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    Electron Concentration in the Near-Surface Graded-Gap Layer of MBE n-Hg1–x Cd x Te (x = 0.22–0.40) Determined from the Capacitance Measurements of MIS-Structures
    Voitsekhovskii, A. V. ; Nesmelov, S. N. ; et al.
    In: RUSSIAN PHYSICS JOURNAL C/C OF IZVESTIIA- VYSSHIE UCHEBNYE ZAVEDENIIA FIZIKA, Jg. 60 (2017), Heft 1, S. 128-139
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    Comparison of GaAs photocathode grown by MOCVD and MBE: a first-principle and experimental research
    Xu, Y. ; Chang, B. ; et al.
    In: JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE MATERIALS IN ELECTRONICS, Jg. 28 (2017), Heft 10, S. 7429-7436
    Online serialPeriodical
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    Volltext (PDF)
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    Influence of Illumination on the Electrical Properties of p-(ZnMgTe/ZnTe:N)/CdTe/n-(CdTe:I)/GaAs Heterojunction Grown by Molecular Beam Epitaxy (MBE)
    Jum’h, I. ; Abd El-Sadek, M. S. ; et al.
    In: JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, Jg. 46 (2017), Heft 2, S. 1061-1066
    Online serialPeriodical
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    Room-temperature metal–insulator transition of MBE grown VO2 film investigated by temperature dependent resistance and transmittance
    Wang, M. ; Fan, L. ; et al.
    In: JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE MATERIALS IN ELECTRONICS, Jg. 28 (2017), Heft 15, S. 11046-11052
    Online serialPeriodical
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    Investigation of Si and O Donor Impurities in Unintentionally Doped MBE-Grown GaN on SiC(0001) Substrate
    Tingberg, T. ; Ive, T. ; et al.
    In: JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, Jg. 46 (2017), Heft 8, S. 4898-4902
    Online serialPeriodical
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    MBE-grown InSb photodetector arrays
    Bakarov, A. K. ; Gutakovskii, A. K. ; et al.
    In: TECHNICAL PHYSICS C/C OF ZHURNAL TEKHNICHESKOI FIZIKI, Jg. 62 (2017), Heft 6, S. 915-919
    Online serialPeriodical
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    Overcoming Etch Challenges on a 6″ Hg1−x Cd x Te MBE on Si Wafer
    Apte, P. ; Norton, E. ; et al.
    In: JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, Jg. 46 (2017), Heft 10, S. 5873-5876
    Online serialPeriodical
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    Volltext (PDF)
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    Impact of CdZnTe Substrates on MBE HgCdTe Deposition
    Benson, J. D. ; Bubulac, L. O. ; et al.
    In: JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, Jg. 46 (2017), Heft 9, S. 5418-5423
    Online serialPeriodical
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    Temperature and Field Dependences of Parameters of the Equivalent Circuit Elements of MIS Structures Based on MBE n-Hg0.775Cd0.225Te in the Strong Inversion Mode
    Voitsekhovskii, A. V. ; Nesmelov, S. N. ; et al.
    In: RUSSIAN PHYSICS JOURNAL C/C OF IZVESTIIA- VYSSHIE UCHEBNYE ZAVEDENIIA FIZIKA, Jg. 59 (2016), Heft 7, S. 920-933
    Online serialPeriodical
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    Volltext (PDF)
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    Epitaxial GaN layers formed on langasite substrates by the plasma-assisted MBE method
    Lobanov, D. N. ; Novikov, A. V. ; et al.
    In: SEMICONDUCTORS -NEW YORK- C/C OF FIZIKA I TEKHNIKA POLUPROVODNIKOV, Jg. 50 (2016), Heft 11, S. 1511-1514
    Online serialPeriodical
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    Analysis of the oscillation intensity of RHEED specular reflection during the MBE growth of CaF2/Si/CaF2 structures
    Velichko, A. A. ; Ilyushin, V. A. ; et al.
    In: JOURNAL OF SURFACE INVESTIGATION X-RAY SYNCHROTRON AND NEUTRON TECHNIQUES C/C OF POVERKHNOST' RENTGENOVSKIE SINKHROTONNYE I NEITRONNYE ISSLEDOVANIIA, Jg. 10 (2016), Heft 5, S. 912-916
    Online serialPeriodical
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    MBE-Grown CdTe Layers on GaAs with In-assisted Thermal Deoxidation
    Arı, O. ; Bilgilisoy, E. ; et al.
    In: JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, Jg. 45 (2016), Heft 10, S. 4736-4741
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    Investigation of Substrate Effects on Interface Strain and Defect Generation in MBE-Grown HgCdTe
    Gu, R. ; Lei, W. ; et al.
    In: JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, Jg. 45 (2016), Heft 9, S. 4596-4602
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    Thickness-modulated metal–insulator transition of VO2 film grown on sapphire substrate by MBE
    Bian, J. ; Wang, M. ; et al.
    In: JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE, Jg. 51 (2016), Heft 13, S. 6149-6155
    Online serialPeriodical
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    MBE Grown In x Ga1−x N Thin Films with Bright Visible Emission Centered at 550 nm
    Dasari, K. ; Thapa, B. ; et al.
    In: JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, Jg. 45 (2016), Heft 4, S. 2071-2077
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    Features of InN growth by nitrogen-plasma-assisted MBE at different ratios of fluxes of group-III and -V elements
    Lobanov, D. N. ; Novikov, A. V. ; et al.
    In: SEMICONDUCTORS -NEW YORK- C/C OF FIZIKA I TEKHNIKA POLUPROVODNIKOV, Jg. 50 (2016), Heft 2, S. 261-265
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    Defect reduction in MBE-grown AlN by multicycle rapid thermal annealing
    Greenlee, J. D. ; Gunning, B. ; et al.
    In: ELECTRONIC MATERIALS LETTERS, Jg. 12 (2016), Heft 1, S. 133-138
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    Sn-enriched Ge/GeSn nanostructures grown by MBE on (001) GaAs and Si wafers
    Sadofyev, Y. G. ; Martovitsky, V. P. ; et al.
    In: SEMICONDUCTORS -NEW YORK- C/C OF FIZIKA I TEKHNIKA POLUPROVODNIKOV, Jg. 49 (2015), Heft 12, S. 1564-1570
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    Hysteresis Phenomena in mis Structures Based on Graded-Gap MBE Hgcdte with a Two-Layer Plasma-Chemical Insulator SIO2/SI3N4
    Voitsekhovskii, V. ; Nesmelov, S. N. ; et al.
    In: RUSSIAN PHYSICS JOURNAL C/C OF IZVESTIIA- VYSSHIE UCHEBNYE ZAVEDENIIA FIZIKA, Jg. 58 (2015), Heft 4, S. 540-551
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    Comparative Structural Characterization of Thin Al0.2Ga0.8 N/GaN and In0.17Al0.83N/GaN Heterostructures Grown on Si(111), by MBE, with Variation of Buffer Thickness
    Chowdhury, S. ; Borisov, B. ; et al.
    In: JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, Jg. 44 (2015), Heft 11, S. 4144-4153
    Online serialPeriodical
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