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    TEM Analysis of Structural Phase Transition in MBE Grown Cubic InN on MgO (001) by MBE: Effect of Hexagonal Phase Inclusion in an C-Gan Nucleation Layer : Mechanical and Electrical Technology IV- Selected, peer reviewed papers from the 4th International Conference on Mechanical and Electrical Technology (ICMET 2012), July 24-26, 2012, Kuala Lumpur, Malaysia
    Parinyataramas, J. ; Sanorpim, S. ; et al.
    In: APPLIED MECHANICS AND MATERIALS, Jg. 229/231 (2012), S. 219-222
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    Structural Evolution with Temperature of MBE Au/Ni Multilayers
    Dressler, C. ; Bayle-Guillemaud, P. ; et al.
    In: MATERIALS SCIENCE FORUM, Jg. 294/296 (1999), S. 321-324
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    In-situ Control of Stoichiometry in Room Temperature MBE-Growth of ZrO~2 Thin Films Using a Novel Hyperthermal Oxygen Atom Source
    Wisotzki, E. ; Hahn, H. ; et al.
    In: MATERIALS SCIENCE FORUM, Jg. 287/288 (1998), S. 181-184
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    Observation of 3-Fold Periodicity in 3C-SiC Layers Grown by MBE : Silicon Carbide, III-Nitrides and Related Materials
    Kaiser, U. ; Brown, P. D. ; et al.
    In: MATERIALS SCIENCE FORUM, Jg. 264/268 (1998), Heft 1, S. 259-262
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    Improved Epitaxy of Cubic SiC Thin Films on Si(111) by Solid-Source MBE : Silicon Carbide, III-Nitrides and Related Materials
    Fissel, A. ; Pfennighaus, K. ; et al.
    In: MATERIALS SCIENCE FORUM, Jg. 264/268 (1998), Heft 1, S. 255-258
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    Heteroepitaxial Growth of SiC on Si by Gas Source MBE with Silacyclobutane : Silicon Carbide, III-Nitrides and Related Materials
    Chen, J. ; Steckl, A. J. ; et al.
    In: MATERIALS SCIENCE FORUM, Jg. 264/268 (1998), Heft 1, S. 239-242
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    Formation of Pyramidal Pits at the Interface of 3C-SiC and Si(001) Substrates Grown by Gas Source MBE : Silicon Carbide, III-Nitrides and Related Materials
    Schmitt, J. ; Troffer, T. ; et al.
    In: MATERIALS SCIENCE FORUM, Jg. 264/268 (1998), Heft 1, S. 247-250
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    Heteroepitaxial Growth of 3C-SiC on Surface-Structure-Controlled MBE Layer by Low-Pressure CVD : Silicon Carbide, III-Nitrides and Related Materials
    Uchida, M. ; Deguchi, M. ; et al.
    In: MATERIALS SCIENCE FORUM, Jg. 264/268 (1998), Heft 1, S. 243-246
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    MBE Growth of Device-Quality Cubic GaN on Atomically Flat (001) GaAs Prepared by Atomic-Hydrogen Treatment at High-Temperatures
    Yoshikawa, A. ; Qin, Z. ; et al.
    In: MATERIALS SCIENCE FORUM, Jg. 264/268 (1998), Heft 2, S. 1221-1224
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    MBE Growth of III-V Nitride Thin Films and Quantum Well Structures
    Johnson, M. A. L. ; El-Masry, N. A. ; et al.
    In: MATERIALS SCIENCE FORUM, Jg. 264/268 (1998), Heft 2, S. 1161-1166
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    Influence of Activated Nitrogen on Plasma Assisted MBE Growth of GaN
    Birkle, G. U. ; Thomas, C. ; et al.
    In: MATERIALS SCIENCE FORUM, Jg. 264/268 (1998), Heft 2, S. 1193-1196
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    Surface Reconstruction and As Surfactant Effects on MBE-Grown GaN Epilayers
    Okumura, H. ; Hamaguchi, H. ; et al.
    In: MATERIALS SCIENCE FORUM, Jg. 264/268 (1998), Heft 2, S. 1167-1172
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    Surface Reconstruction and MBE Growth of Cubic GaN on (001) GaAs: A Total Energy Study
    Da Silva, J. L. F. ; Enderlein, R. ; et al.
    In: MATERIALS SCIENCE FORUM, Jg. 264/268 (1998), Heft 2, S. 1197-1200
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    Deep hole traps in Be-doped Al~0~.~5 Ga~0~.~5 As MBE layers : Defects in Semiconductors ICDS-19
    Szatkowski, J. ; Placzek-Popko, E. ; et al.
    In: MATERIALS SCIENCE FORUM, Jg. 258/263 (1997), Heft 3, S. 1653-1658
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    Er-luminescence in MBE-grown AlGaAs : Defects in Semiconductors ICDS-19
    Gusev, O. B. ; Lindmark, E. K. ; et al.
    In: MATERIALS SCIENCE FORUM, Jg. 258/263 (1997), Heft 3, S. 1583-1588
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    Interface defects and their effect on the electrical properties of ZnSe/GaAs heterojunctions grown by MBE : Defects in Semiconductors ICDS-19
    Seghier, D. ; Hauksson, I. S. ; et al.
    In: MATERIALS SCIENCE FORUM, Jg. 258/263 (1997), Heft 3, S. 1383-1388
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    Photoluminescence of Donor Acceptor Pair Transitions in Hexagonal and Cubic MBE-grown GaN
    Krueger, J. ; Corlatan, D. ; et al.
    In: MATERIALS SCIENCE FORUM, Jg. 258/263 (1997), Heft 2, S. 1191-1196
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    As Antisite-Related Defects Detected by Spin-Dependent Recombination in Delta-Doped (Si) GaAs Grown by MBE at Low Temperature
    Krambrock, K. ; Pinheiro, M. V. B. ; et al.
    In: MATERIALS SCIENCE FORUM, Jg. 258/263 (1997), Heft 2, S. 957-962
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    Yb Luminescence Centres in MBE-Grown and Ion-Implanted GaAs
    Gippius, A. A. ; Konnov, V. M. ; et al.
    In: MATERIALS SCIENCE FORUM, Jg. 258/263 (1997), Heft 2, S. 917-922
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    Important Nonradiative Grown-in Defects in MBE-Grown Si and SiGe/Si Heterostructures
    Chen, W. M. ; Buyanova, I. A. ; et al.
    In: MATERIALS SCIENCE FORUM, 1995, Heft E 196/201, S. 473-478
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