Zum Hauptinhalt springen
UB Hagen

Suchergebnisse

UB Katalog

Artikel & mehr
34 Treffer

Suchmaske

Suchtipp für den Bereich Artikel & mehr: Wörter werden automatisch mit UND verknüpft. Eine ODER-Verknüpfung erreicht man mit dem Zeichen "|", eine NICHT-Verknüpfung mit einem "-" (Minus) vor einem Wort. Anführungszeichen ermöglichen eine Phrasensuche.
Beispiele: (burg | schloss) -mittelalter, "berufliche bildung"

Das folgende Suchfeld wird hier nicht unterstützt: "Signatur / Strichcode".

Suchergebnisse einschränken oder erweitern

Aktive Suchfilter

Erscheinungszeitraum

Mehr Treffer

Weniger Treffer

Gefunden in

Art der Quelle

Schlagwort

Publikation

Sprache

34 Treffer

Sortierung: 
  1. Detailansicht für Treffer 1 öffnen
    Growth of silicon thin film by LPE on porous silicon bilayers
    OULD-ABBAS, A ; BOUCHAOUR, M ; et al.
    In: Journal of thermal analysis and calorimetry, Jg. 76 (2004), Heft 2, S. 685-691
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 2 öffnen
    LPE growth of PZNT film using superheating YBCO thin film as seed layer
    QIN, F ; CAI, Y. Q ; et al.
    In: Applied physics. A, Materials science & processing (Print), Jg. 84 (2006), Heft 3, S. 335-339
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Thickness and mosaic morphology of InAs films grown by LPE supercooling technique
    DENG, H. Y ; WANG, Q. W ; et al.
    In: Journal of materials science. Materials in electronics, Jg. 22 (2011), Heft 7, S. 811-814
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    A systematic study on the growth of PZNT films by LPE method
    XINHUA, ZENG ; FEN, QIN ; et al.
    In: Journal of materials science, Jg. 41 (2006), Heft 13, S. 4267-4272
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Conditions for LPE growth of InAs1-x-ySbxBiy/InSb heterostructures
    AKCHURIN, R. KH ; SAKHAROVA, T. V ; et al.
    In: Inorganic materials, Jg. 31 (1995), Heft 11, S. 1298-1302
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Phase diagram and LPE growth of strongly Sn- and Te-doped InGaAs
    KUPHAL, E
    In: Applied physics. A, Solids and surfaces, Jg. 59 (1994), Heft 4, S. 441-443
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    kinetics and edge-growth effects of GaAs LPE layers grown in the Ga-As-Bi system
    PANEK, M ; RATUSZEK, M ; et al.
    In: Journal of materials science, Jg. 21 (1986), Heft 11, S. 3977-3980
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Hall Effect Studies of AlGaAs Grown by Liquid-Phase Epitaxy for Tandem Solar Cell Applications
    XIN, ZHAO ; MONTGOMERY, Kyle H ; et al.
    In: Journal of electronic materials, Jg. 43 (2014), Heft 11, S. 3999-4002
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Epitaxial growth and spectroscopic investigation of BaSO4: Mn6+ layers
    EHRENTRAUT, D ; POLLNAU, M ; et al.
    In: Applied physics. B, Lasers and optics (Print), Jg. 75 (2002), Heft 1, S. 59-62
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Growth and fabrication issues of GaSb-based detectors
    MOHAMMEDY, Farseem M ; DEEN, M. Jamal
    In: Journal of materials science. Materials in electronics, Jg. 20 (2009), Heft 11, S. 1039-1058
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Influences of Te-Rich and Cd-Rich Precipitates of CdZnTe Substrates on the Surface Defects of HgCdTe Liquid-Phase Epitaxy Materials
    FENGFENG, SHENG ; CHANGHE, ZHOU ; et al.
    In: Journal of electronic materials, Jg. 43 (2014), Heft 5, S. 1397-1402
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Effect of rare earth addition on GaAs-based layers grown by liquid phase epitaxy
    KNIKOVSKY, S. I ; POPOV, V. M ; et al.
    In: 10th International Conference on Defects: Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors - DRIP-X, Batz-sur-Mer, France, 29th September-2nd October, 2003, Jg. 27 (2004), Heft 1-3, S. 177-179
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    The coalescence of silicon layers grown over SiO2 by liquid-phase epitaxy. I: Growth and coalescence of defect-free silicon layers
    NAGEL, N ; BANHART, F ; et al.
    In: Applied physics. A, Solids and surfaces, Jg. 57 (1993), Heft 3, S. 249-254
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Microstructure and morphology evolution in chemical solution deposited PbSe films on GaAs(100)
    SHANDALOV, M ; GOLAN, Y
    In: EPJ. Applied physics (Print), Jg. 24 (2003), Heft 1, S. 13-20
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Optimized luminescent properties of GaSb-based heterostructures produced by liquid-phase epitaxy
    ARBENINA, V. V
    In: Inorganic materials, Jg. 38 (2002), Heft 4, S. 331-335
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Application of high pressure-DTA for high pressure-liquid phase epitaxy of doped mercury and thallium HTS formations
    ŁADA, T ; PRZYBYLSKI, K ; et al.
    In: Journal of thermal analysis and calorimetry, Jg. 66 (2001), Heft 2, S. 611-615
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Effect of growth temperature on the structure and properties of Y3Fe5O12 epilayers
    KOSTISHIN, V. G ; MEDVED', V. V ; et al.
    In: Inorganic materials, Jg. 35 (1999), Heft 2, S. 166-169
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    The critical thickness of silicon-germanium layers grown by liquid phase epitaxy
    FÜLLER, T ; KONUMA, M ; et al.
    In: Applied physics. A, Materials science & processing (Print), Jg. 69 (1999), Heft 6, S. 597-603
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Laser deposition of amorphous diamond films from liquid aromatic hydrocarbons
    LYALIN, A. A ; SIMAKIN, A. V ; et al.
    In: Applied physics. A, Materials science & processing (Print), Jg. 68 (1999), Heft 3, S. 373-376
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Liquid phase epitaxy growth of AlxGayIn1-x-yPzAs1-z/GaAs with direct band gap up to 2.0 eV
    XU, Z. L ; XU, W. J ; et al.
    In: Applied physics. A, Materials science & processing (Print), Jg. 66 (1998), Heft 5, S. 565-567
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -