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    LPE Growth of III-V Semiconductor Laser Materials : Asia-Pacific physics conference
    Liu, H. D.
    In: PROCEEDINGS OF THE ASIA PACIFIC PHYSICS CONFERENCE, Jg. CONF 5 (1994), S. 1166-1177
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Low Temperature LPE of AlGaAs-Nanostructures : Physics of semiconductors
    Andreev, V. M. ; Khvostikov, V. P. ; et al.
    In: INTERNATIONAL CONFERENCE ON THE PHYSICS OF SEMICONDUCTORS, Jg. 2, S. 1055-1058
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    LPE-GaAs Radiation Detectors : Gallium arsenide and related compounds: band related compounds
    Bauser, E. ; Chen, J. W. ; et al.
    In: GALLIUM ARSENIDE AND RELATED COMPOUNDS -LONDON- WORLD SCIENTIFIC-, , S. 10-16
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    LPE Growth of III-V Semiconductor Laser Materials : 5th Asia-Pacific physics conference
    Liu, H. D.
    In: ASIA PACIFIC PHYSICS CONFERENCE, Jg. CONF 5, S. 1166-1177
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -