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    Analysis of a Direct-Bandgap GeSn-Based MQW Transistor Laser for Mid-Infrared Applications.
    Basu, Rikmantra ; Kaur, Jaspinder ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 48 (2019-10-01), Heft 10, S. 6335-6346
    Online academicJournal
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    A simple model for optimization design of high performance In<subscript>l--x--y</subscript>Ga<subscript>y</subscript>Al<subscript>x</subscript>As strained MQW DFB lasers.
    Zhang, Y. J. ; Zhu, L. ; et al.
    In: Optical & Quantum Electronics, Jg. 35 (2003-07-01), Heft 9, S. 879-886
    Online academicJournal
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    Fabrication and modulation characteristics of InGaAsP/InGaAsP MQW DCPBH lasers at λ ∼ 1.57 μm.
    Park, S. W. ; Park, S. S. ; et al.
    In: Applied Physics B: Lasers & Optics, Jg. 90 (2008), Heft 1, S. 55-59
    Online academicJournal
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    A numerical study of characteristic temperature of short-cavity 1.3-μm AlGaInAs/InP MQW lasers.
    Hsieh, S. W. ; Kuo, Y. K.
    In: Applied Physics A: Materials Science & Processing, Jg. 82 (2006-02-01), Heft 2, S. 287-292
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    Performance improvement of nitride semiconductor-based deep-ultraviolet laser diodes with superlattice cladding layers.
    Xu, Yuan ; Zhang, Pengfei ; et al.
    In: European Physical Journal D (EPJ D), Jg. 76 (2022-10-01), Heft 10, S. 1-8
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    Study of all-group-IV SiGeSn mid-IR lasers with dual wavelength emission.
    Abernathy, Grey ; Ojo, Solomon ; et al.
    In: Scientific Reports, Jg. 13 (2023-10-28), Heft 1, S. 1-7
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    Effect of quantum well thickness and temperature on electrical and optical characteristics of transistor laser using group-IV material.
    Kaur, Jaspinder ; Basu, Rikmantra ; et al.
    In: Optical & Quantum Electronics, Jg. 55 (2023-06-01), Heft 6, S. 1-16
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    Lateral carrier confinement and threshold current reduction in InGaN QW lasers with deeply etched mesa.
    Satter, Md. ; Yoder, Paul
    In: Optical & Quantum Electronics, Jg. 42 (2011-10-01), Heft 11-13, S. 747-754
    Online academicJournal
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    Optimization of Active Region for 1.3-µm GaInAsP Compressive-Strain Multiple-Quantum-Well Ridge Waveguide Laser Diodes.
    Lei, Po-Hsun ; Yang, Chyi-Dar ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 35 (2006-02-01), Heft 2, S. 243-249
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    Tunnel injection transistor laser for optical interconnects.
    Kumar, Neetesh ; Mukhopadhyay, Bratati ; et al.
    In: Optical & Quantum Electronics, Jg. 50 (2018-03-01), Heft 3, S. 1-1
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    Numerical analysis of thermal effects in InGaAs system vertical-external-cavity surface-emitting laser.
    Zhang, Peng ; Song, Yan-Rong ; et al.
    In: Optical Review, Jg. 18 (2011-07-01), Heft 4, S. 317-323
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    Control of chaos in an external-cavity multi-quantum- well laser subjected to dual-wedges and optical dual-feedback.
    SenLin, Yan
    In: Chinese Science Bulletin, Jg. 54 (2009-04-01), Heft 7, S. 1158-1163
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    Lateral Current Injection (LCI) Multiple Quantum-Well 1.55 µm Laser with Improved Gain Uniformity Across the Active Region.
    Akram, M.
    In: Optical & Quantum Electronics, Jg. 36 (2004-07-01), Heft 9, S. 827-846
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