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    On the Paramagnetic-Like Susceptibility Peaks at Zero Magnetic Field in $$\hbox{WSe}_{2-x}\hbox{Te}_{x}$$ Single Crystals
    Huang, Shiu-Ming ; Wang, Pin-Cing ; et al.
    In: Nanoscale Research Letters, Jg. 17 (2022-11-10)
    Online unknown
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    Temperature-dependent optical constants of monolayer $${\text {MoS}}_2$$, $${\text {MoSe}}_2$$, $${\text {WS}}_2$$, and $${\text {WSe}}_2$$: spectroscopic ellipsometry and first-principles calculations
    Li, Ming-Yang ; Hsiang Lin Liu ; et al.
    In: Scientific Reports, Jg. 10 (2020-09-17)
    Online unknown
    Zugriff:
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    Magnetic order and critical temperature of substitutionally doped transition metal dichalcogenide monolayers
    Tiwari, Sabyasachi ; Van de Put, Maarten L. ; et al.
    In: npj 2D Materials and Applications ; volume 5, issue 1 ; ISSN 2397-7132, 2021
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Super-Nernstian ion sensitive field-effect transistor exploiting charge screening in WSe2/MoS2 heterostructure
    Sanjay, Sooraj ; Hossain, Mainul ; et al.
    In: npj 2D Materials and Applications ; volume 5, issue 1 ; ISSN 2397-7132, 2021
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Monolayer WSe2 induced giant enhancement in the spin Hall efficiency of Tantalum
    Debashis, Punyashloka ; Hung, Terry Y. T. ; et al.
    In: npj 2D Materials and Applications ; volume 4, issue 1 ; ISSN 2397-7132, 2020
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Selective Growth of WSe2 with Graphene Contacts
    Lin, Yu-Ting ; Zhang, Xin-Quan ; et al.
    In: Nanoscale Research Letters ; volume 15, issue 1 ; ISSN 1556-276X, 2020
    academicJournal
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    WSe2/SnSe2 vdW heterojunction Tunnel FET with subthermionic characteristic and MOSFET co-integrated on same WSe2 flake
    Oliva, Nicolò ; Backman, Jonathan ; et al.
    In: npj 2D Materials and Applications ; volume 4, issue 1 ; ISSN 2397-7132, 2020
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    All-Optical Tuning of Light in WSe2-Coated Microfiber
    Shen, Zhiran ; Zhu, He ; et al.
    In: Nanoscale Research Letters ; volume 14, issue 1 ; ISSN 1931-7573 1556-276X, 2019
    academicJournal
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    Effect of Facile p-Doping on Electrical and Optoelectronic Characteristics of Ambipolar WSe2 Field-Effect Transistors
    Seo, Junseok ; Cho, Kyungjune ; et al.
    In: Nanoscale Research Letters ; volume 14, issue 1 ; ISSN 1931-7573 1556-276X, 2019
    academicJournal
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    Exciton-polarons in the presence of strongly correlated electronic states in a MoSe2/WSe2 moiré superlattice
    Campbell, Aidan J. ; Brotons-Gisbert, Mauro ; et al.
    In: npj 2D Materials and Applications, Jg. 6 (2022-11-04)
    Online unknown
    Zugriff:
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    The Lattice Distortion-Induced Ferromagnetism in the Chemical-Bonded MoSe2/WSe2 at Room Temperature
    Huang, Shiu-Ming ; Wang, Pin-Cing ; et al.
    In: Nanoscale Research Letters, Jg. 17 (2022-05-27)
    Online unknown
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    A high-performance complementary inverter based on transition metal dichalcogenide field-effect transistors
    Cho, Ah-Jin ; Park, Kee Chan ; et al.
    In: Nanoscale Research Letters ; volume 10, issue 1 ; ISSN 1931-7573 1556-276X, 2015
    academicJournal
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    Valley phenomena in the candidate phase change material WSe2(1-x)Te2x
    Reinecke, Thomas L. ; Davydov, Albert V. ; et al.
    In: Communications Physics, Jg. 3 (2020-01-15)
    Online unknown
    Zugriff:
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Ambipolar Landau levels and strong band-selective carrier interactions in monolayer WSe2
    Taniguchi, Takashi ; Dean, Cory ; et al.
    In: Nature Materials, Jg. 17 (2018-03-26), S. 411-415
    Online unknown
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Synthesis and Tribological Properties of WSe2Nanorods
    Yang, Jinghai ; Yao, Haixia ; et al.
    In: Nanoscale Research Letters ; volume 3, issue 12 ; ISSN 1556-276X, 2008
    academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Multiple machine learning approach to characterize two-dimensional nanoelectronic devices via featurization of charge fluctuation
    Lee, Kookjin ; Nam, Sangjin ; et al.
    In: npj 2D Materials and Applications ; volume 5, issue 1 ; ISSN 2397-7132, 2021
    Online academicJournal
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    Volltext
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Boosting proximity spin–orbit coupling in graphene/WSe2 heterostructures via hydrostatic pressure
    Fülöp, Bálint ; Márffy, Albin ; et al.
    In: npj 2D Materials and Applications ; volume 5, issue 1 ; ISSN 2397-7132, 2021
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Gate energy efficiency and negative capacitance in ferroelectric 2D/2D TFET from cryogenic to high temperatures
    Kamaei, Sadegh ; Saeidi, Ali ; et al.
    In: npj 2D Materials and Applications ; volume 5, issue 1 ; ISSN 2397-7132, 2021
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    Temperature dependent moiré trapping of interlayer excitons in MoSe2-WSe2 heterostructures
    Mahdikhanysarvejahany, Fateme ; Shanks, Daniel N. ; et al.
    In: npj 2D Materials and Applications ; volume 5, issue 1 ; ISSN 2397-7132, 2021
    Online academicJournal
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    Computational synthesis of 2D materials grown by chemical vapor deposition
    Momeni, Kasra ; Ji, Yanzhou ; et al.
    In: Journal of Materials Research ; ISSN 0884-2914 2044-5326, 2021
    academicJournal
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