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89 Treffer

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    PIN switch protects LNA from overloads: a MMIC low-noise amplifier (LNA) can be paired with an external PIN diode bypass switch to provide overload protection for mobile television receiver applications at 47 to 870 MHz.
    Lim, Chin-Leong
    In: Microwaves & RF, Jg. 49 (2010-04-01), Heft 4, S. 6
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    Design an MMIC LNA with GaAs PHEMTs: this approach evaluates both enhancement-mode and depletion-mode GaAs PHEMTs for the design of an X-band (about 8 GHz) LNA designed to run on battery power.
    Penn, John E.
    In: Microwaves & RF, Jg. 45 (2006-11-01), Heft 11, S. 5
    Online serialPeriodical
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    Design a B3G receiver front end: computer simulations make it possible to examine tradeoffs in the choices of LNAs, mixers, and impedance-matching networks when designing a broadband zero-IF receiver.
    Tian, Echun ; Zhou, Wuzhong ; et al.
    In: Microwaves & RF, Jg. 49 (2010-10-01), Heft 10, S. 5
    Online serialPeriodical
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    Low-power LNA drops noise At 2.4 GHz: this CMOS amplifier delivers high gain and low noise figure at 2.4 GHz with extremely low power consumption, by means of current-reuse and common-gate design strategies.
    Wang, Chunhua ; Liu, Baimei
    In: Microwaves & RF, Jg. 49 (2010-02-01), Heft 2, S. 4
    Online serialPeriodical
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    Examining E-pHEMT advantages for LNAs.
    In: Microwaves & RF, Jg. 45 (2006), Heft 1, S. 76
    Online serialPeriodical
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    LNA quiets mobile satcom receivers.
    McKay, Tom
    In: Microwaves & RF, 1998-08-01, S. 176
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    Resistive loading enhances LNA stability: a new method has been developed to predict improvements in stability and degradation of noise figure due to resistive loading of low-noise and broadband amplifier input and output ports.
    Post, John E.
    In: Microwaves & RF, Jg. 44 (2005-12-01), Heft 12, S. 64
    Online serialPeriodical
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    Detailing the board for A 1.575-GHz LNA.
    In: Microwaves & RF, Jg. 44 (2005-11-01), Heft 11, S. 78
    Online serialPeriodical
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    Dropping noise levels in LNAs: achieving low noise figures in an amplifier requires starting with the right transistor and then finding the optimum input and output matching networks while also meeting other performance needs.
    Browne, Jack
    In: Microwaves & RF, Jg. 49 (2010-06-01), Heft 6, S. 3
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    CMOS LNA Boosts 64 GHz; By employing a unique technique that increases device transconductance, this differential, integrated CMOS LNA offers improved gain and noise-figure performance at millimeter-wave frequencies.
    In: Microwaves & RF, Jg. 50 (2011-10-01), Heft 10
    Online serialPeriodical
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    Design An LNA For 38-GHz Radios; By using a well-known device model, and taking into account the limitations of on-chip passive elements, a two-stage LNA was designed with excellent mm-wave performance.
    In: Microwaves & RF, Jg. 50 (2011-05-01), Heft 5
    Online serialPeriodical
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    Novel LNA Cuts Noise, Not Gain; This two-stage amplifier design employs an LC network to eliminate the customary source-degrading inductor, achieving low noise figure with high gain at 5.8 GHz.
    In: Microwaves & RF, Jg. 51 (2012-06-01), Heft 6
    Online serialPeriodical
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    Current Reuse Enhances UWB LNA; This broadband low-noise CMOS amplifier covers the ultrawideband (UWB) communications frequencies from 3.1 to 10.6 GHz with the aid of current-reuse techniques.
    In: Microwaves & RF, Jg. 51 (2012-02-01), Heft 2
    Online serialPeriodical
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    CMOS LNA Supports Many Receiver Standards; This linear, low-noise amplifier spans a range of 2.1 to 7.0 GHz with low noise and reasonable gain while consuming less than 8 mW power from a +0.8-VDC power supply.
    In: Microwaves & RF, Jg. 50 (2011-11-01), Heft 11
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    PATCH ARRAY AND LNA Form 60-GHz Receiving Antenna.
    In: Microwaves & RF, Jg. 50 (2011-10-01), Heft 10
    Online serialPeriodical
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    INDUCTOR-LESS LNA Promises To Cut Noise.
    In: Microwaves & RF, Jg. 50 (2011-08-01), Heft 8
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    LNA Lowers Noise, Raises OIP3 At 3.5 GHz; The goal of this amplifier design was to maintain noise figure below 1 dB while achieving high gain and a robust output third-order intercept point for base-station applications at 3.5 GHz.
    In: Microwaves & RF, Jg. 50 (2011-07-01), Heft 7
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    LNAs Lower Noise In Wireless Base Stations; This pair of GaAs pHEMT-based low-noise amplifiers feature internal active bias circuitry for stable performance and high linearity in wireless infrastructure applications through 3 GHz.
    In: Microwaves & RF, Jg. 50 (2011-04-01), Heft 4
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    GPS LNAs Provide 0.65 dB Noise In 1 mm2.
    In: Microwaves & RF, Jg. 50 (2011), Heft 1
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    CMOS LNA Covers 53.5 To 62 GHz.
    In: Microwaves & RF, Jg. 49 (2010-12-01), Heft 13
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