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    158. Impact of Channel Implantation on a 4H-SiC CMOS Operational Amplifier for High Temperature Applications
    Hiroshi, Yano ; Takeshi, Ohshima ; et al.
    In: Silicon Carbide and Related Materials 2019; (2020)
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    104. Current Transport Mechanisms in Au-Free Metallizations for CMOS Compatible GaN HEMT Technology
    Hiroshi, Yano ; Takeshi, Ohshima ; et al.
    In: Silicon Carbide and Related Materials 2019; (2020)
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    180. Improved Offset Voltage Stability of 4H-SiC CMOS Operational Amplifier by Increasing Gamma Irradiation Resistance
    Gammon Peter M. ; Shah Vishal A. ; et al.
    In: Silicon Carbide and Related Materials 2018 - 12th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2018); (2019)
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    176. Improving 5V Digital 4H-SiC CMOS ICs for Operating at 400°C Using PMOS Channel Implantation
    Gammon Peter M. ; Shah Vishal A. ; et al.
    In: Silicon Carbide and Related Materials 2018 - 12th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2018); (2019)
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    178. 4H-SiC Trench pMOSFETs for High-Frequency CMOS Inverters
    Gammon Peter M. ; Shah Vishal A. ; et al.
    In: Silicon Carbide and Related Materials 2018 - 12th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2018); (2019)
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    221.3 SiC CMOS Integrated Digital Circuits
    Robert, Stahlbush ; Philip, Neudeck ; et al.
    In: Silicon Carbide and Related Materials 2017; (2018)
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    221. Complementary p-Channel and n-Channel SiC MOSFETs for CMOS Integration
    Robert, Stahlbush ; Philip, Neudeck ; et al.
    In: Silicon Carbide and Related Materials 2017; (2018)
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    194. First Demonstration of High Temperature SiC CMOS Gate Driver in Bridge Leg for Hybrid Power Module Application
    Robert, Stahlbush ; Philip, Neudeck ; et al.
    In: Silicon Carbide and Related Materials 2017; (2018)
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    168. 3300V SiC DMOSFETs Fabricated in High-Volume 150 mm CMOS Fab
    Robert, Stahlbush ; Philip, Neudeck ; et al.
    In: Silicon Carbide and Related Materials 2017; (2018)
    Online E-Book
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    160. Reliability and Ruggedness of 1200V SiC Planar Gate MOSFETs Fabricated in a High Volume CMOS Foundry
    Robert, Stahlbush ; Philip, Neudeck ; et al.
    In: Silicon Carbide and Related Materials 2017; (2018)
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    Wie komme ich dran?
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    215. A CMOS Automatic Gain Control Circuit for Biomedical Applications
    Fei, Tang
    In: Micro-Nano Technology XVI - Selected, Peer Reviewed Papers from the 16th Annual Conference and 5th International Conference of the Chinese Society of Micro-Nano Technology (CSMNT 2014), August 31-September 3, 2014, Chengdu, China; (2015)
    Online E-Book
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    210. CMOS Amplifier for Neural Signal Recording Applications
    Fei, Tang
    In: Micro-Nano Technology XVI - Selected, Peer Reviewed Papers from the 16th Annual Conference and 5th International Conference of the Chinese Society of Micro-Nano Technology (CSMNT 2014), August 31-September 3, 2014, Chengdu, China; (2015)
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    15. A Comparative Study for the Backside Illumination (BSI) Technology Using Bonding Wafer Cleaning Process for Advanced CMOS Image Sensor
    Paul, Mertens ; Marc, Meuris ; et al.
    In: Ultra Clean Processing of Semiconductor Surfaces XI; (2013)
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Silicon & beyond CMOS: The Path of Advanced Electronic Structure Engineering for Low-Voltage Transistors
    Paul, Mertens ; Marc, Meuris ; et al.
    In: Ultra Clean Processing of Semiconductor Surfaces XI; (2013)
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    147. Near-Threshold Flip-Flops Using Clocked Adiabatic Logic in Nanometer CMOS Processes
    Yanwen, Wu
    In: Components, Packaging and Manufacturing Technology; (2011)
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    80.2.1 Conventional CMOS Output Pad Cell
    Yanwen, Wu
    In: Components, Packaging and Manufacturing Technology; (2011)
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    38. Interconnect Design Challenges in Nano CMOS Circuit
    Seiichi, Miyazaki ; Hitoshi, Tabata
    In: Technology Evolution for Silicon Nano-Electronics - Selected, peer reviewed papers from the proceedings of the International Symposium on Technology Evolution for Silicon Nano-Electronics 2010; (2011)
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    25. Strained Ge and Ge1-xSnx Technology for Future CMOS Devices
    Seiichi, Miyazaki ; Hitoshi, Tabata
    In: Technology Evolution for Silicon Nano-Electronics - Selected, peer reviewed papers from the proceedings of the International Symposium on Technology Evolution for Silicon Nano-Electronics 2010; (2011)
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    13.2 Concept for Novel Source Heterojunction CMOS Structures and Experiment Procedure
    Seiichi, Miyazaki ; Hitoshi, Tabata
    In: Technology Evolution for Silicon Nano-Electronics - Selected, peer reviewed papers from the proceedings of the International Symposium on Technology Evolution for Silicon Nano-Electronics 2010; (2011)
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    13. Novel Source Heterojunction Structures with Relaxed-/Strained-Layers for Quasi-Ballistic CMOS Transistors
    Seiichi, Miyazaki ; Hitoshi, Tabata
    In: Technology Evolution for Silicon Nano-Electronics - Selected, peer reviewed papers from the proceedings of the International Symposium on Technology Evolution for Silicon Nano-Electronics 2010; (2011)
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