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    TiSi2 Integration in a Submicron CMOS Process: I . Salicide Formation
    Brun, N. ; Kalnitsky, A. ; et al.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 142 (1995-06-01), S. 1987-1991
    Online unknown
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    Source/Drain Dislocations and Electrical Leakage in Titanium‐Salicided CMOS Integrated Circuits
    Guldi, R. L.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 141 (1994-07-01), S. 1957-1963
    Online unknown
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    Improved CMOS Performance via Enhanced Carrier Mobility
    Mooney, Patricia M.
    In: The Electrochemical Society Interface, Jg. 14 (2005-03-01), S. 36-37
    Online unknown
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    High Doping Density/High Electric Field, Stress and Heterojunction Effects on the Characteristics of CMOS Compatible p-n Junctions
    Simoen, E. ; Eneman, G. ; et al.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 158 (2011), S. R27
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    3D Interconnect Process Integration and Characterization of Back Side Illuminated CMOS Image Sensor with 1.75 μm Pixels
    Kim, Sibum ; Park, Suyeon ; et al.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 156 (2009), S. J143
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    Phase Change Random Access Memory Devices with Nickel Silicide and Platinum Silicide Electrode Contacts for Integration with CMOS Technology
    Zhao, Rong ; Tow Chong Chong ; et al.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 158 (2011), S. H232
    Online unknown
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    Very High Performance CMOS on Si(551) Using Radical Oxidation Technology and Accumulation-Mode SOI Device Structure
    Teramoto, Akinobu ; Ohmi, Tadahiro ; et al.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 157 (2010), S. H389
    Online unknown
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    Improved Poly Gate Engineering for 65 nm Low Power CMOS Technology
    Chen, S. C. ; Chen, Jone-Fang ; et al.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 157 (2010), S. H38
    Online unknown
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    Deposition and Characterization of Polycrystalline Si[sub 1−x]Ge[sub x] Films for CMOS Transistors Gate Electrode Applications
    Tsuda, Toshitake ; Pachura, David ; et al.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 152 (2005), S. G110
    Online unknown
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Drive Current Enhancement in Sub-50 nm CMOS by Reduction of SDE Resistance with Laser Thermal Process
    Sugii, Toshihiro ; Kase, Masataka ; et al.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 151 (2004), S. G895
    Online unknown
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Characterization of Thermal and Electrical Stability of MOCVD HfO[sub 2]-HfSiO[sub 4] Dielectric Layers with Polysilicon Electrodes for Advanced CMOS Technologies
    Rittersma, Z. M. ; Loo, Josine ; et al.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 151 (2004), S. G870
    Online unknown
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Comparison of MiM Performance with Various Electrodes and Dieletric in Cu Dual Damascene of CMOS MS/RF Technology
    Lin, H. J. ; King, M. C. ; et al.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 153 (2006), S. G1032
    Online unknown
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    High Performance Submicrometer CMOS with Metal Induced Lateral Crystallization of Amorphous Silicon
    Joshi, Amol R. ; Saraswat, Krishna C.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 150 (2003), S. G443
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    Fully Silicided Metal Gates for High-Performance CMOS Technology: A Review
    Maszara, W. P.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 152 (2005), S. G550
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    Integration of a CMOS Preamplifier with a Lead Zirconate Titanate Resonant Frequency Microsensor
    Markus, David T. ; Rho, Kyeonglan ; et al.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 149 (2002), S. J53
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Scalability and Reliability Characteristics of CVD HfO[sub 2] Gate Dielectrics with HfN Electrodes for Advanced CMOS Applications
    Sa, N. ; Kang, Jinfeng ; et al.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 154 (2007), S. H927
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Drive Current Enhancement in Sub-40-nm CMOS Devices by Higher Carrier Activation with Laser Spike Annealing
    Kubo, Tomohiro ; Wang, Yun ; et al.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 153 (2006), S. G598
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Reducing AC Power Consumption by Three-Dimensional Integration of Ge-On-Insulator CMOS on 1-Poly-6-Metal 0.18 μm Si MOSFETs
    Liao, Chi-Hung ; McAlister, S.P. ; et al.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 152 (2005), S. G684
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Low-Frequency Noise Assessment for Deep Submicrometer CMOS Technology Nodes
    Claeys, C. ; Mercha, Abdelkarim ; et al.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 151 (2004), S. G307
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    Erratum: 'Breakdown Yield and Lifetime of Thin Gate Oxides in CMOS Processing' [J. Electrochem. Soc., 136, 1638 (1989)]
    Koyanagi, Mitsumasa ; Chiang, A. ; et al.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 137 (1990), S. 353-353
    Online unknown
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