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    LPE growth of AlN from Cu-Al-Ti solution under nitrogen atmosphere
    KAMEI, K ; INOUE, S ; et al.
    In: Physica status solidi. A, Applications and materials science (Print), Jg. 203 (2006), Heft 7, S. 1720-1723
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Growth of Bi and Ga substituted YIG and LuIG layers by LPE method
    KESZEI, B ; VERTESY, Z ; et al.
    In: Sixth Polish Conference on Crystal Growth (PCCG-VI), Jg. 36 (2001), Heft 8-10, S. 953-959
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Homoepitaxial growth of AIN on nitrided sapphire by LPE method using Ga―Al binary solution
    ADACHI, Masayoshi ; MAEDA, Kazuo ; et al.
    In: Physica status solidi. A, Applications and materials science (Print), Jg. 208 (2011), Heft 7, S. 1494-1497
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Growth of GaN crystals by Na flux LPE method
    MORI, Y ; KITAOKA, Y ; et al.
    In: Physica status solidi. A, Applications and materials science (Print), Jg. 207 (2010), Heft 6, S. 1283-1286
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Liquid phase epitaxy (LPE) grown Bi, Ga, Al substituted iron garnets with huge Faraday rotation for magneto-optic applications
    GÖRNERT, P ; AICHELE, T ; et al.
    In: Physica status solidi. A. Applied research, Jg. 201 (2004), Heft 7, S. 1398-1402
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Liquid phase epitaxy (LPE) of YB2Cu3O7-δ high Tc superconductors
    AICHELE, T ; BORNMANN, S ; et al.
    In: Crystal research and technology (1979), Jg. 32 (1997), Heft 8, S. 1145-1154
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    A theorical approach to the In1-xGaxP LPE growth by computer simulation technique
    DIZAJI, H. R ; DHANASEKARAN, R
    In: Physica status solidi. A. Applied research, Jg. 156 (1996), Heft 1, S. 71-79
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Thick LPE layers of InAs1-xSbx for 3-5 μm optoelectronic applications
    POPOV, A ; KOINOVA, A ; et al.
    In: Crystal research and technology (1979), Jg. 33 (1998), Heft 5, S. 737-743
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
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    On the bismuth composition dependent concentration of arsenic atoms during LPE growth of GaAs layers from Ga-As-Bi solution
    JEGANATHAN, K ; SARAVANAN, S ; et al.
    In: Physica status solidi. A. Applied research, Jg. 165 (1998), Heft 2, S. 437-443
    Online academicJournal
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    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Low-temperature LPE overgrowth of InGaAs/InP mesa heterostructure
    PROCHAZKOVA, O ; NOVOTNY, J
    In: Crystal research and technology (1979), Jg. 28 (1993), Heft 7, S. 891-898
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Effect of various factors upon the stoichiometry of GaAs homoepitaxial layers grown by LPE
    GOVORKOV, A. V ; NOVIKOV, A. G ; et al.
    In: Physica status solidi. A. Applied research, Jg. 144 (1994), Heft 1, S. 121-130
    Online academicJournal
    Zugriff:
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Lattice mismatched LPE growth of InGaP on patterned InP substrate
    KANEKO, M ; NAKAYAMA, S ; et al.
    In: Crystal research and technology (1979), Jg. 37 (2002), Heft 2-3, S. 177-182
    Online academicJournal
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    LPE growth of p(n)InAs1―ySby―n(p)GaSb(AlxGa1―xSb) heterostructures
    PRAMATAROVA, L. D
    In: Crystal research and technology (1979), Jg. 19 (1984), Heft 7, S. 877-880
    academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Role of f-elements in the growth of InP layers for radiation detectors
    PROCHAZKOVA, O ; ZAVADIL, J ; et al.
    In: Sixth Polish Conference on Crystal Growth (PCCG-VI), Jg. 36 (2001), Heft 8-10, S. 979-987
    Online Konferenz
    Zugriff:
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    Liquid phase epitaxial growth of silicon on porous silicon for photovoltaic applications
    BERGER, S ; QUOIZOLA, S ; et al.
    In: Sixth Polish Conference on Crystal Growth (PCCG-VI), Jg. 36 (2001), Heft 8-10, S. 1005-1010
    Online Konferenz
    Zugriff:
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    Growth and luminescent properties of TbAlO3: Mn single-crystalline films
    ZORENKO, Yu ; GORBENKO, V ; et al.
    In: Physica status solidi. A, Applications and materials science (Print), Jg. 207 (2010), Heft 4, S. 967-973
    academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Application of tungsten films for substrate masking in liquid phase epitaxial lateral overgrowth of GaAs
    DOBOSZ, D ; ZYTKIEWICZ, Z. R ; et al.
    In: Third International Conference on Solid State Crystals - Materials Science and Applications (ICSSC-2000), Jg. 38 (2003), Heft 3-5, S. 297-301
    Online Konferenz
    Zugriff:
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Study of AlGaAs laser heterostructures with multiquantum well active region grown by low temperature liquid phase epitaxy
    PRUTSKIJ, T ; DIAZ ARENCIBIA, P ; et al.
    In: Crystal research and technology (1979), Jg. 36 (2001), Heft 4-5, S. 395-401
    Online academicJournal
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    Growth and electrical properties of new semiconductor compound ZnCdHgTe
    KHLYAP, G ; SYDORCHUK, P
    In: Sixth Polish Conference on Crystal Growth (PCCG-VI), Jg. 36 (2001), Heft 8-10, S. 1027-1034
    Online Konferenz
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    Control of parameters of III-V compound microcrystals and epitaxial layers by means of complex doping
    BOLSHAKOVA, I ; KOPTSEV, P ; et al.
    In: Sixth Polish Conference on Crystal Growth (PCCG-VI), Jg. 36 (2001), Heft 8-10, S. 989-996
    Online Konferenz
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
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