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    Length dependence of polarization in spontaneous edge emissions from InGaN/AlGaN MQWs laser diodes
    CHUANYU, JIA ; TONGJUN, YU ; et al.
    In: Physica status solidi. A, Applications and materials science (Print), Jg. 204 (2007), Heft 1, S. 257-261
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    GaN MQW microdisks pivoted on Si substrate
    CHOI, H. W ; YANG, B. L ; et al.
    In: Physica status solidi. A, Applications and materials science (Print), Jg. 204 (2007), Heft 1, S. 272-276
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Optically pumped lasing at 300.4 nm applications and materials science in AlGaN MQW structures grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy on c-Al2O3
    JMERIK, V. N ; MIZEROV, A. M ; et al.
    In: Physica status solidi. A, Applications and materials science (Print), Jg. 207 (2010), Heft 6, S. 1313-1317
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    GaN-based MQW light emitting devices
    KOIKE, M ; NAGAI, S ; et al.
    In: ICNS 4: Fourth International Conference on Nitride Semiconductors, Denver, Colorado, USA, July 16-20, 2001. (Part A.1), Jg. 188 (2001), Heft 1, S. 9-13
    Online Konferenz
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    Wie komme ich dran?
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    Device characteristics and metal―dielectric high reflectivity coating analysis of λ ∼ 1.3 μm InGaAsP/InGaAsP MQW PBH lasers
    LEEM, J. W ; YU, J. S
    In: Physica status solidi. A, Applications and materials science (Print), Jg. 207 (2010), Heft 1, S. 217-223
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    A model for the calculation of the threshold current of SCH-MQW-SAS lasers
    WENZEL, H ; WÜNSCHE, H.-J
    In: Physica status solidi. A. Applied research, Jg. 120 (1990), Heft 2, S. 661-673
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    μ-EXAFS, μ-XRF, and μ-PL characterization of a multi-quantum-well electroabsorption modulated laser realized via selective area growth.
    Mino, L ; Gianolio, D ; et al.
    In: Small (Weinheim an der Bergstrasse, Germany), Jg. 7 (2011-04-04), Heft 7, S. 930-8
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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    Ultraviolet InAlGaN multiple-quantum-well laser diodes
    KNEISSL, Michael ; TREAT, David W ; et al.
    In: Physica status solidi. A. Applied research, Jg. 200 (2003), Heft 1, S. 118-121
    Online Konferenz
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    Wie komme ich dran?
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    The current status of ultraviolet laser diodes
    YOSHIDA, Harumasa ; KUWABARA, Masakazu ; et al.
    In: Physica status solidi. A, Applications and materials science (Print), Jg. 208 (2011), Heft 7, S. 1586-1589
    academicJournal
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    Electron beam pumped nitride vertical cavity surface emitting structures with AlGaN/AlN DBR mirrors
    KLAUSING, H ; FEDLER, F ; et al.
    In: International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2002), Jg. 194 (2002), Heft 2, S. 428-432
    Online Konferenz
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Degradation analysis of InGaN laser diodes
    KÜMMLER, V ; BRÜDERL, G ; et al.
    In: International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2002), Jg. 194 (2002), Heft 2, S. 419-422
    Online Konferenz
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    Blue-laser structures grown on bulk GaN crystals
    PRYSTAWKO, P ; CZERNECKI, R ; et al.
    In: Proceedings: 4th International Symposium on Blue Lasers and Light Emitting Diodes (ISBLLED2002), CÓrdoba, Spain, March 11-15, Jg. 192 (2002), Heft 2, S. 320-324
    Online Konferenz
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Current status of GaN-based multiple quantum well laser diodes
    WATANABE, H ; UMEZAKI, T ; et al.
    In: Physica status solidi. A. Applied research, Jg. 201 (2004), Heft 12, S. 2672-2674
    Online Konferenz
    Zugriff:
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