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    Promotion of GaN Crystal Growth with Pre-stirring Using the Na-Flux Method.
    Pan, Ronglin ; Wu, Wenxiao ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 52 (2023-08-01), Heft 8, S. 5466-5472
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record at Springer (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Achievement of polarity reversion from Al(Ga)-polar to N-polar for AlGaN film on AlN seeding layer grown by a novel flow‐modulation technology.
    Zhang, Jin ; Zhang, Xiong ; et al.
    In: Journal of Materials Science: Materials in Electronics, Jg. 32 (2021-03-15), Heft 6, S. 7858-7866
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    View record at Springer (Volltext)
    Siehe Detailanzeige für Volltext
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -