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    Short-Time Hydrogen Passivation of Poly-Si CMOS Thin Film Transistors by High Dose Rate Plasma Ion Implantation : Ion-solid interactions for materials modification and processing
    Qin, S. ; Bernstein, J. D. ; et al.
    In: MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIUM PROCEEDINGS, Jg. 396, S. 515-520
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Manufacturability Issues for Application of Silicides in 0.25 m̆ CMOS Process and Beyond : Silicide thin films: fabrication, properties and applications
    Wang, Q. F. ; Lauwers, A. ; et al.
    In: MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIUM PROCEEDINGS, Jg. 402, S. 221-232
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
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