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    Garnet-Type Li7La3Zr2O12Solid Electrolyte Thin Films Grown by CO2-Laser Assisted CVD for All-Solid-State Batteries
    Bruns, Michael ; Loho, Christoph ; et al.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 164 (2016-11-22), S. A6131- (9S.)
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    Trends in Copper Precursor Development for CVD and ALD Applications
    Kurek, Agnieszka ; Barry, Seán T. ; et al.
    In: ECS Journal of Solid State Science and Technology, Jg. 4 (2014-12-09), S. N3188- (10S.)
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    Epitaxial Ge thin film Growth on Si Using a Cost-Effective Process in Simplified CVD Reactor
    Wu, Yanze ; Arul Chakkaravarthi Arjunan ; et al.
    In: ECS Journal of Solid State Science and Technology, Jg. 9 (2020-03-26), S. 034008-34008
    Online unknown
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    Impact of STI Gap-Fill Process Deposited by HDP-CVD in Flash Memory
    Hong, Ok-cheon ; Kim, Ki-Yong ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 58 (2013-08-31), S. 75-79
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    Self-Assembled Nano-Stuffing Structure in CVD and ALD Co(W) Films as a Single-Layered Barrier/Liner for Future Cu-Interconnects
    Shima, Kohei ; Kobayashi, Yoshihiko ; et al.
    In: ECS Journal of Solid State Science and Technology, Jg. 2 (2013), S. P471- (7S.)
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    Nano-Scale Strain-Induced Giant Pseudo-Magnetic Fields and Charging Effects in CVD-Grown Graphene on Copper
    Yeom, Sinchul ; Standley, Brian ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 35 (2011-04-25), S. 161-172
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    Ultra-Low-Power SiGe HBTs using High-Precision RT-CVD Epitaxial Growth
    Oda, Katsuya ; Miura, Makoto ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 16 (2008-10-03), S. 1089-1094
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    (Invited) Beyond the Current Horizontal of Silicon Thin Film Technology : Light-Soaking Free Nano-Crystal Embedded Polymorphous Silicon Thin Film by Neutral Beam Assisted CVD at Room Temperature
    Hong, MunPyo ; Jin Nyoung Jang
    In: ECS Transactions, Jg. 50 (2013-03-15), S. 15-22
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    Copper Barrier Properties of Low Dielectric Constant SiOCNH Film Deposited by Plasma-Enhanced CVD
    Ishimaru, Tomomi ; Ohdaira, Toshiyuki ; et al.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 151 (2003-12-09), S. C56- (6S.)
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    Interconnection Formation by Doping Chemical‐Vapor‐Deposition Aluminum with Copper Simultaneously: Al‐Cu CVD
    Kondoh, Eiichi ; Ohta, Tomohiro ; et al.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 141 (1994-12-01), S. 3494-3499
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    CVD of Conducting Ultrathin Copper Films
    Bäumer, Markus ; Wang, Jing ; et al.
    2009
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    Influence of H 2 Addition and Growth Temperature on CVD of SiC Using Hexamethyldisilane and Ar
    Nordell, Nils ; Pirouz, Pirouz ; et al.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 142 (1995-02-01), S. 565-571
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    High‐Selectivity and High‐Deposition Rate Tungsten CVD Freed from Chamber Cleaning
    Ohmi, Tadahiro ; Suzuki, Hiroshi ; et al.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 141 (1994-02-01), S. 566-571
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    CVD Delta-Doped Boron Surface Layers for Ultra-Shallow Junction Formation
    Sarubbi, F. ; Nanver, Lis K. ; et al.
    2006
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    Filling Narrow Trenches by Iodine-Catalyzed CVD of Copper and Manganese on Manganese Nitride Barrier/Adhesion Layers
    Gordon, Roy G. ; Yeung Billy Au ; et al.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 158 (2011), S. D248
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Development, Optimization and Evaluation of a CF4 Pretreatment Process to Remove Unwanted Interfacial Layers in Stacks of CVD and PECVD Polycrystalline Silicon-Germanium for MEMS Applications
    Witvrouw, Ann ; Bryce, George ; et al.
    In: ECS Meeting Abstracts, 2010-02-05, S. 1817-1817
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    Comparison of Thermal and Plasma-Enhanced ALD/CVD of Vanadium Pentoxide
    Detavernier, Christophe ; S. Van den Berghe ; et al.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 156 (2009), S. P122
    Online unknown
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    Pulsed CVD-W Nucleation Layer Using WF[sub 6] and B[sub 2]H[sub 6] for Low Resistivity W
    Kang, Hyosang ; Seung Wook Ryu ; et al.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 156 (2009), S. H685
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    Nucleation and Growth of Pulsed CVD Ru Films from Tricarbonyl[η[sup 4]-cyclohexa-1,3-diene]ruthenium
    Vladislav Yu. Vasilyev ; Yong Won Song ; et al.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 155 (2008), S. D763
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    Ultrathin CVD Cu Seed Layer Formation Using Copper Oxynitride Deposition and Room Temperature Remote Hydrogen Plasma Reduction
    Gordon, Roy G. ; Xu, Sheng ; et al.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 155 (2008), S. H496
    Online unknown
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