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    Precise Control of Al Incorporation during CVD Growth of SiC Epilayers by Using Hydrogen Chloride : European conference on silicon carbide and related materials
    Zielinski, M. ; Bussel, M. ; et al.
    In: Materials science forum, Jg. 1062 (2022), S. 84-88
    Online Konferenz
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    Study on the Growth Mechanism of Chlorocarbon Radicals on the Surface of CVD Diamond (100) : Materials sciences and nanomaterials (International conference)
    Jian, X. G. ; Hu, J. B.
    In: Key engineering materials, Jg. 907 (2022), S. 83-90
    Online Konferenz
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    Wie komme ich dran?
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    Elimination of Silicon Droplets Formation during 4H-SiC Epitaxial Growth by Chloride-Based CVD in a Vertical Hot-Wall Reactor : Asia-Pacific conference on Silicon cabide and related materials, APCSCRM
    Li, C. G. ; Ju, T. ; et al.
    In: Materials science forum, Jg. 1014 (2020), S. 3-7
    Online Konferenz
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    Wie komme ich dran?
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    Analysis of Defect-Free Hot Filament CVD-Grown 3C-SiC : Silicon carbide and related materials (International conference)
    Van Zeghbroeck, B. ; Brow, R. ; et al.
    In: Materials science forum, Jg. 1004 (2020), S. 126-131
    Online Konferenz
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    Improvement of Repeatability on N-Type 4H-SiC Epitaxial Growth by High Speed Wafer Rotation Vertical CVD Tool : Silicon carbide and related materials (International conference)
    Daigo, Y. ; Ishiguro, A. ; et al.
    In: Materials science forum, Jg. 1004 (2020), S. 78-83
    Online Konferenz
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    Achievement of Low Carrier Concentration of High-Uniformity SiC Films Grown by High Speed Wafer Rotation Vertical CVD Tool : Silicon carbide and related materials (International conference)
    Daigo, Y. ; Ishiguro, A. ; et al.
    In: Materials science forum, Jg. 1004 (2020), S. 84-90
    Online Konferenz
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    Origin of Large Bumps Abnormally Grown on 4H-SiC Epitaxial Film by Adding HCl Gas with High Cl/Si Ratio in CVD Process : Silicon carbide and related materials (International conference)
    Daigo, Y. ; Ishiguro, A.
    In: Materials science forum, Jg. 1004 (2020), S. 91-95
    Online Konferenz
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    Substrate Placement inside CVD Tube for Graphene Production : Industrial science and technology symposium, SISTEC 2019
    Osman, M. N. ; Ani, M. H. ; et al.
    In: Materials science forum, Jg. 981 (2020), S. 84-91
    Online Konferenz
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    Synthesizing Cubic Diamond Crystal Using DC Plasma Jet CVD : 3rd International conference on machining, materials and mechanical technologies
    Toyota, H. ; Zhu, X. ; et al.
    In: Key engineering materials, Jg. 825 (2019), S. 71-76
    Online Konferenz
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Repeatability of Epitaxial Growth of n-Type 4H-SiC Films by High Speed Wafer Rotation Vertical CVD Tool : Silicon carbide and related materials
    Daigo, Y. ; Ishiguro, A. ; et al.
    In: Materials science forum, Jg. 963 (2019), S. 101-104
    Online Konferenz
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Effect of HCL on Surface Free Energy of SiC during CVD Trench Filling : Silicon carbide and related materials
    Mochizuki, K. ; Ji, S. Y. ; et al.
    In: Materials science forum, Jg. 963 (2019), S. 136-140
    Online Konferenz
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    A Study of CVD Growth Parameters to Fill 50-μm-Deep 4H-SiC Trenches : Silicon carbide and related materials
    Ji, S. Y. ; Kosugi, R. ; et al.
    In: Materials science forum, Jg. 963 (2019), S. 131-135
    Online Konferenz
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Vapor Growth of 3C-SiC Using the Transition Layer of 3C-SiC on Si CVD Templates : Silicon carbide and related materials
    Schuh, P. ; Künecke, U. ; et al.
    In: Materials science forum, Jg. 963 (2019), S. 149-152
    Online Konferenz
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    High Quality 4H-SiC Epitaxial Layer by Tuning CVD Process : Silicon carbide and related materials
    Piluso, N. ; Campione, A. ; et al.
    In: Materials science forum, Jg. 963 (2019), S. 91-96
    Online Konferenz
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    New SiC Epitaxial Growth Process with up to 100% BPD to TED Defect Conversion on 150mm Hot-Wall CVD Reactor : Silicon carbide and related materials
    Höchbauer, T. ; Heidorn, C. ; et al.
    In: Materials science forum, Jg. 963 (2019), S. 123-126
    Online Konferenz
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Optical and Electrical Properties of Diamond-Like Carbon Thin Film with Deposition by ECR-CVD System : Advanced materials and engineering materials
    Srisantirut, T. ; Pengchan, W.
    In: Key engineering materials, Jg. 814 (2019), S. 47-52
    Online Konferenz
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Cold Wall CVD Graphene-Based Transparent Electrode for Solar Cells : Surface modification technologies conference
    Cirillo, C. ; Spina, D. ; et al.
    In: Key engineering materials, Jg. 813 (2019), S. 310-315
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    Comparative Investigation of the Graphene-on-Silicon Carbide and CVD Graphene as a Basis for Biosensor Application : Modern materials and manufacturing (conference)
    Sleptsuk, N. ; Lebedev, A. A. ; et al.
    In: Key engineering materials, Jg. 799 (2019), S. 185-190
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Effect of Carbon Source Injection Rate on CNT Film via Floating Catalyst CVD Method : Solid state science and technology (International conference)
    Izzaiti, I. Nur ; Ismayadi, I. ; et al.
    In: Diffusion and defect data, Jg. 290 (2019), S. 113-121
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    Addressing the Properties of Ultranano- and Microcrystalline CVD Diamond Films Grown on 4H-SiC Substrates : Silicon carbide and related materials (International conference)
    Fraga, M. A. ; Contin, A. ; et al.
    In: Materials science forum, Jg. 924 (2018), S. 927-930
    Online Konferenz
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