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    A D-Band Power Amplifier With 60-GHz Large-Signal Bandwidth and 7.6% Peak PAE in 28-nm CMOS
    Yan, Z. ; Chen, J. ; et al.
    In: IEEE Microwave and Wireless Technology Letters, Jg. 34 (2024-05-01), Heft 5, S. 540-543
    Online academicJournal
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    A Sub-5mW Monolithic CMOS-MEMS Thermal Flow Sensing SoC With ±6 m/s Linear Range
    Xu, W. ; Li, Z. ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 59 (2024-05-01), Heft 5, S. 1486-1496
    Online academicJournal
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    A 4-to-6-GHz Cryogenic CMOS LNA With 4.4-K Average Noise Temperature in 22-nm FDSOI
    Das, S. ; Raman, S. ; et al.
    In: IEEE Microwave and Wireless Technology Letters, Jg. 34 (2024-04-01), Heft 4, S. 411-414
    Online academicJournal
    Zugriff:
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  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    A 521pW, 0.016%/V Line Sensitivity Self-Biased CMOS Voltage Reference With DIBL Effect Compensation Using Adaptive VGS Control
    Yu, K. ; Yang, S. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs, Jg. 71 (2024-04-01), Heft 4, S. 1754-1758
    Online academicJournal
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    A Novel Segmented SiPM Combined With Amplifiers on One Chip With Improved Single-Photon Timing Resolution in 0.35-μm CMOS
    Preitnacher, J. ; Ageev, S. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 71 (2024-03-01), Heft 3, S. 301-308
    Online academicJournal
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    A D-Band Two-Way Differential Power Divider on 65-nm CMOS Process
    Choi, U. ; Yang, J.
    In: IEEE Microwave and Wireless Technology Letters, Jg. 34 (2024-03-01), Heft 3, S. 279-282
    Online academicJournal
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    Fully Integrated Pitch-Matched AlScN PMUT-on-CMOS Array for High- Resolution Ultrasound Images
    Ledesma, E. ; Uranga, A. ; et al.
    In: IEEE Sensors Journal, Jg. 24 (2024-05-15), Heft 10, S. 15954-15966
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Ultralow Noise Figure and Broadband CMOS LNA With Three-Winding Transformer and Large Transistor
    Kim, J. ; Son, J. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, Jg. 72 (2024-05-01), Heft 5, S. 2734-2744
    Online academicJournal
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    Volltext
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    A Cryo-CMOS DAC-Based 40-Gb/s PAM4 Wireline Transmitter for Quantum Computing
    Fakkel, N. ; Mortazavi, M. ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 59 (2024-05-01), Heft 5, S. 1433-1446
    Online academicJournal
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    A Compact 140-GHz Power Amplifier With 15.4-dBm Psat and 14.25% Peaking PAE in 28-nm Bulk CMOS Process
    Zhang, L. ; Ma, K. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, Jg. 72 (2024-05-01), Heft 5, S. 3016-3030
    Online academicJournal
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Characterization of a 28 nm CMOS Technology for Analog Applications in High Energy Physics
    Traversi, G. ; Gaioni, L. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 71 (2024-04-01), Heft 4, S. 932-940
    Online academicJournal
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Surface Micromachined CMOS-MEMS Pirani Vacuum Gauge With Stacked Temperature Sensor
    Song, X. ; Huang, L. ; et al.
    In: Journal of Microelectromechanical Systems, Jg. 33 (2024-04-01), Heft 2, S. 274-281
    Online academicJournal
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Leakage Performance of 4H-SiC CMOS Logic Circuits After Gamma Irradiation
    Zhang, L. ; Gu, Y. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 45 (2024-04-01), Heft 4, S. 542-545
    Online academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    A 28GHz, Switched-Cascode, Class E Amplifier in 22nm CMOS FDSOI Technology
    Elsayed, N. ; Makhsuci, S. ; et al.
    In: IEEE Journal of Microwaves, Jg. 4 (2024-04-01), Heft 2, S. 246-252
    Online academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Online Dark Count Rate Measurements in 150 nm CMOS SPADs Exposed to Low Neutron Fluxes
    Ratti, L. ; Brogi, P. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 71 (2024-04-01), Heft 4, S. 698-709
    Online academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Designing a Sub-20V Breakdown Voltage SPAD With Standard CMOS Technology and n/p-well Structure
    Wu, J.Y. ; Liu, C.
    In: IEEE Photonics Journal, Jg. 16 (2024-04-01), Heft 2, S. 1-8
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    A Memristor Emulation in 180-nm CMOS Process for Spiking Signal Generation and Chaos Application
    Kumar, P. ; Ranjan, R.K. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers, Jg. 71 (2024-04-01), Heft 4, S. 1757-1770
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Research on Single Event Transients in Linear Voltage Regulators in a 28 nm Bulk CMOS Technology
    Shen, F. ; Chen, J. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 71 (2024-04-01), Heft 4, S. 793-801
    Online academicJournal
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    CMOS-Compatible Dual-Column Linear Image Sensor With a Gain of 105 and Dynamic Range of 120 dB
    Jin, X. ; Gao, C. ; et al.
    In: IEEE Sensors Journal, Jg. 24 (2024-03-15), Heft 6, S. 7681-7689
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Co-Design of an Auxiliary Self-Bias Module and a CMOS Rectifier for RF Energy Harvesting
    Jiang, H. ; Wu, Z. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs, Jg. 71 (2024-03-01), Heft 3, S. 1481-1485
    Online academicJournal
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