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    Growth, defects, mechanical, and optical properties of transparent KTaO3 single crystal.
    Hu, Lunzhen ; Sun, Dunlu ; et al.
    In: Journal of Materials Science: Materials in Electronics, Jg. 33 (2022-06-01), Heft 16, S. 13051-13063
    Online academicJournal
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    Lattice relaxation effect in RbxMA(1−x)PbBr3 single crystal to enhance optoelectronic performance of perovskite photodetectors.
    Qiu, Xin ; Li, Lei ; et al.
    In: Journal of Materials Science: Materials in Electronics, Jg. 33 (2022-03-01), Heft 7, S. 3438-3451
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    Crystal quality improvement of sputtered AlN film on sapphire substrate by high-temperature annealing.
    Zhao, Lu ; Yang, Kun ; et al.
    In: Journal of Materials Science: Materials in Electronics, Jg. 29 (2018-08-15), Heft 16, S. 13766-13773
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    Promotion of GaN Crystal Growth with Pre-stirring Using the Na-Flux Method.
    Pan, Ronglin ; Wu, Wenxiao ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 52 (2023-08-01), Heft 8, S. 5466-5472
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    Achievement of polarity reversion from Al(Ga)-polar to N-polar for AlGaN film on AlN seeding layer grown by a novel flow‐modulation technology.
    Zhang, Jin ; Zhang, Xiong ; et al.
    In: Journal of Materials Science: Materials in Electronics, Jg. 32 (2021-03-15), Heft 6, S. 7858-7866
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    The crystallographic quality and band-edge transition of as-deposited PALE AlN films via metal organic chemical vapor deposition.
    Abd Rahman, Mohd Nazri ; Shuhaimi, Ahmad ; et al.
    In: Journal of Materials Science: Materials in Electronics, Jg. 32 (2021-02-01), Heft 3, S. 3211-3221
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    Growth, defects, mechanical, and optical properties of transparent KTaO<subscript>3</subscript> single crystal.
    Hu, Lunzhen ; Sun, Dunlu ; et al.
    In: Journal of Materials Science: Materials in Electronics, Jg. 33 (2022-06-01), Heft 16, S. 13051-13063
    Online academicJournal
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    Lattice relaxation effect in Rb<subscript>x</subscript>MA<subscript>(1−x)</subscript>PbBr<subscript>3</subscript> single crystal to enhance optoelectronic performance of perovskite photodetectors.
    Qiu, Xin ; Li, Lei ; et al.
    In: Journal of Materials Science: Materials in Electronics, Jg. 33 (2022-03-01), Heft 7, S. 3438-3451
    Online academicJournal
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    Growth, thermal properties and laser performance of Er,Pr:Y2.8Sc1Al4.2O12: a promising multi-wavelength laser crystal.
    Ma, Zhenzhen ; Chen, Yuanzhi ; et al.
    In: Applied Physics A: Materials Science & Processing, Jg. 127 (2021-07-01), Heft 7, S. 1-9
    Online academicJournal
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    Attractive and repulsive residue fragments at the interface of SARS-CoV-2 and hACE2.
    Rodriguez, Jorge H.
    In: Scientific Reports, Jg. 11 (2021-06-15), Heft 1, S. 1-12
    Online academicJournal
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    Sputtering of ZnO buffer layer on Si for GaN blue light emitting materials.
    He, Hongbo ; Fan, Zhengxiu ; et al.
    In: Science in China. Series E: Technological Sciences, Jg. 43 (2000-12-01), Heft 1, S. 55-59
    Online academicJournal
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    X-ray channeling technique using anomalous transmission and its application to si micro-defects induced by heat treatment.
    Kishino, SeigÔ
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 7 (1978-11-01), Heft 6, S. 727-736
    Online academicJournal
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    A Secure and Efficient Authenticated Diffie–Hellman Protocol.
    Sarr, Augustin P. ; Elbaz-Vincent, Philippe ; et al.
    In: Public Key Infrastructures, Services & Applications; (2010) S. 83-98
    Buch
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    XRCJ: Supporting Keyword Search in XML and Relation Co-occurrence.
    Zhang, Song ; Du, Xiaoyong
    In: Web-age Information Management (9783642167195); (2010) S. 156-165
    Buch
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    The growth and properties of an m-plane InN epilayer on LiAlO (100) by metal-organic chemical vapor deposition.
    Xie, Zi ; Li ; et al.
    In: SCIENCE CHINA Physics, Mechanics & Astronomy, Jg. 55 (2012-07-01), Heft 7, S. 1249-1252
    Online academicJournal
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    Recent advances in the growth, doping and characterization of III-V nitride thin films.
    Helbig, Reinhard ; Davis, Robert F. ; et al.
    In: Advances in Solid State Physics 35; (1995) S. 1-24
    Buch
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    Comparative Study on MOCVD Growth of a-Plane GaN Films on r-Plane Sapphire Substrates Using GaN, AlGaN, and AlN Buffer Layers.
    Dai, J. N. ; Wu, Z. H. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 38 (2009-09-01), Heft 9, S. 1938-1943
    Online academicJournal
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    FPGA-based architecture for hardware compression/decompression of wide format images.
    Akil, M. ; Perroton, L. ; et al.
    In: Journal of Real-Time Image Processing, Jg. 1 (2006-12-01), Heft 2, S. 163-170
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    Development of a robot system for complex surfaces polishing based on CL data.
    Feng-yun, Lin ; Tian-sheng, Lü
    In: International Journal of Advanced Manufacturing Technology, Jg. 26 (2005-11-01), Heft 9/10, S. 1132-1137
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    Reduced z-axis technique for CT Pulmonary angiography in pregnancy--validation for practical use and dose reduction.
    Shahir, Kaushik ; McCrea, Jonathan ; et al.
    In: Emergency Radiology, Jg. 22 (2015-12-01), Heft 6, S. 651-656
    Online academicJournal
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