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    The Influence of Defects on Compatibility and Yield of the HfO~2-PolySilicon Gate Stack for CMOS Integration : Crystalline oxides on semiconductors; Crystalline oxide-silicon heterostructures and oxide optoelectronics
    Kaushik, V. S. ; DeGendt, S. ; et al.
    In: MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIUM PROCEEDINGS, Jg. 747 (2003), S. 145-152
    Konferenz
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    Nickel, Platinum and Zirconium Germanosilicide Contacts to Ultra-Shallow, P^+N Junctions Formed by Selective SiGe Technology for CMOS Technology Nodes Beyond 70nm : Silicon materials: processing, characterization and reliability
    Liu, J. ; Mo, H. ; et al.
    In: MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIA PROCEEDINGS; MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIA PROCEEDINGS, Jg. 716 (2002), S. 457-464
    Konferenz
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    Electrically Induced Junction MOSFET for High Performance Sub-50 nm CMOS Technology : Silicon materials: processing, characterization and reliability
    Dixit, A. ; Dusane, R. O. ; et al.
    In: MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIA PROCEEDINGS; MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIA PROCEEDINGS, Jg. 716 (2002), S. 305-310
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Low-Temperature Metal Organic Chemical Vapor Deposition of Aluminum Oxide Thin Films for Advanced CMOS Gate Dielectric Applications : Silicon materials: processing, characterization and reliability
    Skordas, S. ; Papadatos, F. ; et al.
    In: MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIA PROCEEDINGS; MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIA PROCEEDINGS, Jg. 716 (2002), S. 183-188
    Konferenz
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    Evaluation of Candidate Metals for Dual-Metal Gate CMOS With HfO~2 Gate Dielectric : Silicon materials: processing, characterization and reliability
    Samavedam, S. B. ; Schaeffer, J. K. ; et al.
    In: MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIA PROCEEDINGS; MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIA PROCEEDINGS, Jg. 716 (2002), S. 85-90
    Konferenz
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    Thickness Effect on Nickel Silicide Formation and Thermal Stability for Ultra Shallow Junction CMOS : Silicon materials: processing, characterization and reliability
    Zhao, F. F. ; Shen, Z. X. ; et al.
    In: MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIA PROCEEDINGS; MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIA PROCEEDINGS, Jg. 716 (2002), S. 41-46
    Konferenz
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  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    High-K Dielectrics and Dual Metal Gates: Integration Issues for New CMOS Materials : Ultrathin SiO~2 and high-K materials for ULSI gate dielectrics
    Claflin, B. ; Flock, K. ; et al.
    In: MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIUM PROCEEDINGS, Jg. 567, S. 603-608
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Gate-Prior-to-Isolation CMOS Technology With Through-the-Gate-Implanted Ultrathin Gate Oxides : Ultrathin SiO~2 and high-K materials for ULSI gate dielectrics
    Schwalke, U. ; Gruensfelder, C. ; et al.
    In: MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIUM PROCEEDINGS, Jg. 567, S. 597-602
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Single Wafer CVD of Silicon Nitride for CMOS Gate Applications : Ultrathin SiO~2 and high-K materials for ULSI gate dielectrics
    Pomarede, C. ; Werkhoven, C. ; et al.
    In: MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIUM PROCEEDINGS, Jg. 567, S. 147-154
    Konferenz
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Integration of Electrically Isolated Porous Silicon LEDs for Applications on CMOS Technology : Microcrystalline and nanocrystalline semiconductors
    Hirschman, K. D. ; Tsybeskov, L. ; et al.
    In: MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIUM PROCEEDINGS, Jg. 536, S. 21-26
    Konferenz
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    Mechanical Property Measurement of 0.5m̆ CMOS Microstructures : Microelectromechanical structures for materials research
    Lu, M. S. C. ; Zhu, X. ; et al.
    In: MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIUM PROCEEDINGS, Jg. 518, S. 27-32
    Konferenz
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    A Study of Transistor Optimization in a 0.25 Micron CMOS Flow Using Source/Drain and Silicide Process Modules and Their Interactions : Rapid thermal and integrated processing
    Vasanth, K. ; Apte, P. ; et al.
    In: MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIUM PROCEEDINGS, Jg. 525, S. 325-330
    Konferenz
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    A Novel Low Temperature Self-Aligned Ti Silicide Technology for Sub-0.18m̆ CMOS Devices : Rapid thermal and integrated processing
    Ren, L. P. ; Liu, P. ; et al.
    In: MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIUM PROCEEDINGS, Jg. 525, S. 313-318
    Konferenz
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    Optimization of Ti and Co Self-Aligned Silicide RTP for 0.10m̆ CMOS : Rapid thermal and integrated processing
    Kittl, J. A. ; Hong, Q. Z. ; et al.
    In: MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIUM PROCEEDINGS, Jg. 525, S. 331-338
    Konferenz
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