Zum Hauptinhalt springen
UB Hagen

Suchergebnisse

UB Katalog

Artikel & mehr
150 Treffer

Suchmaske

Suchtipp für den Bereich Artikel & mehr: Wörter werden automatisch mit UND verknüpft. Eine ODER-Verknüpfung erreicht man mit dem Zeichen "|", eine NICHT-Verknüpfung mit einem "-" (Minus) vor einem Wort. Anführungszeichen ermöglichen eine Phrasensuche.
Beispiele: (burg | schloss) -mittelalter, "berufliche bildung"

Das folgende Suchfeld wird hier nicht unterstützt: "Signatur / Strichcode".

Suchergebnisse einschränken oder erweitern

Aktive Suchfilter

Erscheinungszeitraum

Mehr Treffer

Weniger Treffer

Gefunden in

Schlagwort

Publikation

Sprache

150 Treffer

Sortierung: 
  1. Detailansicht für Treffer 1 öffnen
    Design and Simulation Study of Full Adder Circuit Based on CNTFET and CMOS Technology by ADS
    Marani, Roberto ; Anna Gina Perri
    In: ECS Journal of Solid State Science and Technology, Jg. 7 (2018), S. M108- (15S.)
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 2 öffnen
    Impact of Scaling on Nanosheet FET and CMOS Circuit Applications
    N. Aruna Kumari ; V. Bharath Sreenivasulu ; et al.
    In: ECS Journal of Solid State Science and Technology, Jg. 12 (2023-03-01), S. 033001-33001
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Review—System-on-Chip SMO Gas Sensor Integration in Advanced CMOS Technology
    Lahlalia, Ayoub ; Filipovic, Lado
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 165 (2018), S. B862- (18S.)
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Review—Design and Characterization of Digital Gates based on CNTFET and CMOS Technology
    Anna Gina, PERRI ; Marani, Roberto
    In: ECS Journal of Solid State Science and Technology, Jg. 11 (2022-07-01), S. 071004-71004
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Ultra-Shallow Junction Formation by Monolayer Doping Process in Single Crystalline Si and Ge for Future CMOS Devices
    Chen, Henry J. H. ; Tseng, Tseung-Yuen ; et al.
    In: ECS Journal of Solid State Science and Technology, Jg. 6 (2017), S. P350- (6S.)
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    On the Manifestation of Ge Pre-Amorphization Implantation (PAI) in Forming Ultrathin TiSixfor Ti Direct Contact on Si in Sub-16/14 nm Complementary Metal-Oxide-Semiconductor (CMOS) Technology Nodes
    Radamson, Henry H. ; Luo, Jun ; et al.
    In: ECS Journal of Solid State Science and Technology, Jg. 6 (2017), S. P660- (5S.)
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Influence of Oxide Interlayer by TiN Metal Gate in High-k First CMOS Devices
    He, Youfeng ; He, Yonggen ; et al.
    In: ECS Journal of Solid State Science and Technology, Jg. 6 (2017), S. P296- (4S.)
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Role of CMOS Back-End Metals as Active Electrodes for Resistive Switching in ReRAM Cells
    Orlowski, Marius K. ; Kang, Yuhong ; et al.
    In: ECS Journal of Solid State Science and Technology, Jg. 6 (2016-12-10), S. N1- (9S.)
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Improvement in the Performance of III-V Channel Based Ultra-Thin Junction-Less-Hybrid CMOS Circuits with Mixed Mode Analysis
    Soumendra Prasad Rout ; Dutta, Pradipta ; et al.
    In: ECS Journal of Solid State Science and Technology, Jg. 11 (2022-05-01), S. 051001-51001
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    A 1-V, 5 μW, Atto Current Bulk-Driven CMOS Based Operational Transconductance Amplifier for Biosensor Applications
    Nirmal, D. ; D. Gracia Nirmala Rani ; et al.
    In: ECS Journal of Solid State Science and Technology, Jg. 9 (2020-01-12), S. 115003-115003
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Effect of CoSi2Formation Process on CMOS Transistor Electrical Properties for Sub-100-nm Memory Applications
    Hyo Jin Kang ; Jae Goan Jeong ; et al.
    In: ECS Journal of Solid State Science and Technology, Jg. 5 (2016), S. P264- (8S.)
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Communication—CMOS Thin-Film Transistors via Xe Flash-Lamp Crystallization of Patterned Amorphous Si
    Robert George Manley ; Mudgal, Tarun ; et al.
    In: ECS Journal of Solid State Science and Technology, Jg. 6 (2017), S. Q179- (3S.)
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Silicon CMOS Ohmic Contact Technology for Contacting III-V Compound Materials
    Fitzgerald, Eugene A. ; Pacella, Nan Y. ; et al.
    In: ECS Journal of Solid State Science and Technology, Jg. 2 (2013), S. P324- (8S.)
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Nanoscale Etching of In0.53Ga0.47As in H2O2/HCl Solutions for Advanced CMOS Processing
    Stefan De Gendt ; Holsteyns, Frank ; et al.
    In: ECS Journal of Solid State Science and Technology, Jg. 3 (2014), S. P179- (6S.)
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    A Low-Cost Uncooled Infrared Microbolometer by CMOS Process
    Shen, Ning ; Tang, Zhenan ; et al.
    In: ECS Solid State Letters, Jg. 4 (2015-05-13), S. Q29- (3S.)
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    CMOS without Doping on SOI: Multi-Gate Si-Nanowire Transistors for Logic and Memory Applications
    Krauss, Tillmann ; Schwalke, Udo ; et al.
    In: ECS Journal of Solid State Science and Technology, Jg. 2 (2013), S. Q88- (6S.)
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    CMOS-Compatible Dielectric Constant Engineering by Embedding Metallic Particles in Aluminum Oxide
    Heyns, Marc ; Adelmann, Christoph ; et al.
    In: ECS Solid State Letters, Jg. 2 (2012-11-06), S. N1- (3S.)
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    TiSi2 Integration in a Submicron CMOS Process : II . Integration Issues
    Brun, N. ; J. ‐P. Gonchond ; et al.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 142 (1995-06-01), S. 1992-1996
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    TiSi2 Integration in a Submicron CMOS Process: I . Salicide Formation
    Brun, N. ; Kalnitsky, A. ; et al.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 142 (1995-06-01), S. 1987-1991
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Source/Drain Dislocations and Electrical Leakage in Titanium‐Salicided CMOS Integrated Circuits
    Guldi, R. L.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 141 (1994-07-01), S. 1957-1963
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -