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    Advanced Gate Stacks with Fully Silicided (FUSI) Gates and High-k Dielectrics for Low Power CMOS
    Rosa María Luna-Sánchez ; González-Martínez, Ignacio
    In: ECS Transactions, Jg. 2 (2006-04-28), S. 301-309
    Online unknown
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    Enhanced Optical Property of InGaN Light-Emitting Diodes with SiO2 Nano-Bowl Photonic Crystal by Nanosphere Lithography
    Zheng, H. ; Wu, K.
    In: ECS Solid State Letters, Jg. 2 (2013-04-26), S. Q51- (3S.)
    Online unknown
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    Fabrication of Vertical-Structured GaN-Based Light-Emitting Diodes Using Auto-Split Laser Lift-Off Technique
    Liang, M. M. ; Sun, L. ; et al.
    In: ECS Solid State Letters, Jg. 1 (2012-07-20), S. Q26- (3S.)
    Online unknown
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  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Study of a GaN-Based Light-Emitting Diode with a Specific Hybrid Structure
    Chen, Wei-Cheng ; I. Ping Liu ; et al.
    In: ECS Journal of Solid State Science and Technology, Jg. 10 (2021-04-01), S. 045001-45001
    Online unknown
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  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Enhanced Light Emission of InGaN Light-Emitting-Diodes by Nanosphere Lithography Generated Photonic Crystals with Different Geometries
    Wu, Kui ; Zheng, Haiyang
    In: ECS Journal of Solid State Science and Technology, Jg. 2 (2013), S. R241- (4S.)
    Online unknown
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  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    (Invited) Future Challenges and Diversifications for Nanoelectronics by the End of the Roadmap and Beyond
    Fedeli, J-M. ; Robert, Philippe ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 31 (2010-10-01), S. 3-12
    Online unknown
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sm 576 - 768
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