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    Si-CMOS-compatible 2D PtSe<subscript>2</subscript>-based self-driven photodetector with ultrahigh responsivity and specific detectivity
    Ye, Peng ; Xiao, Han ; et al.
    In: Science China Materials, Jg. 66 (2023), Heft 1, S. 193-201
    Online academicJournal
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    CMOS-compatible wafer-scale Si subulate array for superb switching uniformity of RRAM with localized nanofilaments
    Zhang, Ying ; Zhao, Xiaolong ; et al.
    In: Science China Materials, Jg. 65 (2022-06-01), Heft 6, S. 1623-1630
    Online academicJournal
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    Defect evolution in GaN thin film heterogeneously integrated with CMOS-compatible Si(100) substrate by ion-cutting technology
    Shi, Hangning ; Yi, Ailun ; et al.
    In: Science China Information Sciences, Jg. 66 (2023-11-01), Heft 11
    Online academicJournal
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    Modeling and understanding of the frequency dependent HPM upset susceptibility of the CMOS inverter
    Yu, Xin ; Hai ; et al.
    In: Science China Information Sciences, Jg. 58 (2015-08-01), Heft 8, S. 1-11
    Online academicJournal
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    CMOS-compatible retinomorphic Si photodetector for motion detection
    Wu, Yi ; Deng, Wenjie ; et al.
    In: Science China Information Sciences, Jg. 66 (2023-06-01), Heft 6
    Online academicJournal
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    Design of a novel static-triggered power-rail ESD clamp circuit in a 65-nm CMOS process
    Lu, Guangyi ; Wang, Yuan ; et al.
    In: Science China Information Sciences, Jg. 59 (2016-12-01), Heft 12, S. 1-9
    Online academicJournal
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    Comparison of heavy-ion induced SEU for D- and TMR-flip-flop designs in 65-nm bulk CMOS technology
    He, Yi ; Bai ; et al.
    In: Science China Information Sciences, Jg. 57 (2014-10-01), Heft 10, S. 1-7
    Online academicJournal
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    Terahertz detector for imaging in 180-nm standard CMOS process
    Liu, Zhaoyang ; Liu, Liyuan ; et al.
    In: Science China Information Sciences, Jg. 60 (2017-08-01), Heft 8, S. 1-9
    Online academicJournal
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    45-GHz and 60-GHz 90 nm CMOS power amplifiers with a fully symmetrical 8-way transformer power combiner
    Jiang, Zhengdong ; Guo, Kaizhe ; et al.
    In: Science China Information Sciences, Jg. 60 (2017-08-01), Heft 8, S. 1-12
    Online academicJournal
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    Carbon nanotube-based CMOS transistors and integrated circuits
    Xie, Yunong ; Zhang, Zhiyong
    In: Science China Information Sciences, Jg. 64 (2021-10-01), Heft 10
    Online academicJournal
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    Effects of non-fatal electrostatic discharge on the threshold voltage degradation in nano CMOS devices
    Wong, Hei ; Dong, Shurong ; et al.
    In: Science China Information Sciences, Jg. 65 (2022-02-01), Heft 2
    Online academicJournal
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    A Q-band CMOS LNA exploiting transformer feedback and noise-cancelling
    Wu, Jing ; Jiang, Zheng ; et al.
    In: Science China Information Sciences, Jg. 58 (2015-04-01), Heft 4, S. 1-10
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    A CMOS compatible process for monolithic integration of high-aspect-ratio bulk silicon microstructures
    Qian, Liang ; Yang, Zhen ; et al.
    In: Science China Information Sciences, Jg. 57 (2014-08-01), Heft 8, S. 1-7
    Online academicJournal
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    A 6-bit 2 GS/s ADC in 65 nm CMOS
    Wang, Hao ; Nan ; et al.
    In: Science China Information Sciences, Jg. 57 (2014-06-01), Heft 6, S. 1-5
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    A 2.4 GHz low power CMOS transceiver for LR-WPAN applications
    Liu, Wei ; Yang ; et al.
    In: Science China Information Sciences, Jg. 57 (2014-08-01), Heft 8, S. 1-13
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    A 77 GHz FMCW MIMO radar system based on 65nm CMOS cascadable 2T3R transceiver
    Ma, Taikun ; Chen, Zipeng ; et al.
    In: Science China Information Sciences, Jg. 64 (2020-10-28), Heft 1
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    Comparison of the dark signal degradation induced by Gamma ray, proton, and neutron radiation in pinned photodiode CMOS image sensors
    Wang, Zujun ; Xue, Yuanyuan ; et al.
    In: Science China Information Sciences, Jg. 62 (2019-06-01), Heft 6
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    Dependency of well-contact density on MCUs in 65-nm bulk CMOS SRAM
    Xie, Cheng ; Chen, Yueyue ; et al.
    In: Science China Information Sciences, Jg. 62 (2018-10-22), Heft 6
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    An 80–83 GHz CMOS DCO based on DiCAD technique for size, linearity and noise optimization
    Wang, Zhiping ; Jia, Haikun ; et al.
    In: Science China Information Sciences, Jg. 60 (2017-08-01), Heft 8, S. 1-3
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    A low power V-band LC VCO with high Q varactor technique in 40 nm CMOS process
    Zhou, Qian ; Han, Yan ; et al.
    In: Science China Information Sciences, Jg. 60 (2017-08-01), Heft 8, S. 1-3
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