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    Growth of cubic InxGa1-xN over whole composition by MBE : Gallium Nitride Materials and Devices XVIII
    Zscherp, M. F. ; Jentsch, S. A. ; et al.
    In: Proceedings of SPIE, the International Society for Optical Engineering, Jg. 12421 (2023), S. 124210B
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Impact of AlN buffer layers on MBE grown cubic GaN layers : Gallium Nitride Materials and Devices XVIII
    Schörmann, Jörg ; Zscherp, Mario F. ; et al.
    In: Proceedings of SPIE, the International Society for Optical Engineering, Jg. 12421 (2023), S. 1242103
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    InAs/GaSb T2SL photodetector grown by MBE for gas imaging beyond infrared atmospheric window : AOPC 2022: Infrared Devices and Infrared Technology; and Terahertz Technology and Applications
    Zhan, Jian L. ; Xu, Jing J. ; et al.
    In: Proceedings of SPIE, the International Society for Optical Engineering, Jg. 12555 (2023), S. 125550K
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Dieser Titel kann aus lizenzrechtlichen Gründen nur im Campusnetz oder nach Anmeldung angezeigt werden!
    Konferenz
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Progress in MBE production of GaSb-based infrared photodetector epiwafers at IQE PA and NC facilities : Infrared Technology and Applications XLVIII
    Fastenau, Joel M. ; Lubyshev, Dmitri ; et al.
    In: Proceedings of SPIE, the International Society for Optical Engineering, Jg. 12107 (2022), S. 121070Z
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Investigation of GaAs MBE growth on FIB-modified Si(100) : International Conference on Micro- and Nano-Electronics 2021
    Eremenko, Mikhail M. ; Shandyba, Nikita A. ; et al.
    In: Proceedings of SPIE, the International Society for Optical Engineering, Jg. 12157 (2022), S. 121571I
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Volume MBE production trends for GaSb-based IR photodetector structures : Infrared Technology and Applications XLVII
    Nelson, Scott A. ; Fasteneau, Joel M. ; et al.
    In: Proceedings of SPIE, the International Society for Optical Engineering, Jg. 11741 (2021), S. 1174111
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Large format multi-wafer production of LWIR photodetector structures on 150mm GaSb substrates by MBE : Infrared Technology and Applications XLVI
    Nelson, S. A. ; Fastenau, J. M. ; et al.
    In: Proceedings of SPIE, the International Society for Optical Engineering, Jg. 11407 (2020), S. 114070F
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Monolithically p-down nitride laser diodes and LEDs obtained by MBE using buried tunnel junction design : Gallium Nitride Materials and Devices XV
    Turski, Henryk ; Bharadwaj, Shyam ; et al.
    In: Proceedings of SPIE, the International Society for Optical Engineering, Jg. 11280 (2020), S. 1128010
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Pump-probe study of ultrafast response of GaAs photocathodes grown by MOCVD and MBE : Ultrafast Phenomena and Nanophotonics XXIV
    Jani, Hemang ; Zhou, Rui ; et al.
    In: Proceedings of SPIE, the International Society for Optical Engineering, Jg. 11278 (2020), S. 112780R
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    In-situ laser interference patterning of MBE growth surfaces : Laser-based Micro- and Nanoprocessing XIV
    Wang, Yun Ran ; Hopkinson, Mark ; et al.
    In: Proceedings of SPIE, the International Society for Optical Engineering, Jg. 11268 (2020), S. 112680U
    Konferenz
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Optimization of technology of long wavelength (λ~13μm) quantum cascade lasers grown by MBE
    Pierscinski, Kamil ; Gutowski, Piotr ; et al.
    In: Novel In-Plane Semiconductor Lasers XXIII, 2024
    Konferenz
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Investigating the lateral carrier diffusion in MBE grown InGaN quantum wells as function of quantum well width
    Becht, Conny ; Schwarz, Ulrich T. ; et al.
    In: Gallium Nitride Materials and Devices XIX, 2024
    Konferenz
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    High-speed MBE-grown 1550 nm wafer-fused VCSELs
    Sapunov, Georgiy ; Tian, Si Cong ; et al.
    In: Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers XXVIII, 2024
    Konferenz
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Design and optimisation of MBE-grown GaAs-based 'W'-lasers for O-band applications
    Duffy, Dominic A. ; Marko, Igor P. ; et al.
    In: Novel In-Plane Semiconductor Lasers XXIII, 2024
    Konferenz
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Antimonite-based gap-engineered type-II superlattice materials grown by MBE and MOCVD for the third generation of infrared imagers : Infrared Technology and Applications XLV
    Razeghi, Manijeh ; Dehzangi, Arash ; et al.
    In: Proceedings of SPIE, the International Society for Optical Engineering, Jg. 11002 (2019), S. 110020G
    Konferenz
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    MBE-grown InGaAs/GaAs quantum-dots on Ge substrate: An idea towards optoelectronic integration on silicon : Quantum Dots and Nanostructures: Growth, Characterization, and Modeling XVI
    Kumar, Raman ; Kumar, Ravinder ; et al.
    In: Proceedings of SPIE, the International Society for Optical Engineering, Jg. 10929 (2019), S. 109290C
    Konferenz
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    MBE-grown GaAs/AlGaAs multiple quantum wells on Ge substrate : Quantum Dots and Nanostructures: Growth, Characterization, and Modeling XVI
    Kumar, Raman ; Kumar, Ravinder ; et al.
    In: Proceedings of SPIE, the International Society for Optical Engineering, Jg. 10929 (2019), S. 1092905
    Konferenz
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Enhanced optical and structural properties of MBE-grown AlGaN nanowires on Si substrate by H-ion implantation and UV ozone treatment : Gallium Nitride Materials and Devices XIV
    Kumar, Raman ; Kumar, Ravinder ; et al.
    In: Proceedings of SPIE, the International Society for Optical Engineering, Jg. 10918 (2019), S. 109180A
    Konferenz
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Wide-temperature-range characterization of 1.55-μm phosphorus-free multiple-quantum-well lasers grown by MBE on InP : Physics and Simulation of Optoelectronic Devices XXVII
    Nazib, Sami Adnan ; Hutchins-Delgado, Troy ; et al.
    In: Proceedings of SPIE, the International Society for Optical Engineering, Jg. 10912 (2019), S. 109120X
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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