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    Liquid Phase Epitaxy (LPE) Formation of Localized High Quality and Mobility Ge & SiGe by High Dose Ge-Implantation with Laser Melt Annealing for 10nm and 7nm Node CMOS Technology
    Kennon, Ethan ; Buyuklimanli, Temel ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 64 (2014-08-12), S. 127-145
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    Reduction of the Dislocation Density in GaAs1 − x Sb x Layer on GaAs Grown by an Improved LPE Method
    Akita, Kenzo ; Kotani, Tsuyoshi ; et al.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 127 (1980-04-01), S. 949-952
    Online unknown
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    TEM Observations of Defects in Ge‐Doped LPE GaAs and Al0.4Ga0.6As
    Wagner, Wilfried R.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 128 (1981-12-01), S. 2641-2644
    Online unknown
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    Phase Diagram of the In‐Ga‐As‐P Quaternary System and LPE Growth Conditions for Lattice Matching on InP Substrates
    Akita, Kenzo ; Kotani, Tsuyoshi ; et al.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 125 (1978), S. 123-127
    Online unknown
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    Thin Film Growth of InP LPE for MESFET Applications
    Imai, Y. ; Ida, M. ; et al.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 128 (1981-08-01), S. 1776-1781
    Online unknown
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    Defect Structure and Electronic Characteristics of GaAs Layers Grown by Electroepitaxy and Thermal LPE
    Gatos, H. C. ; Jastrzebski, L. ; et al.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 126 (1979-08-01), S. 1381-1385
    Online unknown
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    Outdiffusion of Recombination Centers from the Substrate into LPE Layers; GaAs
    Gatos, Harry C. ; Jastrzebski, L. ; et al.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 126 (1979-12-01), S. 2231-2234
    Online unknown
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    Oxygen Gettering in Green GaP : N LED's Grown by Overcompensated LPE
    Mürau, P. C. ; Bhargava, R. N.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 123 (1976-05-01), S. 728-733
    Online unknown
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    Direct Observation of Dislocations in Ga1 − x Al x As ‐ GaAs Grown by the LPE Method
    Komiya, Satoshi ; Kotani, Tsuyoshi
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 125 (1978-12-01), S. 2019-2024
    Online unknown
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Lattice Mismatch Study of LPE‐Grown InGaPAs on ( 001 ) ‐ InP Using X‐Ray Double‐Crystal Diffraction
    Kamejima, T. ; Onabe, K. ; et al.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 126 (1979-04-01), S. 664-667
    Online unknown
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    LPE Growth of Misfit Dislocation‐Free Thick In1 − x Ga x As Layers on InP
    Nakajima, Kazuo ; Yamaoka, Toyoshi ; et al.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 127 (1980-07-01), S. 1568-1572
    Online unknown
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    Doping of Ga1 − x Al x As Grown by LPE with Si and Ge
    Zilko, J. L. ; Gaw, C. A. ; et al.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 129 (1982-07-01), S. 1563-1566
    Online unknown
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Growth of Semi‐Insulating LPE GaAs for FET Buffer Layers
    Mattes, B. L. ; Houng, Y. M. ; et al.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 125 (1978-12-01), S. 2058-2061
    Online unknown
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Etching Characteristics of Defects in the InGaAsP ‐ InP LPE Layers
    Nakai, Saburo ; Komiya, Satoshi ; et al.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 127 (1980-10-01), S. 2273-2277
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    LPE Growth of ( Nd , Y ) P 5 O 14 Layers from Tin Melt
    Kasano, Hiroyuki ; Furuhata, Yoshio
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 127 (1980-11-01), S. 2464-2468
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    The Effect of Growth Rate and Temperature on the Incorporation of Sn in GaAs during LPE
    König, Ulf
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 124 (1977-09-01), S. 1414-1420
    Online unknown
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Effect of Excess Component Element during LPE on Electrical Properties of CdTe
    Kitagawa, M. ; Tanaka, Tetsuro ; et al.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 126 (1979-12-01), S. 2226-2231
    Online unknown
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    The Influence of the Growth Process on Doping Profile and Mobility Profile during LPE of the Pseudobinary Sn ‐ GaAs System
    Kubalek, Erich ; Heime, K. ; et al.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 126 (1979-02-01), S. 296-299
    Online unknown
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Variation of Solid Composition and Thickness during LPE Growth of Al x Ga1 − x As
    Gonda, Shun-ichi ; Ijuin, Hachiro
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 123 (1976-07-01), S. 1109-1111
    Online unknown
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Mercury Pressure‐Induced LPE Growth of HgCdTe
    Lagowski, J. ; Gatos, H. C. ; et al.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 130 (1983), S. 228-230
    Online unknown
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