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    Strained Si CMOS (SS CMOS) technology: opportunities and challenges : International workshop on ultimate integration of silicon; ULIS 3rd
    Rim, K. ; Anderson, R. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 47 (2003), Heft NO 7, S. 1133-1140
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Gate oxide breakdown characterization on 0.13 mum CMOS technology : Reliability of electron devices, failure physics and analysis
    Faure, D. ; Bru, D. ; et al.
    In: MICROELECTRONICS RELIABILITY, Jg. 43 (2003), Heft NO 9-11, S. 1519-1524
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Reliability of ultra-thin oxides in CMOS circuits : Reliability of electron devices, failure physics and analysis
    Stathis, J. H. ; Linder, B. P. ; et al.
    In: MICROELECTRONICS RELIABILITY, Jg. 43 (2003), Heft NO 9-11, S. 1353-1360
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Influence and model of gate oxide breakdown on CMOS inverters : Reliability of electron devices, failure physics and analysis
    Rodriguez, R. ; Stathis, J. H. ; et al.
    In: MICROELECTRONICS RELIABILITY, Jg. 43 (2003), Heft NO 9-11, S. 1439-1444
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    A procedure for reliability control and optimization of mixed-signal smart power CMOS processes : Reliability of electron devices, failure physics and analysis
    Aal, A.
    In: MICROELECTRONICS RELIABILITY, Jg. 43 (2003), Heft NO 9-11, S. 1395-1400
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    High frequency characterization and modelling of the parasitic RC performance of two terminal ESD CMOS protection devices : Electrical overstress / electrostatic discharge; EOS/ESD
    Vassilev, V. ; Jenei, S. ; et al.
    In: MICROELECTRONICS RELIABILITY, Jg. 43 (2003), Heft NO 7, S. 1011-1020
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Shrinking from 0.25 down to 0.12 mum SOI CMOS technology node: a contribution to low-frequency noise in partially depleted N-MOSFETs : International workshop on ultimate integration of silicon; ULIS 3rd
    Dieudonne, F. ; Haendler, S. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 47 (2003), Heft NO 7, S. 1213-1218
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Impact of parasitic elements on the performance of digital CMOS circuits with Gigabit feature size : International workshop on ultimate integration of silicon; ULIS 3rd
    Schwantes, S. ; Gottsche, R. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 47 (2003), Heft NO 7, S. 1243-1248
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Evaluation of circuit performance of ultra-thin-body SOI CMOS : International workshop on ultimate integration of silicon; ULIS 3rd
    Pacha, C. ; Schmal, A. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 47 (2003), Heft NO 7, S. 1205-1212
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    High performance Si/SiGe pMOSFETs fabricated in a standard CMOS process technology : International workshop on ultimate integration of silicon; ULIS 3rd
    Collaert, N. ; Verheyen, P. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 47 (2003), Heft NO 7, S. 1173-1178
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    PECVD formation of ultrathin silicon nitride layers for CMOS technology : Ion implantation and other applications of ions and electrons; ION 2002
    Beck, R. B. ; Giedz, M. ; et al.
    In: VACUUM -LONDON THEN OXFORD- PERGAMON-, Jg. 70 (2003), Heft NO 2-3, S. 323-330
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    CMOS current-mode binary hysteresis with external controls : International semiconductor device research symposium; ISDRS 2001 special issue
    Jiang, Y. ; Newcomb, R. W.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 47 (2003), Heft NO 2, S. 271-274
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Increased CMOS inverter switching speed with asymmetrical doping : International semiconductor device research symposium; ISDRS 2001 special issue
    Akturk, A. ; Goldsman, N. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 47 (2003), Heft NO 2, S. 185-192
    Konferenz
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Yield evaluation of gold sensor electrodes used for fully electronic DNA detection arrays on CMOS : Reliability of electron devices, failure physics and analysis; ESREF 2002
    Frey, A. ; Hofmann, F. ; et al.
    In: MICROELECTRONICS RELIABILITY, Jg. 42 (2002), Heft NO 9-11, S. 1801-1806
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Reliability analysis of CMOS MEMS structures obtained by front side bulk micromachining : Reliability of electron devices, failure physics and analysis; ESREF 2002
    Dardalhon, M. ; Beroulle, V. ; et al.
    In: MICROELECTRONICS RELIABILITY, Jg. 42 (2002), Heft NO 9-11, S. 1777-1782
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Optical diagnostic of excess I~D~D~Q in low power CMOS circuits : Reliability of electron devices, failure physics and analysis; ESREF 2002
    Stellari, F. ; Song, P. ; et al.
    In: MICROELECTRONICS RELIABILITY, Jg. 42 (2002), Heft NO 9-11, S. 1689-1694
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    CAD navigation system for backside waveform probing of CMOS devices : Reliability of electron devices, failure physics and analysis; ESREF 2002
    Miura, K. ; Nakamae, K. ; et al.
    In: MICROELECTRONICS RELIABILITY, Jg. 42 (2002), Heft NO 9-11, S. 1679-1684
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Trend of CMOS downsizing and its reliability : Reliability of electron devices, failure physics and analysis; ESREF 2002
    Iwai, H. ; Ohmi, S.
    In: MICROELECTRONICS RELIABILITY, Jg. 42 (2002), Heft NO 9-11, S. 1251-1258
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Spacer FinFET: nanoscale double-gate CMOS technology for the terabit era : International semiconductor device research symposium
    Choi, Y. K. ; King, T. J. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 46 (2002), Heft 10, S. 1595-1602
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    A physical model of a CMOS varactor with high capacitance tuning range and its application to simulate integrated VCOs : International semiconductor device research symposium
    Maget, J. ; Kraus, R. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 46 (2002), Heft 10, S. 1609-1616
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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