Zum Hauptinhalt springen
UB Hagen

Suchergebnisse

UB Katalog

Artikel & mehr
10 Treffer

Suchmaske

Suchtipp für den Bereich Artikel & mehr: Wörter werden automatisch mit UND verknüpft. Eine ODER-Verknüpfung erreicht man mit dem Zeichen "|", eine NICHT-Verknüpfung mit einem "-" (Minus) vor einem Wort. Anführungszeichen ermöglichen eine Phrasensuche.
Beispiele: (burg | schloss) -mittelalter, "berufliche bildung"

Das folgende Suchfeld wird hier nicht unterstützt: "Signatur / Strichcode".

Suchergebnisse einschränken oder erweitern

Aktive Suchfilter

Erscheinungszeitraum

Mehr Treffer

Weniger Treffer

Gefunden in

Art der Quelle

Schlagwort

Publikation

Sprache

10 Treffer

Sortierung: 
  1. Detailansicht für Treffer 1 öffnen
    Reliability of 4H-SiC p-n Diodes on LPE Grown Layers : European conference on silicon carbide and related materials
    Sarov, G. ; Kakanakov, R. ; et al.
    In: MATRIALS SCIENCE FORUM, Jg. 433-436 (2003), S. 929-932
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 2 öffnen
    4H-SiC pn Diode Grown by LPE Method for High-Power Applications : European conference on silicon carbide and related materials
    Kuznetsov, N. ; Bauman, D. ; et al.
    In: MATRIALS SCIENCE FORUM, Jg. 433-436 (2003), S. 867-870
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Pd-Based Ohmic Contacts to LPE 4H-SiC with Improved Thermal Stability : European conference on silicon carbide and related materials
    Kassamakova-Kolaklieva, L. ; Kakanakov, R. ; et al.
    In: MATRIALS SCIENCE FORUM, Jg. 433-436 (2003), S. 713-716
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Is Al-Si a Good Melt for the Low-Temperature LPE of 4H-SiC? : European conference on silicon carbide and related materials
    Jacquier, C. ; Ferro, G. ; et al.
    In: MATRIALS SCIENCE FORUM, Jg. 433-436 (2003), S. 181-184
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Electrical Characteristics of 4H-SiC pn Diode Grown by LPE Method : International conference on silicon carbide and related materials
    Kuznetsov, N. ; Bauman, D. ; et al.
    In: MATERIALS SCIENCE FORUM, Jg. 389-393 (2002), Heft 2, S. 1313-1316
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Reliable Ohmic Contacts to LPE p-Type 4H-SiC for High-Power p-n Diode : International conference on silicon carbide and related materials
    Kakanakov, R. ; Kassamakova, L. ; et al.
    In: MATERIALS SCIENCE FORUM, Jg. 389-393 (2002), Heft 2, S. 917-920
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Traveling Self-Confined-Solvent Method: Novel LPE Growth of 6H-SiC : International conference on silicon carbide and related materials
    Asaoka, Y. ; Hiramoto, M. ; et al.
    In: MATERIALS SCIENCE FORUM, Jg. 389-393 (2002), Heft 1, S. 295-298
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Origin of the Excellent Thermal Stability of Al/Si-Based Ohmic Contacts to p-Type LPE 4H-SiC : European conference on silicon carbide and related materials
    Kassamakova, L. ; Kakanakov, R. ; et al.
    In: MATRIALS SCIENCE FORUM, Jg. 353-356 (2001), S. 251-254
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Growth of CVD Thin Films and Thick LPE 3C SiC in a Specially Designed Reactor : International conference on silicon carbide and related materials
    Leycuras, A.
    In: MATERIALS SCIENCE FORUM, Jg. 338-342 (2000), Heft 1, S. 241-244
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Vacancy Control of LPE and MOVPE Grown Cd~xHg~1~-~xTe by Annealing Techniques : II-VI Compounds and semimagnetic semiconductors
    Dutton, D. T. ; Capper, P. ; et al.
    In: MATERIALS SCIENCE FORUM, , Heft E 182/184, S. 267-270
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -