Zum Hauptinhalt springen
UB Hagen

Suchergebnisse

UB Katalog

Artikel & mehr
7 Treffer

Suchmaske

Suchtipp für den Bereich Artikel & mehr: Wörter werden automatisch mit UND verknüpft. Eine ODER-Verknüpfung erreicht man mit dem Zeichen "|", eine NICHT-Verknüpfung mit einem "-" (Minus) vor einem Wort. Anführungszeichen ermöglichen eine Phrasensuche.
Beispiele: (burg | schloss) -mittelalter, "berufliche bildung"

Das folgende Suchfeld wird hier nicht unterstützt: "Signatur / Strichcode".

Suchergebnisse einschränken oder erweitern

Aktive Suchfilter

7 Treffer

Sortierung: 
  1. Detailansicht für Treffer 1 öffnen
    Analysis of Quantum Confinement in Nanosheet FETs by Using a Quantum Drift Diffusion Model / 量子ドリフト拡散モデルを用いたナノシート構造における量子閉じ込め効果の解析
    Hiroki, Akira ; Matsuda, Masashi ; et al.
    In: 電気学会論文誌Ｃ（電子・情報・システム部門誌）, Jg. 142 (2022-11-01), Heft 11, S. 1174
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 2 öffnen
    Mobility Model Parameters of Strained Si by Using a Quantum Drift Diffusion Model / 量子ドリフト拡散モデルにおける歪みSiの移動度モデルパラメータの検討
    Hiroki, Akira ; Tamiya, Yuki ; et al.
    In: 電気学会論文誌Ｃ（電子・情報・システム部門誌）, Jg. 140 (2020-11-01), Heft 11, S. 1171
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Investigation of Threshold Voltage Definition for Nanosheet MOSFETs by Using Quantum Drift Diffusion Model / 量子ドリフト拡散モデルによるナノシートMOSFETのしきい値電圧定義の検討
    Hiroki, Akira ; Takanishi, Ryo ; et al.
    In: 電気学会論文誌Ｃ（電子・情報・システム部門誌）, Jg. 144 (2024-02-01), Heft 2, S. 82
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Examination of Quantum Potential Coefficient in Quantum Drift Diffusion Model / 量子ドリフト拡散モデルにおける量子ポテンシャル係数の検討
    Hiroki, Akira ; Ito, Daiki ; et al.
    In: 電気学会論文誌Ｃ（電子・情報・システム部門誌）, Jg. 140 (2020-11-01), Heft 11, S. 1176
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Analysis of Electrical Characteristics of Advanced MOSFETs by using a Quantum Energy Transport Model / 量子エネルギー輸送モデルを用いた先端MOSFET電気特性の解析
    Hiroki, Akira ; Hiraoka, Tetsuya ; et al.
    In: 電気学会論文誌Ｃ（電子・情報・システム部門誌）, Jg. 139 (2019-03-01), Heft 3, S. 213
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Analysis of In0.53Ga0.47As n-MOSFET Characteristics using Quantum Drift Diffusion Model / 量子ドリフト拡散モデルによるIn0.53Ga0.47As n-MOSFETの特性解析
    Hiroki, Akira ; Goto, Haruki ; et al.
    In: 電気学会論文誌Ｃ（電子・情報・システム部門誌）, Jg. 143 (2023-02-01), Heft 2, S. 159
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Analysis of Non-equilibrium Phenomena on Electric Characteristics of Advanced MOSFETs by using a Quantum Energy Transport Model / 量子エネルギー輸送モデルを用いた先端MOSFET電気特性に対する非平衡現象の影響の解析
    Hiroki, Akira ; Inugai, Keisuke ; et al.
    In: 電気学会論文誌Ｃ（電子・情報・システム部門誌）, Jg. 139 (2019-11-01), Heft 11, S. 1248
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -