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    Growth and Characterization of Carbon Nanopearls on a Si Substrate by CVD Process : Carbon-based electronic materials
    HOUSTON, S ; BROWN, G. J ; et al.
    In: Journal of electronic materials, Jg. 38 (2009), Heft 6, S. 737-741
    Online academicJournal
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    Volltext (PDF)
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    How and why CVD diamond is formed : a solution of the thermodynamic paradox
    PIEKARCZYK, W
    In: Journal of materials science, Jg. 33 (1998), Heft 13, S. 3443-3453
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    Wie komme ich dran?
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    Large-Scale Synthesis of Graphene Films by Joule-Heating-Induced Chemical Vapor Deposition
    JUNG MIN, LEE ; HAE YONG, JEONG ; et al.
    In: Journal of electronic materials, Jg. 39 (2010), Heft 10, S. 2190-2195
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    Wie komme ich dran?
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    Chemical Vapor Deposition of α-Boron Layers on Silicon for Controlled Nanometer-Deep p+n Junction Formation
    SARUBBI, Francesco ; SCHOLTES, Tom L. M ; et al.
    In: Journal of electronic materials, Jg. 39 (2010), Heft 2, S. 162-173
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    Wie komme ich dran?
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    Relationships Between Strain and Recombination in Intermediate Growth Stages of GaN
    ARNATKEVICIUTE, A ; REKLAITIS, I ; et al.
    In: Journal of electronic materials, Jg. 43 (2014), Heft 7, S. 2667-2675
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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    The Effect of Growth Pressure and Growth Rate on the Properties of Mg-Doped GaN
    BINGLEI, FU ; NAIXIN, LIU ; et al.
    In: Journal of electronic materials, Jg. 43 (2014), Heft 4, S. 1244-1248
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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    Reduction of Dislocation Density in HVPE-Grown GaN Epilayers by Using In Situ-Etched Porous Templates
    ZHAO, Z. D ; WANG, B ; et al.
    In: Journal of electronic materials, Jg. 43 (2014), Heft 3, S. 786-790
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    Wie komme ich dran?
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    Effects of Boron Doping on the Properties of Ultrananocrystalline Diamond Films
    YUAN, Wen-Xiang ; WU, Q. X ; et al.
    In: Journal of electronic materials, Jg. 43 (2014), Heft 4, S. 1302-1306
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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    Defect Characterization in Ge/(001)Si Epitaxial Films Grown by Reduced-Pressure Chemical Vapor Deposition
    BHARATHAN, Jayesh ; NARAYAN, Jagdish ; et al.
    In: Journal of electronic materials, Jg. 42 (2013), Heft 10, S. 2888-2896
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Comparative Studies of the Growth and Characterization of Germanium Epitaxial Film on Silicon (001) with 0° and 6° Offcut
    KWANG HONG, LEE ; YEW HENG, TAN ; et al.
    In: Journal of electronic materials, Jg. 42 (2013), Heft 6, S. 1133-1139
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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    The Role of the Nickel Catalyst and Its Chemical and Structural Evolution During Carbon Nanopearl Growth
    PACLEY, S ; MITCHEL, W. C ; et al.
    In: Journal of electronic materials, Jg. 42 (2013), Heft 3, S. 417-425
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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    The Effect of AIN Nucleation Temperature on the Growth of AIN Films via Metalorganic Chemical Vapor Deposition
    WANG, H ; LI, S. L ; et al.
    In: Journal of electronic materials, Jg. 41 (2012), Heft 3, S. 466-470
    Online academicJournal
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    Low-Temperature Epitaxy of Compressively Strained Silicon Directly on Silicon Substrates
    SHAHRJERDI, D ; HEKMATSHOAR, B ; et al.
    In: Journal of electronic materials, Jg. 41 (2012), Heft 3, S. 494-497
    Online academicJournal
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    Volltext (PDF)
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Analysis of InP Regrowth on Deep-Etched Mesas and Structural Characterization for Buried-Heterostructure Quantum Cascade Lasers
    CHENG, Liwei ; JENYU, FAN ; et al.
    In: Journal of electronic materials, Jg. 41 (2012), Heft 3, S. 506-513
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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    In Situ Interferometry of MOCVD-Grown ZnO for Nucleation-Layer-Based Optimization and Nanostructure Formation Monitoring
    BIETHAN, J.-P ; CONSIDINE, L ; et al.
    In: Group III Nitrides, SiC and ZnO, Jg. 40 (2011), Heft 4, S. 453-458
    Online academicJournal
    Zugriff:
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Properties of In-Doped ZnO Films Grown by Metalorganic Chemical Vapor Deposition on GaN(0001) Templates
    BEN-YAACOV, Tammy ; IVE, Tommy ; et al.
    In: Group III Nitrides, Silicon Carbide, and Zinc Oxide, Jg. 39 (2010), Heft 5, S. 608-611
    Online academicJournal
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    Digitally Alloyed Modulated Precursor Flow Epitaxial Growth of Ternary AlGaN with Binary AIN and GaN Sub-Layers and Observation of Compositional Inhomogeneity
    HEE JIN, KIM ; CHOI, Suk ; et al.
    In: Group III Nitrides, Silicon Carbide, and Zinc Oxide, Jg. 39 (2010), Heft 5, S. 466-472
    Online academicJournal
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    Microstructural Investigation of Bilayer Growth of In-and Ga-Rich InGaN Grown by Chemical Vapor Deposition
    PARK, Jiwon ; BAIK, Sung-Il ; et al.
    In: Group III Nitrides, SiC, and ZnO, Jg. 38 (2009), Heft 4, S. 518-522
    Online academicJournal
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    Growth and Characterization of GaN Nanowires for Hydrogen Sensors
    JOHNSON, Jason L ; CHOI, Yongho ; et al.
    In: Group III Nitrides, SiC, and ZnO, Jg. 38 (2009), Heft 4, S. 490-494
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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    Effects of TiN Buffer Layer Thickness on GaN Growth
    ITO, Kazuhiro ; UCHIDA, Yu ; et al.
    In: Group III Nitrides, SiC, and ZnO, Jg. 38 (2009), Heft 4, S. 511-517
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    Wie komme ich dran?
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