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    On the Realization of Current-Mode Four-Quadrant CMOS Fractional Power and Cube-Root Converter.
    Srivastava, Pushkar ; Sharma, R. K. ; et al.
    In: Arabian Journal for Science & Engineering (Springer Science & Business Media B.V. ), Jg. 47 (2022-11-01), Heft 11, S. 13837-13855
    Online academicJournal
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    On the realisation of current-mode four-quadrant CMOS cuber.
    Srivastava, Pushkar ; Sharma, Ravindra K. ; et al.
    In: Analog Integrated Circuits & Signal Processing, Jg. 99 (2019-04-01), Heft 1, S. 47-61
    Online academicJournal
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    Nanowire Array-based MOSFET for Future CMOS Technology to Attain the Ultimate Scaling Limit.
    Bhol, Krutideepa ; Nanda, Umakanta
    In: SILICON (1876990X), Jg. 14 (2022-02-01), Heft 3, S. 1169-1177
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record at Springer (Volltext)
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    Adaptively-biased MOSFET for low voltage CMOS analog circuits.
    Sato, Hiroki ; Takagi, Shigetaka
    In: Analog Integrated Circuits & Signal Processing, Jg. 72 (2012-09-01), Heft 3, S. 557-563
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record at Springer (Volltext)
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    A Sub- $${100\,\hbox {ppm}/{^{\circ }\hbox {C}}}$$ Temperature-Compensated High-Frequency CMOS Relaxation Oscillator.
    Sakphrom, Siraporn ; Georgiou, Pantelis ; et al.
    In: Circuits, Systems & Signal Processing, Jg. 35 (2016), Heft 1, S. 29-42
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record at Springer (Volltext)
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    Current Consumption and Power Integrity of CMOS Digital Circuits Under NBTI Wearout.
    Ruiz, J. ; Fernández-Garcia, R. ; et al.
    In: Journal of Electronic Testing, Jg. 28 (2012-12-01), Heft 6, S. 865-868
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record at Springer (Volltext)
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    Mobility Enhancement Technology for Scaling of CMOS Devices: Overview and Status
    Yin, Haizhou ; Zhong, Huicai ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 40, Heft 7, S. 1584-1612
    Online unknown
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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    A novel lambda negative-resistance transistor in the 0.5 μm standard CMOS process
    Zhang, Shilin ; Yu, Xin ; et al.
    In: Chinese Science Bulletin, Jg. 57, Heft 7, S. 716-718
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
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    Ge N-Channel MOSFETs with ZrO2 Dielectric Achieving Improved Mobility.
    Chou, Lulu ; Liu, Yan ; et al.
    In: Nanoscale Research Letters, Jg. 16 (2021-08-04), Heft 1, S. 1-6
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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    An improved CMOS-based inductor simulator with simplified structure for low-frequency applications.
    Zhong, Longjie ; Lai, Xinquan ; et al.
    In: Journal of Computational Electronics, Jg. 15 (2016-09-01), Heft 3, S. 1017-1022
    Online academicJournal
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    Simulation of statistical variability in nano-CMOS transistors using drift-diffusion, Monte Carlo and non-equilibrium Green’s function techniques.
    Asenov, Asen ; Brown, Andrew ; et al.
    In: Journal of Computational Electronics, Jg. 8 (2009-10-01), Heft 3/4, S. 349-373
    Online academicJournal
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    A Novel Low Delay High-Voltage Level Shifter with Transient Performance Insensitive to Parasitic Capacitance and Transfer Voltage Level.
    Lai, Xinquan ; Zhong, Longjie ; et al.
    In: Circuits, Systems & Signal Processing, Jg. 36 (2017-09-01), Heft 9, S. 3598-3615
    Online academicJournal
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    A floating memristor emulator for analog and digital applications with experimental results.
    Suresha, B. ; Shankar, Chandra ; et al.
    In: Analog Integrated Circuits & Signal Processing, Jg. 118 (2024), Heft 1, S. 77-90
    Online academicJournal
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    Single OTA-based tunable resistorless grounded memristor emulator and its application.
    Kumar, Keshab ; Nagar, Bal Chand ; et al.
    In: Journal of Computational Electronics, Jg. 22 (2023-02-01), Heft 1, S. 549-559
    Online academicJournal
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    Design and Analysis of Junctionless FinFET with Gaussian Doped for Non-polar Structure.
    Kumar, E. Sathish ; Kumar P, Suresh ; et al.
    In: SILICON (1876990X), Jg. 14 (2022-09-01), Heft 14, S. 8439-8447
    Online academicJournal
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    TCAD simulations and accurate extraction of reliability-aware statistical compact models.
    Ding, Jie ; Asenov, Asen
    In: Journal of Computational Electronics, Jg. 19 (2020-03-01), Heft 1, S. 359-366
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    Performance Enhancement of GAA Multi-Gate Nanowire with Asymmetric Hetero-Dielectric Oxide.
    Yadav, Ritu ; Ahuja, Kiran ; et al.
    In: SILICON (1876990X), Jg. 14 (2022-04-01), Heft 5, S. 1935-1946
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    The design and simulation of a MOSFET-based MEMS pressure sensor using an integrated simulation approach.
    Wolde, Workneh ; Gupta, Pallavi
    In: Journal of Computational Electronics, Jg. 20 (2021-06-01), Heft 3, S. 1387-1399
    Online academicJournal
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    MOS-Only Memristor Emulator.
    Srivastava, Pushkar ; Gupta, R. K. ; et al.
    In: Circuits, Systems & Signal Processing, Jg. 39 (2020-11-01), Heft 11, S. 5848-5861
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    Si nanowire FET and its modeling.
    Iwai, Hiroshi ; Natori, Kenji ; et al.
    In: SCIENCE CHINA Information Sciences, Jg. 54 (2011-05-01), Heft 5, S. 1004-1011
    Online academicJournal
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