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    Study of Stark Effect in n-doped 1.55 μm InN0.92yP1−1.92yBiy/InP MQWs.
    Bilel, C. ; Chakir, K. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 47 (2018-08-01), Heft 8, S. 4757-4763
    Online academicJournal
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    Analysis of a Direct-Bandgap GeSn-Based MQW Transistor Laser for Mid-Infrared Applications.
    Basu, Rikmantra ; Kaur, Jaspinder ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 48 (2019-10-01), Heft 10, S. 6335-6346
    Online academicJournal
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    Electrical Properties of Dilute Nitride GaAsPN/GaPN MQW p- i- n Diode.
    Sertel, T. ; Ozen, Y. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 46 (2017-07-01), Heft 7, S. 4590-4595
    Online academicJournal
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    Effect of SiN Treatment on Optical Properties of InGaN/GaN MQW Blue LEDs.
    Benzarti, Z. ; Sekrafi, T. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 46 (2017-07-01), Heft 7, S. 4312-4320
    Online academicJournal
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    Carrier trapping and escape times in p-i-n GaInNAs MQW structures.
    Khalil, Hagir ; Balkan, Naci
    In: Nanoscale Research Letters, Jg. 9 (2014-12-01), Heft 1, S. 1-4
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    The Optical Gain of a Si-Based Lattice-Matched SiGeSn/SiGeSn MQW Laser.
    Ma, Jinge ; Zhang, Junqin ; et al.
    In: Journal of Russian Laser Research, Jg. 38 (2017), Heft 1, S. 76-83
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    Role of Strain-Induced Microscale Compositional Pulling on Optical Properties of High Al Content AlGaN Quantum Wells for Deep-Ultraviolet LED.
    Lu, Shiqiang ; Luo, Zongyan ; et al.
    In: Nanoscale Research Letters, Jg. 17 (2022-01-15), Heft 1, S. 1-11
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    The Atomic Rearrangement of GaN-Based Multiple Quantum Wells in H2/NH3 Mixed Gas for Improving Structural and Optical Properties.
    Ben, Yuhao ; Liang, Feng ; et al.
    In: Nanoscale Research Letters, Jg. 16 (2021-11-02), Heft 1, S. 1-8
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    Impedance Characteristics of a Bi-section Gain Lever Laser Diode for 5G Applications.
    Ashok, P. ; Madhan, M. Ganesh
    In: Arabian Journal for Science & Engineering (Springer Science & Business Media B.V. ), Jg. 48 (2023-06-01), Heft 6, S. 8181-8188
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    Integrated MQW intermixed InGaAsP/InP waveguide photodiodes.
    Bhowmick, Tathagata ; Das, Utpal
    In: Optical & Quantum Electronics, Jg. 42 (2010-01-15), Heft 2, S. 109-120
    Online academicJournal
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    Performance Enhancement of GeSn Transistor Laser with Symmetric and Asymmetric Multiple Quantum Well in the Base.
    Ghosh, Soumava ; Mukhopadhyay, Bratati ; et al.
    In: Semiconductors, Jg. 54 (2020), Heft 1, S. 77-84
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    Epitaxial Growth and Optically Pumped Stimulated Emission in AlGaN/InGaN Ultraviolet Multi-Quantum-Well Structures.
    Chen, Ping ; Park, Young Jae ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 49 (2020-04-01), Heft 4, S. 2326-2331
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    Metastable states in InGaN/GaN MQW structures doped with Sm, Eu, and Eu + Sm.
    Mezdrogina, M. ; Kozhanova, Yu.
    In: Semiconductors, Jg. 47 (2013-04-01), Heft 4, S. 501-510
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    Modeling of vertical external cavity semiconductor laser with MQW resonant structure.
    Napartovich, A. ; Elkin, N. ; et al.
    In: Optical & Quantum Electronics, Jg. 42 (2011-10-01), Heft 11-13, S. 765-770
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    On optimum designs of a RCE Si/SiGe/Si MQW photodetector for long wavelength applications.
    Das, Mukul K. ; Das, N. R.
    In: Optical & Quantum Electronics, Jg. 41 (2009-05-01), Heft 7, S. 539-549
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    The equation for energy eigenvalues in MQW structures with an arbitrary number of quantum wells.
    Maĭer, A.
    In: Doklady Physics, Jg. 51 (2006-04-01), Heft 4, S. 175-179
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    A numerical study of characteristic temperature of short-cavity 1.3-μm AlGaInAs/InP MQW lasers.
    Hsieh, S. W. ; Kuo, Y. K.
    In: Applied Physics A: Materials Science & Processing, Jg. 82 (2006-02-01), Heft 2, S. 287-292
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    Stacking of ZnSe/ZnCdSe Multi-Quantum Wells on GaAs (100) by Epitaxial Lift-Off.
    Eldose, N. M. ; Zhu, J. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 47 (2018-08-01), Heft 8, S. 4366-4369
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    Study of Stark Effect in n-doped 1.55 μm InN<subscript>0.92y</subscript>P<subscript>1−1.92y</subscript>Bi<subscript>y</subscript>/InP MQWs.
    Bilel, C. ; Chakir, K. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 47 (2018-08-01), Heft 8, S. 4757-4763
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    Photoluminescence spectra of MOCVD-grown P-doped GaAS/Al[sub x] Ga[sub 1-x] As MQW.
    Adelabu, J. S. A.
    In: Applied Physics A: Materials Science & Processing, Jg. 62 (1996), Heft 1, S. 83-85
    Online academicJournal
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