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    Lattice Relaxation and Dislocation Reduction in MBE CdTe(211)B/Ge(211)
    Badano, Giacomo ; Gergaud, Patrice ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 39 (2010-07-01), Heft 7, S. 908-911
    Online academicJournal
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    Flexibility of p-n Junction Formation from SWIR to LWIR Using MBE-Grown Hg(1-x)CdxTe on Si Substrates.
    Vilela, M. F. ; Harris, S. F. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 38 (2009-08-01), Heft 8, S. 1755-1763
    Online academicJournal
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    HgCdTe p-on-n Focal-Plane Array Fabrication Using Arsenic Incorporation During MBE Growth.
    Gravrand, O. ; Ballet, Ph ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 38 (2009-08-01), Heft 8, S. 1684-1689
    Online academicJournal
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    MBE HgCdTe on Alternative Substrates for FPA Applications.
    He, Li ; Fu, Xiangliang ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 37 (2008-09-01), Heft 9, S. 1189-1199
    Online academicJournal
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    MBE Growth of HgCdTe on Large-Area Si and CdZnTe Wafers for SWIR, MWIR and LWIR Detection.
    Reddy, M. ; Peterson, J. M. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 37 (2008-09-01), Heft 9, S. 1274-1282
    Online academicJournal
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    Thermoelectric Characteristics in MBE-Grown HgCdTe-Based Superlattices.
    Velicu, S. ; Grein, C. H. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 37 (2008-09-01), Heft 9, S. 1504-1508
    Online academicJournal
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    Integrated multi-sensor system for real-time monitoring and control of HgCdTe MBE.
    Olson, G. L. ; Roth, J. A. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 28 (1999-06-01), Heft 6, S. 749-755
    Online academicJournal
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    Integrated multi-sensor control of II-VI MBE for growth of complex IR detector structures.
    Jensen, J. E. ; Roth, J. A. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 27 (1998-06-01), Heft 6, S. 494-499
    Online academicJournal
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    MBE-Grown II-VI and Related Nanostructures.
    Sou, I. K. ; Lok, S. K. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 39 (2010-07-01), Heft 7, S. 882-892
    Online academicJournal
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    A Study of Sidewall Effects in HgCdTe Photoconductors Passivated with MBE-Grown CdTe.
    Zhang, J. ; Tsen, G. K. O. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 39 (2010-07-01), Heft 7, S. 1019-1022
    Online academicJournal
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    MBE-Grown Cubic ZnS Nanowires.
    Chan, S. K. ; Lok, S. K. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 37 (2008-09-01), Heft 9, S. 1433-1437
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    Strain Reduction in Selectively Grown CdTe by MBE on Nanopatterned Silicon on Insulator (SOI) Substrates.
    Bommena, A. ; Seldrum, T. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 37 (2008-09-01), Heft 9, S. 1255-1260
    Online academicJournal
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    High-Performance LWIR MBE-Grown HgCdTe/Si Focal Plane Arrays.
    Bornfreund, Richard ; Rosbeck, Joep ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 36 (2007-08-01), Heft 8, S. 1085-1091
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    High-Quality Large-Area MBE HgCdTe/Si.
    Peterson, J. M. ; Franklin, J. A. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 35 (2006-06-01), Heft 6, S. 1283-1286
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    MBE growth of HgCdTe on silicon substrates for large-area infrared focal plane arrays: a review of recent progress.
    de Lyon, T. J. ; Jensen, J. E. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 28 (1999-06-01), Heft 6, S. 705-711
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    Excess low frequency noise/I-V studies in p-on-n MBE LWIR Hg1-xCdxTe detectors.
    D'Souza, A. I. ; Wijewarnasuriya, P. S. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 28 (1999-06-01), Heft 6, S. 611-616
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    MBE HgCdTe Technology: A Very General Solution to IR Detection, Described by “Rule 07”, a Very Convenient Heuristic.
    Tennant, W. E. ; Lee, Donald ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 37 (2008-09-01), Heft 9, S. 1406-1410
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    Analysis of the variation in the composition as a function of growth parameters in the MBE growth of indium doped Hg1-xCdxTe.
    Vydyanath, H. R. ; Aqariden, F. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 27 (1998-06-01), Heft 6, S. 504-506
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    MBE Growth and Transfer of HgCdTe Epitaxial Filmsfrom InSb Substrates.
    De Lyon, T. J. ; Rajavel, R. D. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 39 (2010-07-01), Heft 7, S. 1058-1062
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    Analysis of Dislocation Density in Pb(1x)Snx Se Grown on ZnTe/Si by MBE.
    Taylor, P. J. ; Dhar, N. K. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 38 (2009-11-01), Heft 11, S. 2343-2347
    Online academicJournal
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