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    Analyzing the Impact of Different Composite Dielectrics on Performance Parameters of a Magnetic Tunnel Junction Memory Device.
    Sinha, Reshma ; Kaur, Jasdeep
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 51 (2022-10-01), Heft 10, S. 5686-5703
    Online academicJournal
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    Angular Magnetic-Field-Dependent Tunneling Magnetoresistance Controlled by Electric Fields in an MTJ/PMN-PT Multiferroic Heterostructure.
    Wang, Shaoting ; Yang, Yuanjun ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 52 (2023-04-01), Heft 4, S. 2645-2654
    Online academicJournal
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    Effect of 4d and 5d Transition-Metal Insertions to Spin-Dependent Transports in Fe/MgO Superlattices.
    Ando, Shunta ; Pradipto, Abdul-Muizz ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 48 (2019-03-01), Heft 3, S. 1380-1385
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    Tunneling Anisotropic Magnetoresistance in Fe Nanoparticles Embedded in MgO Matrix.
    Pham, T. ; Miwa, S. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 45 (2016-05-01), Heft 5, S. 2597-2600
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    Epitaxial Growth and Surface Roughness Control of Ferromagnetic Thin Films on Si by Sputter Deposition.
    Jianhua Joshua Yang ; Ji, C. X. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 37 (2008-03-01), Heft 3, S. 355-360
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    Probing Tunnel Barrier Shape and Its Effects on Inversed Tunneling Magnetoresistance at High Bias.
    Sheng, Wen-Ting ; Wang, W. G. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 33 (2004-11-01), Heft 11, S. 1274-1279
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    Nondestructive characterization of HgCdTe layers with n-p structures by magneto-thermoelectric measurements.
    Baars, J. ; Brink, D. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 24 (1995-09-01), Heft 9, S. 1311-1319
    Online academicJournal
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