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    Modeling electron mobility in MBE-grown InAs/AlSb thin films for HEMT applications using neural networks
    Triplett, G. ; May, G. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 46 (2002), Heft 10, S. 1519-1524
    serialPeriodical
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    Surface passivation of AlGaN/GaN HEMTs using MBE-grown MgO or Sc2O3
    Luo, B. ; Johnson, J. W. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 46 (2002), Heft 4, S. 467-476
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Development of a data acquisition and control system for thin film deposition equipment and its application to metals-MBE
    Martin, P. P. ; Alonso, C. E. ; et al.
    In: VACUUM -LONDON THEN OXFORD- PERGAMON-, Jg. 64 (2002), Heft 3-4, S. 373-379
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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    Effect of gate length on DC performance of AlGaN/GaN HEMTs grown by MBE
    Johnson, J. W. ; Baca, A. G. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 45 (2001), Heft 12, S. 1979-1985
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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    The surface metal-insulator phase transition of MBE (100) magnetite thin film
    Soszka, W. ; Kim-Ngan, N. T. ; et al.
    In: VACUUM -LONDON THEN OXFORD- PERGAMON-, Jg. 63 (2001), Heft 1-2, S. 349-354
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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    Low temperature magnetotransport phenomena in modulation-doped Si/Si1-xGex quantum well structures grown by gas-source MBE
    Shin, D. H. ; Kim, S. K. ; et al.
    In: SOLID STATE COMMUNICATIONS, Jg. 115 (2000), Heft 3, S. 121-126
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    The formation of stable ohmic contacts to MBE grown CdTe layers
    Yousaf, M. ; Sands, D. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 44 (2000), Heft 6, S. 923-927
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    MBE growth of high quality GaN on LiGaO'2 for high frequency, high power electronic applications
    Doolittle, W.A. ; Kang, S. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 44 (2000), Heft 2, S. 229-238
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Growth defects associated with MBE deposited GaAs layers
    Kadhim, N.J. ; Mukherjee, D.
    In: VACUUM -LONDON THEN OXFORD- PERGAMON-, Jg. 55 (1999), Heft 3-4, S. 249-253
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    High performance @d-modulation-doped Si/SiGe heterostructure FET's grown by MBE
    Wu, S.L. ; Chang, S.J.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 43 (1999), Heft 7, S. 1313-1316
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Combined use of computational intelligence and materials data for on-line monitoring and control of MBE experiments : Computational Intelligence applied to Materials Processing: Design, Control and Discovery
    Meng, Z. ; Yang, Q. ; et al.
    In: ENGINEERING APPLICATIONS OF ARTIFICIAL INTELLIGENCE, Jg. 11 (1998), Heft 5, S. 587-596
    serialPeriodical
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    A novel wrap-gate-controlled single electron transistor formed on an InGaAs ridge quantum wire grown by selective MBE : Nano Physics and Electronics (NPE 97)
    Okada, H. ; Fujikura, H. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 42 (1998), Heft 7/8, S. 1419-1424
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    model of the Rheed intensity oscillations based on reflectivity of the Mbe grown surface
    Papajova, D. ; Vesely, M.
    In: VACUUM -LONDON THEN OXFORD- PERGAMON-, Jg. 49 (1998), Heft 4, S. 297-302
    serialPeriodical
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Growth of strained Si/Si~1~-~yC~y/Si~1~-~xGe~x structures by MBE : 2nd Swedish Vacuum Meeting, SVM-2
    Joelsson, K. B. ; Ni, W. X. ; et al.
    In: VACUUM -LONDON THEN OXFORD- PERGAMON-, Jg. 49 (1998), Heft 3, S. 185-188
    serialPeriodical
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Low temperature MBE grown AlInAs: investigation of current voltage and low frequency noise behaviour of Schottky diodes
    Meva'a, C. ; Letartre, X. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 41 (1997), Heft 6, S. 857-864
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Photoquenching of the hopping conduction in arsenic-ion-implanted MBE grown GaAs
    Kuriyama, K. ; Kazama, K. ; et al.
    In: SOLID STATE COMMUNICATIONS, Jg. 103 (1997), Heft 3, S. 145-150
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Thermoelectric power of MBE grown Bi thin films and Bi/CdTe superlattices on CdTe substrates
    Cho, S. ; DiVenere, A. ; et al.
    In: SOLID STATE COMMUNICATIONS, Jg. 102 (1997), Heft 9, S. 673-676
    Online serialPeriodical
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Growth of AlN and GaN thin films via OMVPE and gas source MBE and their characterization : Proceedings of the Topical Workshop on III-V Nitrides
    Davis, R. F. ; Weeks, T. W. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 41 (1997), Heft 2, S. 129-134
    Online serialPeriodical
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    Photoluminescence study of silicondoped GaN grown by MBE on GaAs substrates : Proceedings of the Topical Workshop on III-V Nitrides
    Orton, J. W. ; Lacklison, D. E. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 41 (1997), Heft 2, S. 219-222
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    MBE growth and properties of GaN on GaN/SiC substrates : Proceedings of the Topical Workshop on III-V Nitrides
    Johnson, M. A. L. ; Fujita, S. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 41 (1997), Heft 2, S. 213-218
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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