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    Unipolar superlattice structures based on MBE HgCdTe for infrared detection
    Izhnin, I. I. ; Kurbanov, K. R. ; et al.
    In: Applied nanoscience, Jg. 10 (2020), Heft 12, S. 4571-4576
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    Unipolar superlattice structures based on MBE HgCdTe for infrared detection
    Izhnin, I. I. ; Kurbanov, K. R. ; et al.
    In: Applied nanoscience, Jg. 10 (2020), Heft 12, S. 4571-4576
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    Effect of the Crystallographic Orientation of GaSb Films on Their Structural Properties during MBE Heteroepitaxy on Vicinal Si(001) Substrates
    Petrushkov, M. O. ; Abramkin, D. S. ; et al.
    In: Semiconductors, Jg. 54 (2020), Heft 12, S. 1548-1554
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    Unipolar superlattice structures based on MBE HgCdTe for infrared detection
    Izhnin, I. I. ; Kurbanov, K. R. ; et al.
    In: Applied nanoscience, Jg. 10 (2020), Heft 12, S. 4571-4576
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    Temperature Dependence of the Vibrational Mode of Pb1 –xSnxTe Films Grown by MBE on the GaAs/CdTe Hybrid Substrate
    Yakovlev, V. A. ; Schreyeck, S. ; et al.
    In: Bulletin of the Lebedev Physics Institute, Jg. 47 (2020), Heft 1, S. 16-22
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    Niobium doping induced mirror twin boundaries in MBE grown WSe2 monolayers
    Wang, Bo ; Xia, Yipu ; et al.
    In: Nano research, Jg. 13 (2020), Heft 7, S. 1889-1896
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    MBE-Grown InxGa1 –xAs Nanowires with 50% Composition
    Dubrovskii, V. G. ; Reznik, R. R. ; et al.
    In: Semiconductors, Jg. 54 (2020), Heft 6, S. 650-653
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    Localization and Nature of Radiation Donor Defects in the Arsenic Implanted Cdhgte Films Grown by MBE
    Izhnin, I. I. ; Fitsych, O. I. ; et al.
    In: Russian physics journal, Jg. 63 (2020), Heft 2, S. 290-295
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    Investigation of the Effect of Thermal Annealing on the Electrical Properties of the Near-Surface Layer of MBE n-HgCdTe Using MIS Techniques
    Voitsekhovskii, A. V. ; Nesmelov, S. N. ; et al.
    In: Journal of electronic materials, Jg. 49 (2020), Heft 5, S. 3202-3208
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    Infrared MBE-Grown HgCdTe Focal Plane Arrays and Cameras After High Energy Neutron Irradiation
    Chang, Yong ; Velicu, Silviu ; et al.
    In: Journal of electronic materials, Jg. 49 (2020), Heft 11, S. 7000-7006
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    Strained CdZnTe/CdTe Superlattices As Threading Dislocation Filters in Lattice Mismatched MBE Growth of CdTe on GaSb
    Pan, W. W. ; Gu, R. J. ; et al.
    In: Journal of electronic materials, Jg. 49 (2020), Heft 11, S. 6983-6989
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Structural and Magnetic Properties of Nitrogen Acceptor Co-doped (Zn, Fe)Te Thin Films Grown in Zn-Rich Condition by Molecular Beam Epitaxy (MBE)
    Saha, Indrajit ; Tomohiro, Yuta ; et al.
    In: Journal of electronic materials, Jg. 49 (2020), Heft 10, S. 5739-5749
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    High-Performance Growth of Terahertz Quantum Cascade Laser Structures by Solid Source MBE
    Shen, Changle ; Zhan, Zhiqiang ; et al.
    In: Semiconductors, Jg. 54 (2020), Heft 1, S. 131-136
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    MBE growth of InAs/GaAs quantum dots on sintered porous silicon substrates with high optical quality in the 1.3 μm band
    Aouassa, Mansour ; Franzò, Giorgia ; et al.
    In: JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE MATERIALS IN ELECTRONICS, Jg. 31 (2020), Heft 6, S. 4605-4610
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    Influence of Molecular Beam Epitaxy (MBE) Parameters on Catalyst-Free Growth of InAs Nanowires on Silicon (111) Substrate
    Jangir, Suresh K. ; Malik, Hitendra K. ; et al.
    In: Journal of electronic materials, Jg. 48 (2019), Heft 4, S. 2174-2182
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Optical Properties of MBE-Grown Hg1−xCdxSe
    Pan, W. W. ; Zhang, Z. K. ; et al.
    In: Journal of electronic materials, Jg. 48 (2019), Heft 10, S. 6063-6068
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    Demonstration of High-Quality MBE HgCdTe on 8-Inch Wafers
    Reddy, M. ; Jin, X. ; et al.
    In: Journal of electronic materials, Jg. 48 (2019), Heft 10, S. 6040-6044
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    Design and microelectronic analysis of Au/ZnTe:I/CdTe:I/GaAs/In photosensor for optoelectronic applications using MBE technology
    Wasly, H. S. ; Abd El-sadek, M. S. ; et al.
    In: JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE MATERIALS IN ELECTRONICS, Jg. 30 (2019), Heft 5, S. 4936-4942
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    Design and microelectronic analysis of Au/ZnTe:I/CdTe:I/GaAs/In photosensor for optoelectronic applications using MBE technology
    Wasly, H. S. ; Abd El-sadek, M. S. ; et al.
    In: JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE MATERIALS IN ELECTRONICS, Jg. 30 (2019), Heft 5, S. 4936-4942
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    On the Specific Features of the Plasma-Assisted MBE Synthesis of n+-GaN Layers on GaN/c-Al2O3 Templates
    Mizerov, A. M. ; Timoshnev, S. N. ; et al.
    In: Semiconductors, Jg. 53 (2019), Heft 9, S. 1187-1191
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