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    Wafer rotation effect on silicon epitaxial growth for minimal CVD reactor / ミニマルCVD装置によるシリコンエピタキシャル製膜における基板回転の効果
    Motomiya, Atsuhiro ; Habuka, Hitoshi ; et al.
    2020
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Silicon epitaxial growth using dichlorosilane for minimal CVD reactor / ミニマルCVD装置におけるジクロロシランを用いたシリコンエピタキシャル製膜
    Habuka, Hitoshi ; Otani, Mana ; et al.
    2019
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Gaseous species transport in Si minimal CVD reactor observed by QCM / 水晶振動子によるシリコンミニマルＣＶＤ装置内ガス移動観察
    Habuka, Hitoshi ; Otani, Mana ; et al.
    2020
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Real-time precursor transport observation in Si minimal CVD reactor by QCM / 水晶振動子によるシリコンミニマルＣＶＤ装置内化学種輸送状態観察
    Habuka, Hitoshi ; Muroi, Mitsuko ; et al.
    2019
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Study on the Si deposition process in Atmospheric-Pressure Plasma for application to low-temperature thin film transistors / 低温TFTに向けた大気圧プラズマCVDによるSi成膜プロセスの研究
    Kakiuchi, Hiroaki ; Ohmi, Hiromasa ; et al.
    2016
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Half-Inch Silicon CVD Reactor Using Concentrated Infrared Light Heater (6) / 集光型赤外線加熱炉を用いたハーフインチシリコンCVD装置(6)
    HITOSHI, HABUKA ; NING, LI ; et al.
    2016
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    The gap-fill technology in the thermal CVD silicon deposition / 熱CVDシリコン成膜におけるギャップフィル技術
    KAKIMOTO, AKIMOTO ; KOMORI, KATSUHIKO ; et al.
    2015
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    On-site CVD Formation of Multi-layered Graphene on Silicon Nanowires
    Fukata, Naoki ; Steaphan Mark Wallace ; et al.
    2020
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Si surface passivation by triode-type plasma-enhanced CVD with thermally-energized film-precursors / ガス加熱トライオードプラズマCVD法によるSi表面パシベーション
    Niikura, Chisato ; Miyajima, Shinsuke ; et al.
    2018
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    CVDプロセスの高清浄化によるSiおよびGeの選択成長 / Selective epitaxial growth of silicon and germanium using ultraclean CVD Processing
    Junichi, MUROTA ; Manabu, KATO ; et al.
    In: 応用物理, Jg. 60 (1991-11-10), Heft 11, S. 1123
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Ultra-Low Biased Field Emitter Using Single Wall Carbon Nanotube Directly Grown onto Silicon Tip by Thermal CVD
    Ishii, Masami ; Matsumoto, Kazuhiko ; et al.
    In: Extended Abstracts of the 2000 International Conference on Solid State Devices and Materials, 2000
    Online unknown
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Low temperature (300℃) growth of crystalline/non-crystalline thin Si films by a newly developed single shower dual injection system employing microwave excited high density hydrogen plasma and silicon radicals CVD process
    Kato, Yoshimichi ; Ohmi, Tadahiro ; et al.
    In: Extended Abstracts of the 2006 International Conference on Solid State Devices and Materials, 2006
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Top-Gate Amorphous-Silicon Thin-Film Transistors Produced by CVD Method
    Kanoh, Hiroshi ; Matsumura, Masakiyo ; et al.
    In: Extended Abstracts of the 1990 International Conference on Solid State Devices and Materials, 1990
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Real Time Monitoring of Surface Reactions during Plasma Enhanced CVD of Silicon
    Hirose, Masataka ; Miyoshi, Y. ; et al.
    In: Extended Abstracts of the 1994 International Conference on Solid State Devices and Materials, 1994
    Online unknown
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    A New Silicon Source Material for SiO2 CVD -Hydrogen Free Organic Silicon
    Matsumura, Masakiyo ; Sugiura, Osamu ; et al.
    In: Extended Abstracts of the 1993 International Conference on Solid State Devices and Materials, 1993
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Structure and Properties of Silicon Titanium Oxide Films Prepared by Plasma CVD Method
    Hirao, Takashi ; Shibuya, Munehiro ; et al.
    In: Extended Abstracts of the 1991 International Conference on Solid State Devices and Materials, 1991
    Online unknown
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Low-Temperature Silicon Epitaxy without Substrate Heating and Selectivity Inversion in Ultraclean ECR Plasma Enhanced CVD
    Matsuura, Takashi ; Murota, Junichi ; et al.
    In: Extended Abstracts of the 1991 International Conference on Solid State Devices and Materials, 1991
    Online unknown
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Selective Epitaxial Growth of Silicon and Germanium at Low Temperatures Using Ultraclean CVD Processing
    Mikoshiba, Nobuo ; Ono, Shoichi ; et al.
    In: Extended Abstracts of the 1991 International Conference on Solid State Devices and Materials, 1991
    Online unknown
    Zugriff:
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Chemical reaction of boron trichloride gas at silicon surface / シリコン表面における三塩化ホウ素ガスの化学反応
    Yamada, Ayami ; Saito, Ayumi ; et al.
    2019
    academicJournal
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Selective Growth of Polycrystalline Silicon by Laser-Induced Cryogenic CVD
    Hirose, Masataka ; Miyazaki, Seiichi ; et al.
    In: Extended Abstracts of the 1988 International Conference on Solid State Devices and Materials, 1988
    Online unknown
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
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