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    Modeling the Characteristics of SOI CMOS Nanotransistors with an Asymmetric Surrounding Gate
    Masal’skii, N. V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 49 (2020-09-01), S. 324-331
    Online unknown
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    Methods of Improving the Accuracy of Simulating Delays and Peak Currents of Combinational CMOS-Circuits at the Logical Design Level
    Ivanova, G. A. ; Ryzhova, D. I.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 48 (2019-12-01), S. 477-484
    Online unknown
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    Investigating the Electrothermal Characteristics of Partially Depleted Submicron SOI CMOS Transistors in an Extended Temperature Range
    Masal’skii, N. V. ; Novoselov, A. S. ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 49 (2020), S. 30-36
    Online unknown
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  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Extracting a Logic Gate Network from a Transistor-Level CMOS Circuit
    Cheremisinov, Dmitry I. ; Cheremisinova, Liudmila D.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 48 (2019-05-01), S. 187-196
    Online unknown
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    Investigating the Dynamic Characteristics of High-Temperature SOI CMOS VLSIC Elements
    Ignatov, P. V. ; Shelepin, N. A. ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 47 (2018-05-01), S. 197-200
    Online unknown
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    A System for Logical Design of Custom CMOS VLSI Functional Blocks with Reduced Power Consumption
    Kardash, S. N. ; Yu. Yu. Lankevich ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 47 (2018), S. 65-81
    Online unknown
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    Comparative analysis of CMOS circuits of a thermometer-to-binary encoder for integrated flash analog-to-digital converters
    Budanov, Dmitry O. ; Morozov, Dmitry ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 46 (2017), S. 45-54
    Online unknown
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    CMOS logic elements with increased failure resistance to single-event upsets
    V. Ya. Stenin ; Ol’chev, S. I.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 40 (2011-05-01), S. 156-169
    Online unknown
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    Modeling neutron ionization effects on high-density CMOS circuit elements
    Zebrev, G. I.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 35 (2006-05-01), S. 185-196
    Online unknown
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Fully depleted SOI CMOS logic gates for low-voltage applications
    Masal’skii, N. V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 37 (2008-11-01), S. 410-417
    Online unknown
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Synthesis and investigation of new materials in MIS structures for the development of physical foundations of CMOS technologies of nanoelectronics
    Spiga, Sabina ; Sogoyan, A. V. ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 39 (2010-05-20), S. 165-174
    Online unknown
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Low-voltage arithmetic units based on fully depleted SOI CMOS nanotransistors
    Masal’skii, N. V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 39 (2010), S. 54-62
    Online unknown
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    Designing elements of protection against electrostatic discharges for high-frequency CMOS circuits
    Gubin, Ya. S. ; Gorshkova, N. M. ; et al.
    In: Journal of Communications Technology and Electronics, Jg. 51 (2006), S. 118-121
    Online unknown
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Estimating energy consumption in logical CMOS circuits based on their switching activity
    Bibilo, P. N. ; Kirienko, N. A.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 41 (2012), S. 59-70
    Online unknown
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    A circuit implementation of a single-bit CMOS adder
    Morozov, Dmitry ; Pilipko, Mikhail M.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 42 (2013-03-01), S. 113-118
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Simulation of Transients in a Majority Gate upon Switching and Collecting Charge from the Track of a Single Particle
    Katunin, Yu. V. ; V. Ya. Stenin
    In: Russian Microelectronics, Jg. 49 (2020-09-01), S. 332-344
    Online unknown
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Logical C-Element on STG DICE Trigger for Asynchronous Digital Devices Resistant to Single Nuclear Particles
    Katunin, Yu. V. ; V. Ya. Stenin
    In: Russian Microelectronics, Jg. 48 (2019-05-01), S. 143-156
    Online unknown
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    A Method for the Development of Indicators of a Transient Period Based on Short-Pulse Shapers in Asynchronous Adders
    Starykh, A. A. ; Kovalev, A. V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 47 (2018-11-01), S. 504-509
    Online unknown
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Analysis of characteristics for periodically doped channel field-effect transistors under extreme thermal conditions
    Orlov, O. M. ; Imametdinov, E. F. ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 44 (2015-07-01), S. 231-235
    Online unknown
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    TCAD Simulation of Dose Radiation Effects in Sub-100-nm High-κ MOS Transistor Structures
    Popov, D. A. ; Petrosyants, Konstantin O. ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 47 (2018-11-01), S. 487-493
    Online unknown
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