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    Development of a Prototype CMOS 0.18 μm Low-Noise Amplifier Chip for the Receiving Path of the NB-IoT system
    Kotlyarov, E. Yu. ; Putrya, M. G. ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 52 (2023-12-01), Heft 7, S. 669-676
    Online academicJournal
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    View record at Springer (Volltext)
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    Design of Integrated Voltage Multipliers Using Standard CMOS Technologies
    Sinyukin, A. S. ; Konoplev, B. G. ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 52 (2023-12-01), Heft 6, S. 527-534
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record at Springer (Volltext)
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    Circuit Implementation of Modular Adders in Custom CMOS VLSI and FPGA
    Bibilo, P. N. ; Kirienko, N. A.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 52 (2023-12-01), Heft 7, S. 648-658
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record at Springer (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Design and Evaluation of Low Power CMOS Based Schmitt Trigger Circuits
    Maniteja, Nagella ; Sahithi, Kota ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 52 (2023-12-01), Heft 6, S. 556-564
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record at Springer (Volltext)
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    A High Voltage CMOS Voltage Level Converter for a Low Voltage Process
    Shubin, V. V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 51 (2022-06-01), Heft 3, S. 155-163
    Online academicJournal
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    View record at Springer (Volltext)
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    Speckle Interferometry with CMOS Detector
    Strakhov, I. A. ; Safonov, B. S. ; et al.
    In: Astrophysical Bulletin, Jg. 78 (2023-06-01), Heft 2, S. 234-258
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    View record at Springer (Volltext)
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    Survey on Energy Harvesting CMOS Sensor Based Digital Camera
    Dwik, Shaher ; Lordwin Cecil Prabhaker, M.
    In: Optical Memory and Neural Networks: (Information Optics), Jg. 31 (2022-03-01), Heft 1, S. 97-106
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record at Springer (Volltext)
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    Modeling Silicon Cylindrical CMOS Nanotransistors with a Fully Enclosed Variable-Radius Gate
    Masalsky, N. V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 51 (2022-08-01), Heft 4, S. 220-225
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Effect of Submicron Structural Parameters on the Performance of a Multi-Diode CMOS Compatible Silicon Avalanche Photodetector
    Majumder, K. ; Rakshit, P. ; et al.
    In: Semiconductors, Jg. 54 (2020-09-01), Heft 9, S. 1032-1038
    Online academicJournal
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    Volltext (PDF)
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    Modeling the Characteristics of SOI CMOS Nanotransistors with an Asymmetric Surrounding Gate
    Masal’skii, N. V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 49 (2020-09-01), Heft 5, S. 324-331
    Online academicJournal
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    Charge Collection by CMOS Transistors from Tracks of Single Particles Passing through Layer of Shallow Trench Isolation
    Stenin, V. Ya. ; Katunin, Yu. V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 51 (2022-06-01), Heft 3, S. 181-191
    Online academicJournal
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    Masking Noise Pulses When Collecting a Charge from the Tracks of Single Ionizing Particles in a Majority Element Based on CMOS NAND Logic
    Stenin, V. Ya. ; Katunin, Yu. V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 51 (2022-02-01), Heft 1, S. 36-42
    Online academicJournal
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    Possibilities and Limitations of CMOS Technology for the Production of Various Microelectronic Systems and Devices
    Bespalov, V. A. ; Dyuzhev, N. A. ; et al.
    In: Nanobiotechnology Reports, Jg. 17 (2022-02-01), Heft 1, S. 24-38
    Online academicJournal
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    Investigating the Electrothermal Characteristics of Partially Depleted Submicron SOI CMOS Transistors in an Extended Temperature Range
    Rumyantsev, S. V. ; Novoselov, A. S. ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 49 (2020), Heft 1, S. 30-36
    Online academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Modeling the CMOS Characteristics of a Completely Depleted Surrounding-Gate Nanotransistor and an Unevenly Doped Working Region
    Masal’skii, N. V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 48 (2019-11-01), Heft 6, S. 394-401
    Online academicJournal
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    Inter-Device Radiation-Induced Leakages in the Bulk 180-nm CMOS Technology
    Boruzdina, A. B. ; Gerasimov, Yu. M. ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 48 (2019-07-01), Heft 4, S. 268-272
    Online academicJournal
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    CMOS Majority Element Based on NAND Logic with Reduced Sensitivity to Single Ionizing Particles
    Stenin, V. Ya. ; Katunin, Yu. V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 50 (2021-11-01), Heft 6, S. 394-403
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    CVC Simulation of Ultrathin Soi-Cmos Nanotransistors with a Fully Enclosed Gate
    Masalsky, N. V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 50 (2021-11-01), Heft 6, S. 387-393
    Online academicJournal
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    Design Experience of a Multispeed Transmitter Manufactured by 90-nm CMOS Technology and Intended to Work in the SpaceFibre Serial Channel
    Domozhakov, D. A.
    In: Journal of Communications Technology and Electronics, Jg. 66 (2021-08-01), Heft 8, S. 989-996
    Online academicJournal
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    Development of Data Concentration Method and Its Implementation in a Radiation-Tolerant CMOS Application Specific Integrated Circuit
    Atkin, E. ; Azarov, D. ; et al.
    In: Physics of Particles and Nuclei, Jg. 52 (2021-07-01), Heft 4, S. 752-756
    Online academicJournal
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