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    Study of latch-up immunization in bulk CMOS integrated circuits exposed to transient ionizing radiation
    Li, Rui ; Bin ; et al.
    In: Science China Technological Sciences, Jg. 55 (2012-11-01), Heft 11, S. 3242-3247
    Online academicJournal
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    CMOS image sensor with optimal video sampling scheme
    Guan, Ning ; Zhang, Xu ; et al.
    In: Science China Information Sciences, Jg. 55 (2012-06-01), Heft 6, S. 1429-1435
    Online academicJournal
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    View record at Springer (Volltext)
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    A fully differential transimpedance amplifier with integrated differential photodetector in standard CMOS process for optical communications and interconnects
    Yu, Chang ; Liang ; et al.
    In: Science China Information Sciences, Jg. 54 (2011-06-01), Heft 6, S. 1300-1311
    Online academicJournal
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    View record at Springer (Volltext)
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    A 630dpi dynamic LED display array in standard Si-based CMOS technology
    Dong, Zan ; Wang, Wei ; et al.
    In: Science China Information Sciences, Jg. 55 (2012-10-01), Heft 10, S. 2409-2416
    Online academicJournal
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    A 12×10 Gb/s fully integrated CMOS parallel optical receiver front-end amplifier array
    Li, Zhi ; Qun ; et al.
    In: Science China Information Sciences, Jg. 55 (2012-06-01), Heft 6, S. 1415-1428
    Online academicJournal
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    A 2 Gb/s optical receiver with monolithically integrated MSM photodetector in standard CMOS process
    Xiao, Xin ; Dong ; et al.
    In: Chinese Science Bulletin, Jg. 56 (2011-07-01), Heft 21, S. 2281-2285
    Online academicJournal
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    Variability in nanoscale CMOS technology
    Kuhn, Kelin
    In: Science China Information Sciences, Jg. 54 (2011-05-01), Heft 5, S. 936-945
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    A novel lambda negative-resistance transistor in the 0.5 μm standard CMOS process
    Chen, Yan ; Mao, Lu ; et al.
    In: Chinese Science Bulletin, Jg. 57 (2012-03-01), Heft 7, S. 716-718
    Online academicJournal
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    A low-noise fully-differential CMOS preamplifier for neural recording applications
    Zhang, Xu ; Pei, Wei ; et al.
    In: Science China Information Sciences, Jg. 55 (2012-02-01), Heft 2, S. 441-452
    Online academicJournal
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    High-performance doping-free carbon-nanotube-based CMOS devices and integrated circuits
    Zhang, Zhi ; Yong ; et al.
    In: Chinese Science Bulletin, Jg. 57 (2012), Heft 2-3, S. 135-148
    Online academicJournal
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    Ultra-thin films and multigate devices architectures for future CMOS scaling
    Deleonibus, Simon
    In: Science China Information Sciences, Jg. 54 (2011-05-01), Heft 5, S. 990-1003
    Online academicJournal
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    Advanced strain engineering for state-of-the-art nanoscale CMOS technology
    Yang, Bin (Frank) ; Cai, Ming
    In: Science China Information Sciences, Jg. 54 (2011-05-01), Heft 5, S. 946-958
    Online academicJournal
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    A 65 mW fully integrated UHF-band CMMB tuner in 65 nm CMOS process
    Liu, Jun ; Hua ; et al.
    In: Science China Information Sciences, Jg. 56 (2013), Heft 1, S. 1-5
    Online academicJournal
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    Implantable CMOS neuro-stimulus chip for visual prosthesis
    Zhang, Xu ; Pei, Wei ; et al.
    In: Science China Information Sciences, Jg. 54 (2011-04-01), Heft 4, S. 898-908
    Online academicJournal
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    4-channel, 40 Gb/s front-end amplifier for parallel optical receiver in 0.18 μm CMOS
    Chen, Ying ; Mei ; et al.
    In: Science China Information Sciences, Jg. 56 (2013-04-01), Heft 4, S. 1-7
    Online academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Novel N-hit single event transient mitigation technique via open guard transistor in 65nm bulk CMOS process
    Huang, Peng ; Cheng ; et al.
    In: Science China Technological Sciences, Jg. 56 (2013-02-01), Heft 2, S. 271-279
    Online academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    A novel layout for single event upset mitigation in advanced CMOS SRAM cells
    Qin, Jun ; Rui ; et al.
    In: Science China Technological Sciences, Jg. 56 (2013), Heft 1, S. 143-147
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    Review of advanced CMOS technology for post-Moore era
    Li, Ming
    In: Science China Physics, Mechanics and Astronomy, Jg. 55 (2012-12-01), Heft 12, S. 2316-2325
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    Device-physics-based analytical model for SET pulse in sub-100 nm bulk CMOS Process
    Qin, Jun ; Rui ; et al.
    In: Science China Information Sciences, Jg. 55 (2012-06-01), Heft 6, S. 1461-1468
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    Research on single event transient pulse quenching effect in 90 nm CMOS technology
    Qin, Jun ; Rui ; et al.
    In: Science China Technological Sciences, Jg. 54 (2011-11-01), Heft 11, S. 3064-3069
    Online academicJournal
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    Wie komme ich dran?
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