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    ASYMMETRIC TUNNELING SOURCE MOSFETS:: A NOVEL DEVICE SOLUTION FOR SUB-100NM CMOS TECHNOLOGY.
    Girish, N. V. ; Jhaveri, Ritesh ; et al.
    In: International Journal of High Speed Electronics & Systems, Jg. 16 (2006-03-01), Heft 1, S. 95-102
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    A Comprehensive Study on AlGaN/GaN-Based HEMT for High-Speed.
    Kandpal, Jyoti ; Kumar, Amit
    In: International Journal of High Speed Electronics & Systems, Jg. 33 (2024-03-01), Heft 1, S. 1-19
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    ON THE ORIGIN OF 1/F NOISE IN MOSFETS.
    Vandamme, L. K. J.
    In: Fluctuation & Noise Letters, Jg. 7 (2007-09-01), Heft 3, S. L321
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    Wie komme ich dran?
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    A Low-Power, Sub-1-V All-MOSFET Subthreshold Voltage Reference Using Body Biasing.
    Pal, Pratosh Kumar ; Nagaria, Rajendra Kumar
    In: Journal of Circuits, Systems & Computers, Jg. 28 (2019-12-01), Heft 13, S. N.PAG- (22S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Development of III- Technology for p-Channel MOSFETs.
    Greene, Andrew ; Madisetti, Shailesh ; et al.
    In: International Journal of High Speed Electronics & Systems, Jg. 23 (2014-09-01), Heft 3/4, S. 1-16
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    CIRCUIT IMPLEMENTATION AND DYNAMICS OF A TWO-DIMENSIONAL MOSFET NEURON MODEL.
    TAKEMOTO, TAKASHI ; KOHNO, TAKASHI ; et al.
    In: International Journal of Bifurcation & Chaos in Applied Sciences & Engineering, Jg. 17 (2007-02-01), Heft 2, S. 459-508
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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