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    A Thrifty Liquid-Phase Exfoliation (LPE) of MoSe2 and WSe2 Nanosheets as Channel Materials for FET Application.
    Sharma, Rohit ; Dawar, Anit ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 52 (2023-04-01), Heft 4, S. 2819-2830
    Online academicJournal
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    Volltext (PDF)
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    Temperature-dependent electron Hall mobility in LPE-grown InPBi/InP epilayers.
    Sharma, Akant Sagar ; Malathi, N. ; et al.
    In: Journal of Materials Science: Materials in Electronics, Jg. 34 (2023-02-15), Heft 5, S. 1-8
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Siehe Detailanzeige für Volltext
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    Developments and Process Improvements Leading to High-Quality and Large-Area HgCdTe LPE Detectors.
    Vilela, Mauro F. ; Hogan, Jack ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 52 (2023-11-01), Heft 11, S. 7046-7053
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record at Springer (Volltext)
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    Analysis of thermodynamic conditions to grow GaAsP epitaxial layers by LPE on GaAs and GaP substrates
    Galván Montalvo, Juan Adrián ; Silva Juárez, Claudia Verónica ; et al.
    In: MRS advances, Jg. 5 (2020), Heft 63, S. 3327-3335
    serialPeriodical
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    Dieser Titel kann aus lizenzrechtlichen Gründen nur im Campusnetz oder nach Anmeldung angezeigt werden!
    academicJournal
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    The clinical usefulness of the new LPE specifier for subtyping adolescents with conduct disorder in the DSM 5.
    Jambroes, Tijs ; Jansen, Lucres ; et al.
    In: European Child & Adolescent Psychiatry, Jg. 25 (2016-08-01), Heft 8, S. 891-902
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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    Modification of Photovoltaic Laser-Power (λ = 808 nm) Converters Grown by LPE
    Khvostikov, V. P. ; Sorokina, S. V. ; et al.
    In: Semiconductors, Jg. 52 (2018), Heft 3, S. 366-370
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Photovoltaic Laser-Power Converters Based on LPE-Grown InP(GaAs)/InP Heterostructures
    Potapovich, N. S. ; Timoshina, N. Kh. ; et al.
    In: Technical physics letters, Jg. 44 (2018), Heft 9, S. 820-822
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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    Processing of LPE-Grown HgCdTe for MWIR Devices Designed for High Operating Temperatures.
    Schirmacher, W. ; Wollrab, R. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 43 (2014-08-01), Heft 8, S. 2778-2782
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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    Effect of Lattice Mismatch on HgCdTe LPE Film Surface Morphology.
    Sun, Quanzhi ; Wei, Yanfeng ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 45 (2016-09-01), Heft 9, S. 4674-4679
    Online academicJournal
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    Volltext (PDF)
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Characteristics of Au Migration and Concentration Distributions in Au-Doped HgCdTe LPE Materials.
    Sun, Quanzhi ; Yang, Jianrong ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 44 (2015-08-01), Heft 8, S. 2773-2778
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Thickness and mosaic morphology of InAs films grown by LPE supercooling technique.
    Deng, H. Y. ; Wang, Q. W. ; et al.
    In: Journal of Materials Science: Materials in Electronics, Jg. 22 (2011-07-01), Heft 7, S. 811-814
    Online academicJournal
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    Volltext (PDF)
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Infinite-Melt Vertical Liquid-Phase Epitaxy of HgCdTe from Hg Solution: from VLWIR to SWIR.
    Vilela, Mauro F. ; Hogan, Jack ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 51 (2022-09-01), Heft 9, S. 4731-4741
    Online academicJournal
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    A Thrifty Liquid-Phase Exfoliation (LPE) of MoSe<subscript>2</subscript> and WSe<subscript>2</subscript> Nanosheets as Channel Materials for FET Application.
    Sharma, Rohit ; Dawar, Anit ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 52 (2023-04-01), Heft 4, S. 2819-2830
    Online academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Growth of silicon thin film by LPE on porous silicon bilayers.
    A.Ould-Abbas ; Bouchaour, M. ; et al.
    In: Journal of Thermal Analysis & Calorimetry, Jg. 76 (2004-05-01), Heft 2, S. 685-691
    Online academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Promotion of GaN Crystal Growth with Pre-stirring Using the Na-Flux Method.
    Pan, Ronglin ; Wu, Wenxiao ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 52 (2023-08-01), Heft 8, S. 5466-5472
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    LPE growth of InP/InGaAsP/InP heterostructures and separate preparation of high-temperature solutions.
    Vasil’ev, M. ; Vasil’ev, A. ; et al.
    In: Inorganic Materials, Jg. 43 (2007-07-01), Heft 7, S. 683-688
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    LPE growth of PZNT film using superheating YBCO thin film as seed layer.
    Qin, F. ; Cai, Y. Q. ; et al.
    In: Applied Physics A: Materials Science & Processing, Jg. 84 (2006-08-01), Heft 3, S. 335-339
    Online academicJournal
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Production of double-layer epitaxial structures based on the solid solution of the Cd-Hg-Te system using a combination of LPE and MOCVD techniques.
    Kotkov, A. ; Grishnova, N. ; et al.
    In: Inorganic Materials, Jg. 44 (2008-11-01), Heft 12, S. 1305-1311
    Online academicJournal
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    Gallium Phosphide Solar Cell Structures with Improved Quantum Efficiencies.
    Siao, Hui-Ying ; Bunk, Ryan J. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 49 (2020-06-01), Heft 6, S. 3435-3440
    Online academicJournal
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