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    The use of stressed silicon in MOS transistors and CMOS structures
    Neizvestnyi, I. G. ; Gridchin, V. A.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 38 (2009-03-01), S. 71-86
    Online unknown
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    Fabrication and DC/AC Characterization of 3-Terminal Ferromagnet/Silicon Spintronics Devices
    Baron, F. A. ; Smolyarova, T. E. ; et al.
    In: Semiconductors, Jg. 52 (2018-12-01), S. 1875-1878
    Online unknown
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    Selection of optimal parameters of laser radiation for simulating ionization effects in silicon bulk-technology microcircuits
    Gromov, D. V. ; A. Yu. Nikiforov ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 43 (2014-03-01), S. 133-138
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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    Evaluating the effect of temperature on the accuracy of laser simulation of the transient radiation response in semiconductor devices and circuits
    Skorobogatov, P. K. ; Nikiforov, A. Y.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 37 (2008), S. 15-24
    Online unknown
    Zugriff:
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    Generating dynamic microwave chaos in self-oscillating ring system based on complementary metal-oxide-semiconductor structure
    Dmitriev, Alexander S. ; A. Yu. Nikishov ; et al.
    In: Technical Physics Letters, Jg. 36 (2010-05-01), S. 430-432
    Online unknown
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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    Wie komme ich dran?
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