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    Growth and properties of single crystals of Si<subscript>1 − x</subscript>Ge<subscript> x</subscript> (0 < x < 0.35) solid solutions.
    Atabaev, I. G. ; Matchanov, N. A. ; et al.
    In: Technical Physics Letters, Jg. 36 (2010-02-01), Heft 2, S. 115-118
    Online academicJournal
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    Properties of amorphous Si<subscript>1 − x</subscript>Ge<subscript> x</subscript>:H ( x = 0−1) films.
    Najafov, B. ; Isakov, G.
    In: Inorganic Materials, Jg. 45 (2009-07-01), Heft 7, S. 711-716
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    Distribution of germanium in Si<subscript>1 − x</subscript>Ge<subscript> x</subscript> ( x < 0.1) layers grown on the Si(001) substrate as a function of layer thickness.
    Bagaev, V. S. ; Krivobok, V. S. ; et al.
    In: Journal of Experimental & Theoretical Physics, Jg. 109 (2009-12-01), Heft 6, S. 997-1010
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    Determination of Total Ge Content in Bi<subscript> 2−x</subscript>Ge<subscript> x</subscript>Se<subscript>3</subscript> Monocrystals by Wavelength Dispersive X-Ray Fluorescence Spectrometry.
    Pouzar, Miloslav ; Černohorský, Tomáš ; et al.
    In: Microchimica Acta, Jg. 140 (2002-11-01), Heft 3/4, S. 171-174
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    Thermodynamic Properties of Melts in the Eu–Ge System.
    Shevchuk, V. A. ; Romanova, L. O. ; et al.
    In: Powder Metallurgy & Metal Ceramics, Jg. 62 (2023-11-01), Heft 7/8, S. 481-489
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    Density functional theory study of mechanism of forming a spiro-Ge-heterocyclic ring compound from MeGe=Ge: and acetone.
    Lu, Xiuhui ; Li, Yongqing ; et al.
    In: Research on Chemical Intermediates, Jg. 41 (2015), Heft 1, S. 235-243
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    Effects of Ge on Microstructure, Spreadability, and Mechanical Properties of the Sn-32Pb-18Cd Solder Alloy.
    Li, Kangli ; Lin, Jian ; et al.
    In: Journal of Materials Engineering & Performance, Jg. 29 (2020-07-01), Heft 7, S. 4541-4548
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    Effects of deposition temperature and pressure of the surface roughness and the grain size of polycrystalline Si1−xGex films.
    Lee, S. H. ; So, M. G.
    In: Journal of Materials Science, Jg. 35 (2000-10-01), Heft 19, S. 4789-4794
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    Effect of different chemical treatments of surface on the height of Al- p-SiGe and Au- n-SiGe barriers.
    Atabaev, I. G. ; Matchanov, N. A. ; et al.
    In: Semiconductors, Jg. 44 (2010-05-01), Heft 5, S. 605-609
    Online academicJournal
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