ; Bedell, S.W. ; et al.
    In: Solid State Technology, Jg. 43 (2000-09-01), Heft 9, S. 66
    Online serialPeriodical
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    Sub-100nm SOI CMOS with 248nm litho
    Fritze, Michael
    In: Solid State Technology, Jg. 43 (2000-07-01), Heft 7, S. 46
    Online serialPeriodical
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    CMOS: How far can it go?
    Deleonibus, Simon
    In: Solid State Technology, Jg. 43 (2000-03-01), Heft 3, S. S14
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    IEDM 1999 focused on CMOS solutions
    Burggraaf, Pieter Pete
    In: Solid State Technology, Jg. 43 (2000-02-01), Heft 2, S. 30
    Online serialPeriodical
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    Chromeless phase-shift masks used for sub-100nm SOI CMOS transistors
    Astolfi, David K. ; Fritze, Michael ; et al.
    In: Solid State Technology, Jg. 43 (2000-07-01), Heft 7, S. 116
    Online serialPeriodical
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