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    A simulation-based preview of extremely scaled double-gate CMOS devices and circuits
    FOSSUM, Jerry G
    In: Frontiers in Electronics: Future Chips, Jg. 12 (2002), Heft 2, S. 563-572
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Ultra-thin SOI transistors for ultimate cmos technology: Fundamental properties and application perspectives
    ESSENI, D ; SANGIORGI, E ; et al.
    In: Frontiers in Electronics: Future Chips, Jg. 12 (2002), Heft 2, S. 333-342
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    SOI CMOS transistors for RF and microwave applications
    FLANDRE, D ; RASKIN, J.-P ; et al.
    2001
    Buch
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    MOSFET modeling for RF IC design
    YUHUA, CHENG
    2001
    Buch
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Optimized design of the subband structure in mos inversion layers for realizing high performance and low power Si MOSFETs
    TAKAGI, Shin-Ichi
    In: Frontiers in electronics: from materials to systems, Jg. 10 (2000), Heft 1, S. 155-170
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    MOSFET modeling and parameter extraction for RF IC's
    MINKYU, JE ; ICKJIN, KWON ; et al.
    2001
    Buch
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Breakdown modes and breakdown statistics of ultrathin SiO2 gate oxides
    SUNE, Jordi ; JIMENEZ, David ; et al.
    2001
    Buch
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
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