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    Formation of Ge-Nanodots Capped with SiC Layer by Gas-Source MBE Using MMGe and MMSi
    Kato, Ariyuki ; Suemitsu, Maki ; et al.
    In: ECS Meeting Abstracts, 2012-06-04, S. 2700-2700
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    Luminescent Properties of CdSe Quantum Dots Subjected to MBE GaN Growth Temperatures
    Burkhart, Casey C. ; Patel, Kinnari ; et al.
    In: ECS Meeting Abstracts, 2008-08-29, S. 388-388
    Online unknown
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    High Speed Integrated Circuit Using Silicon Molecular Beam Epitaxy (Si‐MBE)
    Wörner, K. ; Kasper, E.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 132 (1985-10-01), S. 2481-2486
    Online unknown
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  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Epitaxial Growth of Highly Sb-Doped Ge on p-Ge (100) for Vertical Transistor Applications
    Fukata, Naoki ; Rahmat Hadi Saputro ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 102 (2021-05-07), S. 147-150
    Online unknown
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    (Invited) ScAlN: A Novel Barrier Material for High Power GaN-Based RF Transistors
    Meyer, David J. ; Downey, Brian P. ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 80 (2017-08-17), S. 161-168
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    (Invited) Dilute-Nitride-Antimonide Materials Grown by MOVPE for Multi-Junction Solar Cell Application
    Kim, Young-Min ; Lotshaw, William T. ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 66 (2015-04-10), S. 101-108
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    Buried-Heterostructure Quantum Cascade Lasers Fabricated Using a Sacrificial Layer and a Two-Step Regrowth Process
    Bächle, Andreas ; Driad, Rachid ; et al.
    In: ECS Meeting Abstracts, 2018-07-23, S. 1166-1166
    Online unknown
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  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    A Quick and a Flexible Hydride Vapor Phase Epitaxy Process to Achieve Buried Heterostructure Quantum Cascade Lasers
    Sun, Yan-Ting ; Lourdudoss, Sebastian ; et al.
    In: ECS Meeting Abstracts, 2014-08-05, S. 2150-2150
    Online unknown
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  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Nanoscale Wet Chemical Engineering of III-V Quantum Dots for Emerging Solar Applications
    Bouttemy, Muriel ; Etcheberry, Arnaud ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 89 (2019-04-08), S. 37-46
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Deep Level Assessment of n-Type Si/SiO2Metal-Oxide-Semiconductor Capacitors with Embedded Ge Quantum Dots
    Vrielinck, Henk ; Aouassa, Mansour ; et al.
    In: ECS Journal of Solid State Science and Technology, Jg. 7 (2018), S. P24- (5S.)
    Online unknown
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Surface Structures and Electrochemical Stabilities for Pt/Pd(111) Model Electrocatalysts
    Bando, Yohe ; Kaneko, Soma ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 75 (2016-08-22), S. 741-746
    Online unknown
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Effect of Proton Irradiation on DC Performance and Reliability of Circular-Shaped AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors
    Yang, Gwangseok ; Pearton, Stephen J. ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 61 (2014-03-20), S. 179-185
    Online unknown
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Effect of Gamma Irradiation on DC Performance of Circular-Shaped AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors
    Lei, Lei ; Schwarz, Casey M. ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 61 (2014-03-20), S. 205-210
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Electrochemical Stability of Topmost Surface of Pt-Enriched Ni/Pt(111) Prepared by Molecular Beam Epitaxy
    Matsumoto, Ken-ichi ; Takahashi, Ryota ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 50 (2013-03-15), S. 1707-1713
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Deep-Level Transient Spectroscopy of MOS Capacitors on GeSn Epitaxial Layers
    Simoen, Eddy ; Gencarelli, Federica ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 50 (2013-03-15), S. 279-287
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Real Space Surface Reconstructions of Decapped As-rich In0.53Ga0.47As(001)-(2×4)
    Winn, Darby L. ; Kummel, Andrew C. ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 16 (2008-10-03), S. 463-468
    Online unknown
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    InAs Quantum Well Transistors for High-Speed Low Power Applications
    Kuo, Chien I. ; Edward Yi Chang ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 13 (2008-05-09), S. 75-82
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Advanced Applications of Semiconductor Epitaxy for Cutting Edge Integrated Circuit Technolgy
    Sadana, Devendra K. ; Joel P. de Souza ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 3 (2006-10-20), S. 833-840
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Electrical Characterization of Novel GaN Light Emitting Diodes with II-VI Quantum Dot Active Layers
    Pagan, Jennifer ; Barletta, Phillip ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 3 (2006-10-20), S. 457-462
    Online unknown
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Oxygen Reduction Reaction Activities for Various-Monolayer-Thick Pt Shells on Pt x Ni100-x (111)
    Asano, Masato ; Kawamura, Ryutaro ; et al.
    In: ECS Meeting Abstracts, 2015-07-07, S. 1397-1397
    Online unknown
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